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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
JANS1N6324DUS/TR	412.3050	RFQ	9698	微芯片技术	MIL-PRF-19500/533	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-				150-JANS1N6324DUS/TR	Ear99	8541.10.0050	50			1.4 V @ 1 A		1 µA @ 8 V				10 v	6欧姆
1N4473C	17.7000	RFQ	4000	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do041，轴向			1.5 w	do-41	下载			到达不受影响	150-1N4473C	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		50 NA @ 17.6 V				22 v	14欧姆
JANTX1N3042BUR-1/TR	13.0739	RFQ	6982	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N3042BUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 62.2 V				82 v	200欧姆
JANS1N4583A-1	75.8700	RFQ	7839	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/452	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TA）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V				6.4 v	25欧姆
UFS350G/TR13	3.0150	RFQ	5733	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	do-215ab，SMC Gull机翼	UFS350	标准		do-215ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	500 v	1.1 V @ 3 A	50 ns	10 µA @ 500 V	-55°C 〜175°C	3a	-
JANTX1N5531DUR-1	47.2200	RFQ	6753	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N5531		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 9.9 V				11 V	80欧姆
Jan1n6326d	24.7800	RFQ	2186	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-JAN1N6326D	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		1 µA @ 9 V				12 v	7欧姆
JANTX1N978C-1	-	RFQ	5596	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	在sic中停产	±2％	-55°C 〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N978		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 39 V				51 v	125欧姆
JAN1N3826D-1/TR	19.4047	RFQ	8018	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N3826D-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		3 µA @ 1 V				5.1 v	7欧姆
JANTXV1N4493US	17.6250	RFQ	8558	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，a	1N4493		1.5 w	D-5A	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1 V @ 200 MA		250 NA @ 120 V				150 v	700欧姆
JANS1N4964C	320.7300	RFQ	4764	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	E，轴向			5 w	E，轴向	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		5 µA @ 13.7 V				18 V	4欧姆
JANTXV1N753DUR-1/TR	21.3864	RFQ	3800	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N753DUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 3.5 V				6.2 v	7欧姆
1N6677	-	RFQ	7287	微芯片技术	*	大部分	过时的									-	Rohs不合规	（1 （无限）			Ear99	8541.10.0070	1
JANS1N3595-1/TR	48.8502	RFQ	3140	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		标准		do-35	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N3595-1/tr	Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度	125 v	1 V @ 200 MA	3 µs	1 NA @ 125 V	-65°C〜175°C	200mA	-
S50440	158.8200	RFQ	5609	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205ab，do-9，螺柱		标准		DO-205AB（DO-9）	-			到达不受影响	150-S50440	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	400 v	1.25 V @ 1000 A		75 µA @ 400 V	-65°C 〜200°C	300A	-
1N5518A/TR	2.8950	RFQ	9239	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-1N5518A/TR	Ear99	8541.10.0050	325			1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 900 mV				3.3 v
JANTX1N6857-1	-	RFQ	9714	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/444	大部分	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		肖特基		do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度	20 v	350 mv @ 1 mA		150 na @ 16 V	-65°C〜150°C	150mA
CDLL6488/tr	12.4754	RFQ	3014	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf			1.5 w	do-213ab	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL6488/tr	Ear99	8541.10.0050	1			1 V @ 200 MA		5 µA @ 1 V				4.3 v	9欧姆
60CDQ035	84.1950	RFQ	1459	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	TO-204AA，TO-3		肖特基		TO-204AA（TO-3）	-			到达不受影响	150-60CDQ035	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	35 v	680 mv @ 30 a		1.2 ma @ 35 V	-65°C〜175°C	30a	-
CDLL4104C/TR	7.7400	RFQ	3719	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-			到达不受影响	150-CDLL4104C/TR	Ear99	8541.10.0050	122			1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 7.6 V				10 v	200欧姆
CDLL6003	2.7150	RFQ	4196	微芯片技术	*	大部分	积极的					CDLL6003				-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1
JANS1N4471/TR	84.0150	RFQ	9934	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do041，轴向			1.5 w	do-41	-			到达不受影响	150-JANS1N4471/TR	Ear99	8541.10.0050	50			1.5 V @ 1 A		50 NA @ 14.4 V				18 V	11欧姆
JANTX1N2846RB	-	RFQ	5306	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/114	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	to-204ad	1N2846		10 W	TO-204AD（TO-3）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 A		10 µA @ 152 V				200 v	90欧姆
JAN1N4115CUR-1/TR	13.0606	RFQ	8220	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）				do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N4115CUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 16.8 V				22 v	150欧姆
1N4592	102.2400	RFQ	2616	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205aa，do-8，螺柱		标准		DO-205AA（DO-8）	下载			到达不受影响	150-1N4592	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	600 v	1.1 V @ 200 A		50 µA @ 600 V	-65°C 〜200°C	150a	-
1N721A	1.9200	RFQ	4999	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N721		250兆	do-35	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1									20 v	20欧姆
1N5279BUR-1	5.1900	RFQ	7371	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa	1N5279		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		100 NA @ 137 V				180 v	2200欧姆
1N5085	23.4000	RFQ	3553	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	轴向			3 W	轴向	-			到达不受影响	150-1N5085	Ear99	8541.10.0050	1					1 µA @ 38 V				50 V	50欧姆
SMBG5387AE3/TR13	1.1250	RFQ	1968年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-215AA，SMB海鸥翼	SMBG5387		5 w	SMBG（DO-215AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 1 A		500 NA @ 137 V				190 v	450欧姆
JANTX1N3305RB	-	RFQ	6975	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/358	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱			50 W	do-5	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A		300 µA @ 4.5 V				6.8 v	0.2欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²