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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
1N5356CE3/TR12	3.3900	RFQ	6316	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5356		5 w	T-18	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 1 A		500 NA @ 13.7 V				19 v	3欧姆
CDLL5272BE3/tr	3.5112	RFQ	6564	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa			10兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL5272BE3/tr	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		100 na @ 84 V				110 v	750欧姆
JAN1N5528C-1/TR	12.6749	RFQ	4502	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N555528C-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 7.5 V				8.2 v	40欧姆
JANTX1N965DUR-1	11.9850	RFQ	2322	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±1％	-55°C 〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N965		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		500 na @ 11 V				15 v	16欧姆
1N825A-1E3	4.7000	RFQ	194	微芯片技术	-	包	积极的	±5％	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N825		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	1N825A-1E3MS	Ear99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V				5.89 v	10欧姆
JANTX1N4974/TR	7.8450	RFQ	3726	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	E，轴向			5 w	E，轴向	-			到达不受影响	150-JANTX1N4974/TR	Ear99	8541.10.0050	100					1.5 V @ 1 A		2 µA @ 35.8 V				47 V	25欧姆
JANTXV1N3343RB	-	RFQ	7932	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/358	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱			50 W	do-5	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 10 A		10 µA @ 91.2 V				120 v	40欧姆
S4240T	57.8550	RFQ	6006	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205aa，do-8，螺柱	S4240	标准		DO-205AA（DO-8）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		400 v		1.2 V @ 200 A		50 µA @ 400 V	-65°C 〜200°C	125a	-
1n1196a	75.5700	RFQ	7489	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N1196	标准		DO-203AB（DO-5）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		400 v		1.19 V @ 90 A		10 µA @ 400 V	-65°C 〜200°C	40a	-
APT2X31D20J	27.7100	RFQ	3920	微芯片技术	-	管子	积极的			底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	APT2X31	标准		isotop®	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	2独立	200 v	30a	1.3 V @ 30 A	24 ns	250 µA @ 200 V
JANS1N4135CUR-1	97.9650	RFQ	3420	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 76 V				100 v	1500欧姆
1N3825A-1	6.5400	RFQ	6513	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N3825		1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		3 µA @ 2 V				4.7 v	8欧姆
1 PMT4101C/TR13	1.2450	RFQ	9276	微芯片技术	PowerMite®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		1 w	do-216	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	12,000					1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 6.24 V				8.2 v	200欧姆
1 PMT5925/TR7	2.2200	RFQ	1880年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		3 W	do-216aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 8 V				10 v	4.5欧姆
1N2826A	94.8900	RFQ	5175	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	通过洞	to-204ad	1N2826		50 W	TO-204AD（TO-3）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 10 A		10 µA @ 29.7 V				39 v	4欧姆
1 PMT4104CE3/TR7	0.4950	RFQ	4859	微芯片技术	PowerMite®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		1 w	do-216	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 7.6 V				10 v	200欧姆
JANTX1N747CUR-1	12.0600	RFQ	9468	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N747		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		3 µA @ 1 V				3.6 v	24欧姆
Jan1n6623us/tr	12.1650	RFQ	2157	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/585	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SQ-MELF，a		标准		D-5A	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N6623US/TR	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		880 v		1.55 V @ 1 A	50 ns	500 NA @ 880 V	-65°C〜150°C	1a	10pf @ 10V，1MHz
JANTX1N985BUR-1	6.0900	RFQ	6973	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N985		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 76 V				100 v	500欧姆
1N2813RB	-	RFQ	8511	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	to-204ad	1N2813		50 W	TO-204AD（TO-3）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 10 A		10 µA @ 11.4 V				15 v	1.4欧姆
JANTXV1N3017B-1	11.8800	RFQ	2387	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N3017		1 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		100 µA @ 5.7 V				7.5 v	4欧姆
JANTX1N4975	7.4200	RFQ	460	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	E，轴向	1N4975		5 w	-	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		2 µA @ 38.8 V				51 v	27欧姆
Jan1n757aur-1	4.4400	RFQ	2291	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N757		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 7 V				9.1 v	10欧姆
JANTX1N6770	-	RFQ	2591	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	TO-257-3		标准		TO-257	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		150 v		1.06 V @ 8 A	35 ns	10 µA @ 120 V	-	8a	150pf @ 5V，1MHz
JANTX1N2822B	-	RFQ	8111	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/114	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	to-204ad	1N2822		10 W	TO-204AD（TO-3）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 2 A		10 µA @ 20.6 V				27 V	2.8欧姆
Jan1n3033b-1/tr	8.3524	RFQ	7452	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N3033B-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 27.4 V				36 V	50欧姆
1N5999C	4.1550	RFQ	2352	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5999		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		100 na @ 7 V				9.1 v	10欧姆
1N3070ur/tr	9.2100	RFQ	7421	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-				150-1N3070ur/tr			100
JANTXV1N3023C-1	30.4350	RFQ	6410	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±2％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N3023		1 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 9.9 V				13 V	10欧姆
JANTX1N3050BUR-1	-	RFQ	2138	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TA）	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1.5 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		500 NA @ 136.8 V				180 v	1200欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²