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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
1N5085	23.4000	RFQ	3553	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	轴向			3 W	轴向	-			到达不受影响	150-1N5085	Ear99	8541.10.0050	1				1 µA @ 38 V				50 V	50欧姆
SMBG5387AE3/TR13	1.1250	RFQ	1968年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-215AA，SMB海鸥翼	SMBG5387		5 w	SMBG（DO-215AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 1 A	500 NA @ 137 V				190 v	450欧姆
JANTX1N3305RB	-	RFQ	6975	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/358	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱			50 W	do-5	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A	300 µA @ 4.5 V				6.8 v	0.2欧姆
JANS1N4988US/TR	115.6650	RFQ	7472	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			5 w	E-Melf	-			到达不受影响	150-JANS1N4988US/TR	Ear99	8541.10.0050	50			1.5 V @ 1 A	2 µA @ 136.8 V				180 v	450欧姆
JAN1N303333DUR-1/TR	36.2558	RFQ	2458	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N3033DUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma	10 µA @ 27.4 V				36 V	50欧姆
SMBJ5368AE3/TR13	0.8100	RFQ	7865	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5368		5 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 1 A	500 NA @ 33.8 V				47 V	25欧姆
JANTXV1N6634D	-	RFQ	5225	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	E，轴向			5 w	E，轴向	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A	175 µA @ 1 V				3.9 v	2欧姆
JANTXV1N3044CUR-1	46.1250	RFQ	9723	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±2％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））	1N3044		1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma	10 µA @ 76 V				100 v	350欧姆
1N821AUR-1/TR	4.3800	RFQ	3937	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-					Ear99	8541.10.0050	224				2 µA @ 3 V				6.2 v	10欧姆
SMBG5370BE3/TR13	1.1400	RFQ	7686	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-215AA，SMB海鸥翼	SMBG5370		5 w	SMBG（DO-215AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 1 A	500 NA @ 40.3 V				56 v	35欧姆
1N3212R	65.8800	RFQ	5942	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N3212	标准，反极性		DO-203AB（DO-5）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	1N3212RMS	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	400 v	1.19 V @ 90 A	10 µA @ 400 V	-65°C 〜200°C	40a	-
JANTXV1N4571A-1/TR	7.8000	RFQ	3179	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/452	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N4571A-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1				2 µA @ 3 V				6.4 v	100欧姆
SMBG5382B/TR13	2.2500	RFQ	3070	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-215AA，SMB海鸥翼	SMBG5382		5 w	SMBG（DO-215AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 1 A	500 NA @ 101 V				140 v	230欧姆
JANTXV1N4114D-1	28.9500	RFQ	9798	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4114		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	10 na @ 15.2 V				20 v	150欧姆
Jan1n4989us/tr	13.4100	RFQ	9698	微芯片技术	MIL-PRF-19500/356	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，E			5 w	E-Melf	下载				150-JAN1N4989US/TR	Ear99	8541.10.0050	100			1.5 V @ 1 A	2 µA @ 152 V				200 v	500欧姆
JANTX1N4124UR-1/TR	8.6450	RFQ	7815	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N4124UR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	10 na @ 32.7 V				43 V	250欧姆
1N3293AR	102.2400	RFQ	8355	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205aa，do-8，螺柱	1N3293	标准，反极性		DO-205AA（DO-8）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	1N3293ARMS	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	600 v	1.1 V @ 200 A	50 µA @ 600 V	-65°C 〜200°C	150a	-
1N5088	23.4000	RFQ	1600	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	轴向			3 W	轴向	-			到达不受影响	150-1N5088	Ear99	8541.10.0050	1				1 µA @ 45.7 V				60 V	70欧姆
JANTXV1N3025C-1/TR	27.1187	RFQ	8495	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N3025C-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma	10 µA @ 12.2 V				16 V	16欧姆
JANTXV1N4105-1/TR	8.0465	RFQ	2726	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N4105-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	50 NA @ 8.5 V				11 V	200欧姆
CDS752A-1	-	RFQ	6077	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-CDS752A-1	Ear99	8541.10.0050	50
SMBJ5915A/TR13	1.5600	RFQ	3286	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5915		2 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 200 ma	25 µA @ 1 V				3.9 v	7.5欧姆
SMBJ5365A/TR13	1.6350	RFQ	3679	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5365		5 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 1 A	500 NA @ 25.9 V				36 V	11欧姆
Jan1n746c-1	5.1900	RFQ	1708年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N746		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	5 µA @ 1 V				3.3 v	17欧姆
JAN1N3045B-1	9.2700	RFQ	7747	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N3045		1 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma	10 µA @ 83.6 V				110 v	450欧姆
JANTX1N935BUR-1/TR	-	RFQ	4143	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/156	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N935BUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1				10 µA @ 6 V				9 V	20欧姆
Jan1n4114c-1/tr	9.4430	RFQ	7738	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N4114C-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	10 na @ 15.2 V				20 v	150欧姆
jankca1n5518c	-	RFQ	1326	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-JANKCA1N5518C	Ear99	8541.10.0050	100			1.1 V @ 200 ma	5 µA @ 1 V				3.3 v	26欧姆
1N2818BU3	339.9900	RFQ	8922	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅	1N2818		50 W	U3 （SMD-0.5）	下载			到达不受影响	150-1N2818BU3	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A	10 µA @ 15.2 V				20 v	2.4欧姆
Jan1n633333us/tr	14.2576	RFQ	6612	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N6333US/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A	50 na @ 18 V				24 V	24欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²