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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
Jan1n4464us	10.4550	RFQ	8676	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，a	1N4464		1.5 w	D-5A	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1 V @ 200 MA		300 NA @ 5.46 V				9.1 v	4欧姆
SMBJ5342BE3/TR13	0.8250	RFQ	5692	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5342		5 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 1 A		10 µA @ 4.9 V				6.8 v	1欧姆
1N3742R	158.8200	RFQ	5013	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205ab，do-9，螺柱		标准，反极性		DO-205AB（DO-9）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N3742R	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	1000 v	1.3 V @ 300 A		75 µA @ 1000 V	-65°C 〜190°C	275a	-
1N2274	74.5200	RFQ	5110	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱		标准		DO-5（do-203ab）	下载			到达不受影响	150-1N2274	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	200 v	1.19 V @ 90 A	5 µs	10 µA @ 200 V	-65°C 〜200°C	6a	-
Jan1n5537b-1	5.5200	RFQ	8729	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5537		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 15.3 V				17 V	100欧姆
1 PMT4102CE3/TR7	0.4950	RFQ	7342	微芯片技术	PowerMite®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		1 w	do-216	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 6.61 V				8.7 v	200欧姆
JANTX1N2980B	-	RFQ	2559	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/124	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N2980		10 W	DO-213AA（DO-4）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 A		10 µA @ 12.2 V				16 V	4欧姆
1N2830A	94.8900	RFQ	6737	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	通过洞	to-204ad	1N2830		50 W	TO-204AD（TO-3）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A		10 µA @ 38 V				50 V	5欧姆
1N5956BE3	3.5850	RFQ	4610	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	do-204al，do041，轴向			1.19 w	do-41	-			到达不受影响	150-1N5956BE3	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 152 V				200 v	1200欧姆
1N5535/tr	1.9950	RFQ	5102	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-1N5535/tr	Ear99	8541.10.0050	477			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 12.5 V				15 v
DT-2350/tr	-	RFQ	9021	微芯片技术	-	大部分	积极的									-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-DT-2350/TR	Ear99	8541.10.0050	1
1N2429	102.2400	RFQ	7688	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205aa，do-8，螺柱		标准		DO-205AA（DO-8）	下载			到达不受影响	150-1N2429	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	200 v	1.2 V @ 200 A		50 µA @ 200 V	-65°C 〜200°C	100a	-
JANS1N6317D/TR	448.5900	RFQ	4093	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6317		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	50			1.4 V @ 1 A		5 µA @ 2 V				5.1 v	14欧姆
1N6020B/tr	2.0083	RFQ	9353	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N6020B/tr	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		100 na @ 52 V				68 v	240欧姆
1N6910UTK2CS/TR	259.3500	RFQ	6543	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	Thinkey™2		肖特基，反极性		Thinkey™2	-			到达不受影响	150-1N6910UTK2CS/TR	Ear99	8541.10.0080	100	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	15 v	520 mv @ 25 A		1.2 ma @ 15 V	-65°C〜150°C	25a	2000pf @ 5V，1MHz
1N3341A	49.3800	RFQ	3953	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	底盘，螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N3341		50 W	do-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A		10 µA @ 83 V				105 v	25欧姆
JANS1N5417	55.8450	RFQ	6373	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/411	大部分	积极的			通过洞	B，轴向		标准		B，轴向	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	200 v	1.5 V @ 9 A	150 ns		-65°C〜175°C	3a	-
1N1190AR	74.5200	RFQ	4705	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N1190	标准，反极性		DO-203AB（DO-5）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	1N1190ARMS	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	600 v	1.19 V @ 90 A		10 µA @ 600 V	-65°C 〜200°C	40a	-
SMAJ5936E3/TR13	0.6450	RFQ	4604	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C〜150°C	表面安装	do-214ac，SMA	SMAJ5936		3 W	DO-214AC（SMAJ）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	7,500			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 22.8 V				30 V	28欧姆
1N5618	4.1600	RFQ	1392	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	a，轴向	1N5618	标准		a，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	600 v	1.3 V @ 3 A	2 µs	500 NA @ 600 V	-65°C 〜200°C	1a	-
SMBJ5927A/TR13	1.5600	RFQ	7894	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5927		2 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 9.1 V				12 v	6.5欧姆
JANS1N4972US	86.7300	RFQ	3	微芯片技术	-	大部分	在sic中停产	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，E			5 w	D-5B	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		2 µA @ 29.7 V				39 v	14欧姆
JANTX1N749D-1	7.3200	RFQ	2955	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N749		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		2 µA @ 1 V				4.3 v	22欧姆
CDLL4776	36.4800	RFQ	1585年	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa	CDLL4776		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					10 µA @ 6 V				8.5 v	200欧姆
JANTXV1N3822CUR-1/TR	44.1427	RFQ	3043	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N3822CUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		75 µA @ 1 V				3.6 v	10欧姆
JANTX1N962C-1/TR	5.0939	RFQ	7763	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C 〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N962C-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 8.4 V				11 V	9.5欧姆
1N5261A	2.1000	RFQ	9719	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5261		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 ma		100 na @ 36 V				47 V	105欧姆
SMBJ5937AE3/TR13	0.8850	RFQ	4530	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5937		2 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 25.1 V				33 V	33欧姆
1N5356CE3/TR12	3.3900	RFQ	6316	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5356		5 w	T-18	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 1 A		500 NA @ 13.7 V				19 v	3欧姆
CDLL5261A	2.8650	RFQ	1291	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL5261		10兆	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		100 na @ 36 V				47 V	105欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²