SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 二极管配置 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电流 -io(io)(每个二极管) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) ((ZZT))
JAN1N4493DUS Microchip Technology Jan1n4493dus 33.4500
RFQ
ECAD 3244 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/406 大部分 积极的 ±1% -65°C〜175°C 表面安装 SQ-MELF,a 1N4493 1.5 w D-5A 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1 V @ 200 MA 250 NA @ 120 V 150 v 700欧姆
JANTX1N4460 Microchip Technology JANTX1N4460 8.1150
RFQ
ECAD 2501 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/406 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N4460 1.5 w DO-204AL(DO-41) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 10 µA @ 3.72 V 6.2 v 4欧姆
JANS1N6662US Microchip Technology JANS1N6662US -
RFQ
ECAD 4094 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/587 大部分 积极的 表面安装 SQ-MELF,a 1N6662 标准 D-5A 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 400 v 1 V @ 400 MA 50 NA @ 400 V -65°C〜175°C 500mA -
UES1106/TR Microchip Technology UES1106/tr 21.2700
RFQ
ECAD 9776 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 a,轴向 标准 a,轴向 - rohs3符合条件 到达不受影响 150-ues1106/tr Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 400 v 1.25 V @ 1 A 50 ns 10 µA @ 400 V -55°C〜150°C 1a -
CDLL5822/TR Microchip Technology CDLL5822/tr 6.7500
RFQ
ECAD 8818 0.00000000 微芯片技术 * 胶带和卷轴((tr) 积极的 - 到达不受影响 150-CDLL5822/tr 140
UFT3010D Microchip Technology UFT3010D 62.1000
RFQ
ECAD 7233 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 通过洞 TO-204AA,TO-3 标准 TO-204AA(TO-3) - 到达不受影响 150-UFT3010D Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对系列连接 100 v 30a 930 MV @ 15 A 35 ns 15 µA @ 100 V -65°C〜175°C
JANTXV1N978BUR-1 Microchip Technology JANTXV1N978BUR-1 7.5600
RFQ
ECAD 2391 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/117 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AA() 1N978 500兆 do-213aa 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 500 NA @ 39 V 51 v 125欧姆
JANTXV1N6911UTK2AS/TR Microchip Technology JANTXV1N6911UTK2AS/TR 521.7750
RFQ
ECAD 1575年 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/723 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 Thinkey™2 SIC (碳化硅) Thinkey™2 - rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANTXV1N6911UTK2AS/TR Ear99 8541.10.0080 1 没有恢复t> 500mA(IO) 30 V 540 mv @ 25 A 1.2 ma @ 30 V -65°C〜150°C 25a
JANTX1N3824C-1 Microchip Technology JANTX1N3824C-1 21.9600
RFQ
ECAD 1213 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/115 大部分 积极的 ±2% -65°C〜175°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N3824 1 w do-41 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 5 µA @ 1 V 4.3 v 9欧姆
JANTX1N6354CUS Microchip Technology JANTX1N6354CUS -
RFQ
ECAD 3292 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/533 大部分 积极的 ±2% -65°C 〜175°C(TJ) 表面安装 SQ-MELF,b 500兆 B,平方米 - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.4 V @ 1 A 50 NA @ 137 V 180 v 1500欧姆
SMAJ5928AE3/TR13 Microchip Technology SMAJ5928AE3/TR13 0.6450
RFQ
ECAD 9637 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±10% -65°C〜150°C 表面安装 do-214ac,SMA SMAJ5928 3 W DO-214AC(SMAJ) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 7,500 1.2 V @ 200 ma 1 µA @ 9.9 V 13 V 7欧姆
1N5554US/TR Microchip Technology 1N5554US/TR 10.0200
RFQ
ECAD 8560 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SQ-MELF,E 1N5554 标准 D-5B 下载 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1000 v 1.3 V @ 9 A 2 µs 1 µA @ 1000 V -65°C〜175°C 3a -
JAN1N3910AR Microchip Technology Jan1n3910ar -
RFQ
ECAD 5646 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/308 大部分 积极的 螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 标准 do-5 - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 1.4 V @ 50 A 150 ns -65°C〜150°C 50a -
CD4575 Microchip Technology CD4575 5.4150
RFQ
ECAD 3238 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% 0°C〜75°C 表面安装 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-CD4575 Ear99 8541.10.0050 1 2 µA @ 3 V 6.4 v 50欧姆
JANTXV1N4117CUR-1/TR Microchip Technology JANTXV1N4117CUR-1/TR 25.6690
RFQ
ECAD 5197 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/435 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2% -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AA() 500兆 do-213aa - rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANTXV1N4117CUR-1/TR Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 10 na @ 19 V 25 v 150欧姆
JANTX1N5539DUR-1 Microchip Technology JANTX1N5539DUR-1 47.2200
RFQ
ECAD 5924 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/437 大部分 积极的 ±1% -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AA() 1N5539 500兆 do-213aa 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 10 na @ 17.1 V 19 v 100欧姆
JAN1N6334US/TR Microchip Technology Jan1n6334us/tr 13.5300
RFQ
ECAD 8573 0.00000000 微芯片技术 MIL-PRF-19500/533 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C 〜175°C(TJ) 表面安装 SQ-MELF,b 500兆 B,平方米 - 150-JAN1N6334US/TR Ear99 8541.10.0050 100 1.4 V @ 1 A 50 NA @ 21 V 27 V 27欧姆
JANTXV1N5187/TR Microchip Technology JANTXV1N5187/TR 14.8200
RFQ
ECAD 9972 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/424 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 B,轴向 标准 B,轴向 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANTXV1N5187/TR Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 100 v 1.5 V @ 9 A 2 µA @ 100 V -65°C〜175°C 3a -
SMBG5357CE3/TR13 Microchip Technology SMBG5357CE3/TR13 1.4400
RFQ
ECAD 5916 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2% -65°C〜150°C 表面安装 DO-215AA,SMB海鸥翼 SMBG5357 5 w SMBG(DO-215AA) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 1 A 500 NA @ 14.4 V 20 v 3欧姆
1N4557B Microchip Technology 1N4557B 74.3550
RFQ
ECAD 3092 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 to-204ad 1N4557 50 W TO-204AD(TO-3) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 10 A 150 µA @ 500 mV 3.9 v 0.16欧姆
JANTXV1N4117UR-1 Microchip Technology JANTXV1N4117UR-1 11.2500
RFQ
ECAD 9959 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/435 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AA() 1N4117 500兆 do-213aa 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 10 na @ 19 V 25 v 150欧姆
R4260F Microchip Technology R4260F 59.8350
RFQ
ECAD 5793 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 螺柱坐骑 do-205aa,do-8,螺柱 R4260 标准,反极性 DO-205AA(DO-8) 下载 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 600 v 1.2 V @ 200 A 50 µA @ 600 V -65°C 〜200°C 125a -
JANTXV1N6910UTK2AS Microchip Technology JANTXV1N6910UTK2AS -
RFQ
ECAD 9230 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/723 大部分 积极的 表面安装 Thinkey™2 SIC (碳化硅) Thinkey™2 - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 没有恢复t> 500mA(IO) 15 v 520 mv @ 25 A 1.2 ma @ 15 V -65°C〜150°C 25a 2000pf @ 5V,1MHz
1N964BUR-1/TR Microchip Technology 1n964bur-1/tr 4.1100
RFQ
ECAD 5272 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C 〜175°C(TJ) 表面安装 do-213aa 400兆 do-213aa - 到达不受影响 150-1N964BUR-1/TR Ear99 8541.10.0050 231 1.1 V @ 200 ma 500 NA @ 9.9 V 13 V 13欧姆
JANTXV1N6350US/TR Microchip Technology JANTXV1N6350US/TR 19.9234
RFQ
ECAD 4300 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/533 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C 〜175°C(TJ) 表面安装 SQ-MELF,b 500兆 B,平方米 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANTXV1N6350US/TR Ear99 8541.10.0050 1 1.4 V @ 1 A 50 NA @ 91 V 120 v 600欧姆
JANTXV1N4568AUR-1 Microchip Technology JANTXV1N4568AR-1 -
RFQ
ECAD 5891 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/452 大部分 在sic中停产 ±5% -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AA() 500兆 do-213aa 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 2 µA @ 3 V 6.4 v 200欧姆
JANS1N4974D Microchip Technology JANS1N4974D 374.1920
RFQ
ECAD 8442 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANS1N4974D Ear99 8541.10.0050 1
JAN1N5537D-1 Microchip Technology JAN1N5537D-1 13.8000
RFQ
ECAD 5920 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/437 大部分 积极的 ±1% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N5537 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 10 na @ 15.3 V 17 V 100欧姆
JAN1N3044C-1 Microchip Technology JAN1N3044C-1 17.3250
RFQ
ECAD 7240 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/115 大部分 积极的 ±2% -55°C 〜175°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N3044 1 w do-41 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 76 V 100 v 350欧姆
CDLL3026B/TR Microchip Technology CDLL3026B/TR 13.7522
RFQ
ECAD 9753 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -55°C 〜175°C 表面安装 do-213ab,Melf 1 w do-213ab 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-CDLL3026B/TR Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 500 NA @ 13.7 V 18 V 20欧姆
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库