电话: +86-0755-83501345
电子邮件:sales@swxic.com
参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Jan1n4493dus | 33.4500 | ![]() | 3244 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/406 | 大部分 | 积极的 | ±1% | -65°C〜175°C | 表面安装 | SQ-MELF,a | 1N4493 | 1.5 w | D-5A | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 MA | 250 NA @ 120 V | 150 v | 700欧姆 | ||||||||||||
JANTX1N4460 | 8.1150 | ![]() | 2501 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/406 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1N4460 | 1.5 w | DO-204AL(DO-41) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 10 µA @ 3.72 V | 6.2 v | 4欧姆 | ||||||||||||
JANS1N6662US | - | ![]() | 4094 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/587 | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | SQ-MELF,a | 1N6662 | 标准 | D-5A | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 400 v | 1 V @ 400 MA | 50 NA @ 400 V | -65°C〜175°C | 500mA | - | |||||||||||
![]() | UES1106/tr | 21.2700 | ![]() | 9776 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 通过洞 | a,轴向 | 标准 | a,轴向 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-ues1106/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 400 v | 1.25 V @ 1 A | 50 ns | 10 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 1a | - | ||||||||||
![]() | CDLL5822/tr | 6.7500 | ![]() | 8818 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | 到达不受影响 | 150-CDLL5822/tr | 140 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | UFT3010D | 62.1000 | ![]() | 7233 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | TO-204AA,TO-3 | 标准 | TO-204AA(TO-3) | - | 到达不受影响 | 150-UFT3010D | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对系列连接 | 100 v | 30a | 930 MV @ 15 A | 35 ns | 15 µA @ 100 V | -65°C〜175°C | |||||||||||
![]() | JANTXV1N978BUR-1 | 7.5600 | ![]() | 2391 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/117 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | DO-213AA() | 1N978 | 500兆 | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 500 NA @ 39 V | 51 v | 125欧姆 | |||||||||||
![]() | JANTXV1N6911UTK2AS/TR | 521.7750 | ![]() | 1575年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/723 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | Thinkey™2 | SIC (碳化硅) | Thinkey™2 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N6911UTK2AS/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 30 V | 540 mv @ 25 A | 1.2 ma @ 30 V | -65°C〜150°C | 25a | ||||||||||||
JANTX1N3824C-1 | 21.9600 | ![]() | 1213 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/115 | 大部分 | 积极的 | ±2% | -65°C〜175°C | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1N3824 | 1 w | do-41 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 ma | 5 µA @ 1 V | 4.3 v | 9欧姆 | ||||||||||||
![]() | JANTX1N6354CUS | - | ![]() | 3292 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/533 | 大部分 | 积极的 | ±2% | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | SQ-MELF,b | 500兆 | B,平方米 | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 A | 50 NA @ 137 V | 180 v | 1500欧姆 | |||||||||||||
![]() | SMAJ5928AE3/TR13 | 0.6450 | ![]() | 9637 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±10% | -65°C〜150°C | 表面安装 | do-214ac,SMA | SMAJ5928 | 3 W | DO-214AC(SMAJ) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.2 V @ 200 ma | 1 µA @ 9.9 V | 13 V | 7欧姆 | |||||||||||
1N5554US/TR | 10.0200 | ![]() | 8560 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SQ-MELF,E | 1N5554 | 标准 | D-5B | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1000 v | 1.3 V @ 9 A | 2 µs | 1 µA @ 1000 V | -65°C〜175°C | 3a | - | |||||||||||
![]() | Jan1n3910ar | - | ![]() | 5646 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/308 | 大部分 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 标准 | do-5 | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 1.4 V @ 50 A | 150 ns | -65°C〜150°C | 50a | - | ||||||||||||
![]() | CD4575 | 5.4150 | ![]() | 3238 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | 0°C〜75°C | 表面安装 | 死 | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-CD4575 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.4 v | 50欧姆 | ||||||||||||||
![]() | JANTXV1N4117CUR-1/TR | 25.6690 | ![]() | 5197 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/435 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -65°C〜175°C | 表面安装 | DO-213AA() | 500兆 | do-213aa | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N4117CUR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 10 na @ 19 V | 25 v | 150欧姆 | ||||||||||||
![]() | JANTX1N5539DUR-1 | 47.2200 | ![]() | 5924 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/437 | 大部分 | 积极的 | ±1% | -65°C〜175°C | 表面安装 | DO-213AA() | 1N5539 | 500兆 | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 10 na @ 17.1 V | 19 v | 100欧姆 | |||||||||||
Jan1n6334us/tr | 13.5300 | ![]() | 8573 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/533 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | SQ-MELF,b | 500兆 | B,平方米 | - | 150-JAN1N6334US/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.4 V @ 1 A | 50 NA @ 21 V | 27 V | 27欧姆 | |||||||||||||||
![]() | JANTXV1N5187/TR | 14.8200 | ![]() | 9972 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/424 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 通过洞 | B,轴向 | 标准 | B,轴向 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N5187/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 100 v | 1.5 V @ 9 A | 2 µA @ 100 V | -65°C〜175°C | 3a | - | |||||||||||
![]() | SMBG5357CE3/TR13 | 1.4400 | ![]() | 5916 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -65°C〜150°C | 表面安装 | DO-215AA,SMB海鸥翼 | SMBG5357 | 5 w | SMBG(DO-215AA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 1 A | 500 NA @ 14.4 V | 20 v | 3欧姆 | |||||||||||
![]() | 1N4557B | 74.3550 | ![]() | 3092 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | to-204ad | 1N4557 | 50 W | TO-204AD(TO-3) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 A | 150 µA @ 500 mV | 3.9 v | 0.16欧姆 | |||||||||||
![]() | JANTXV1N4117UR-1 | 11.2500 | ![]() | 9959 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/435 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | DO-213AA() | 1N4117 | 500兆 | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 10 na @ 19 V | 25 v | 150欧姆 | |||||||||||
![]() | R4260F | 59.8350 | ![]() | 5793 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-205aa,do-8,螺柱 | R4260 | 标准,反极性 | DO-205AA(DO-8) | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 600 v | 1.2 V @ 200 A | 50 µA @ 600 V | -65°C 〜200°C | 125a | - | |||||||||||
![]() | JANTXV1N6910UTK2AS | - | ![]() | 9230 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/723 | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | Thinkey™2 | SIC (碳化硅) | Thinkey™2 | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 15 v | 520 mv @ 25 A | 1.2 ma @ 15 V | -65°C〜150°C | 25a | 2000pf @ 5V,1MHz | ||||||||||||
![]() | 1n964bur-1/tr | 4.1100 | ![]() | 5272 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | do-213aa | 400兆 | do-213aa | - | 到达不受影响 | 150-1N964BUR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 231 | 1.1 V @ 200 ma | 500 NA @ 9.9 V | 13 V | 13欧姆 | |||||||||||||
JANTXV1N6350US/TR | 19.9234 | ![]() | 4300 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/533 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | SQ-MELF,b | 500兆 | B,平方米 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N6350US/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 A | 50 NA @ 91 V | 120 v | 600欧姆 | |||||||||||||
![]() | JANTXV1N4568AR-1 | - | ![]() | 5891 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/452 | 大部分 | 在sic中停产 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | DO-213AA() | 500兆 | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.4 v | 200欧姆 | |||||||||||||
![]() | JANS1N4974D | 374.1920 | ![]() | 8442 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANS1N4974D | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||
JAN1N5537D-1 | 13.8000 | ![]() | 5920 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/437 | 大部分 | 积极的 | ±1% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N5537 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 10 na @ 15.3 V | 17 V | 100欧姆 | ||||||||||||
JAN1N3044C-1 | 17.3250 | ![]() | 7240 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/115 | 大部分 | 积极的 | ±2% | -55°C 〜175°C | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1N3044 | 1 w | do-41 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 ma | 10 µA @ 76 V | 100 v | 350欧姆 | ||||||||||||
![]() | CDLL3026B/TR | 13.7522 | ![]() | 9753 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -55°C 〜175°C | 表面安装 | do-213ab,Melf | 1 w | do-213ab | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-CDLL3026B/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 ma | 500 NA @ 13.7 V | 18 V | 20欧姆 |
每日平均RFQ量
标准产品单位
全球制造商
智能仓库