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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
1N5985UR-1	3.5850	RFQ	3710	微芯片技术	*	大部分	积极的					1N5985				-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1
MNS1N4567DUR-1/TR	70.2150	RFQ	4414	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	0°C〜75°C	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-			到达不受影响	150-MNS1N4567DUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V				6.4 v	200欧姆
1N4100-1	2.4750	RFQ	5642	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4100		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 5.7 V				7.5 v	200欧姆
JANTX1N3049CUR-1	-	RFQ	9137	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TA）	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1.5 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		500 NA @ 121.6 V				160 v	1100欧姆
JANTXV1N4582A-1/TR	11.6250	RFQ	2257	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/452	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N4582A-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V				6.4 v	25欧姆
CDS979B-1/TR	-	RFQ	8272	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-			到达不受影响	150-CDS979B-1/TR	Ear99	8541.10.0050	50
ST3010E3	63.3000	RFQ	7548	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	TO-204AA，TO-3	ST3010	标准		TO-204AA（TO-3）	-			到达不受影响	150-ST3010E3	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	100 v	1.2 V @ 15 A		10 µA @ 100 V	-65°C 〜200°C	15a	-
JANTXV1N980C-1	7.5750	RFQ	4074	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N980		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 47 V				62 v	185欧姆
JANS1N5416US/TR	70.5900	RFQ	4388	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/411	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SQ-MELF，b		标准		B，平方米	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N5416US/TR	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	100 v	1.5 V @ 9 A	150 ns		-65°C〜175°C	3a	-
JANS1N6642UB2R	80.1900	RFQ	8122	微芯片技术	-	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，b		标准		B，平方米	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		1.2 V @ 100 ma	20 ns		-	-	5pf @ 0v，1MHz
1N3344A	49.3800	RFQ	3872	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	底盘，螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N3344		50 W	do-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A		10 µA @ 99.8 V				130 v	50欧姆
1N4752AG/TR	3.4447	RFQ	3493	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do041，轴向			1 w	do-41	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N4752AG/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 25.1 V				33 V	45欧姆
R21100F	33.4500	RFQ	2755	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-R21100F			1
JANTXV1N5535BUR-1/TR	17.2900	RFQ	4392	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N5535BUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 13.5 V				15 v	100欧姆
Jan1n4461d	25.4550	RFQ	2087	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4461		1.5 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1 V @ 200 MA		5 µA @ 4.08 V				6.8 v	2.5欧姆
1N4567A/TR	4.2750	RFQ	7810	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载			到达不受影响	150-1N4567A/tr	Ear99	8541.10.0050	222					2 µA @ 3 V				6.4 v	200欧姆
JANTXV1N963CUR-1/TR	25.6690	RFQ	6211	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N963CUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 9.1 V				12 v	11.5欧姆
Jan1n3003b	-	RFQ	8798	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/124	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱			10 W	DO-213AA（DO-4）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 A		10 µA @ 62.2 V				82 v	25欧姆
JANTX1N978BUR-1/TR	5.5328	RFQ	4981	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N978		500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N978BUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 39 V				51 v	125欧姆
1N5544	3.0750	RFQ	4227	微芯片技术	-	大部分	积极的	±20％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-1N5544	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 23 V				28 V
JANTXV1N3016C-1	28.9500	RFQ	4700	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±2％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N3016		1 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		150 µA @ 5.2 V				6.8 v	3.5欧姆
CDLL5546C	12.1950	RFQ	7994	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-			到达不受影响	150-CDLL5546C	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 NA @ 29.7 V				33 V	100欧姆
Jan1n4130-1/tr	3.7772	RFQ	7411	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N4130-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 51.7 V				68 v	700欧姆
1N3172A	216.8850	RFQ	8207	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205ab，do-9，螺柱	1N3172	标准		DO-205AB（DO-9）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）					-	-	-
CDS5535BUR-1/TR	-	RFQ	7798	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-			到达不受影响	150-CDS5535BUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	50
1N2430	102.2400	RFQ	3528	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205aa，do-8，螺柱		标准		DO-205AA（DO-8）	下载			到达不受影响	150-1N2430	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	250 v	1.2 V @ 200 A		50 µA @ 250 V	-65°C 〜200°C	100a	-
1N4611A	15.9600	RFQ	9259	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-1N4611A	Ear99	8541.10.0050	1
JANTX1N4996US	-	RFQ	1125	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	E，轴向	1N4996		5 w	E，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		2 µA @ 297 V				390 v	1800欧姆
JANTX1N6330 CUS	39.7950	RFQ	8507	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-			到达不受影响	150-JANTX1N6330 CUS	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		50 na @ 14 V				18 V	14欧姆
Janhca1n962b	8.5785	RFQ	9777	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向			500兆	DO-7（do-204AA）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-Janhca1n962b	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 8.4 V				11 V	9.5欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²