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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
JANTXV1N3822CUR-1	49.6200	RFQ	7173	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））	1N3822		1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		75 µA @ 1 V				3.6 v	10欧姆
CDLL3026B/TR	13.7522	RFQ	9753	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf			1 w	do-213ab	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL3026B/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		500 NA @ 13.7 V				18 V	20欧姆
CD5234	1.6350	RFQ	7606	微芯片技术	-	大部分	积极的	±20％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	-			到达不受影响	150-CD5234	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 ma		5 µA @ 4 V				6.2 v	7欧姆
JANTXV1N6636US	-	RFQ	5299	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，E			5 w	D-5B	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		20 µA @ 1 V				4.7 v	2欧姆
CDLL937B/TR	8.7000	RFQ	3552	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL937B/TR	Ear99	8541.10.0050	1									9 V	20欧姆
DSB0.2A30	-	RFQ	3819	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	DSB0.2	肖特基		DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	30 V	650 MV @ 500 mA		10 µA @ 30 V	-65°C〜125°C	500mA	60pf @ 0v，1MHz
JANTXV1N6354US/TR	-	RFQ	5263	微芯片技术	MIL-PRF-19500/533	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-				150-JANTXV1N6354US/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		50 NA @ 137 V				180 v	1500欧姆
JANTX1N4131-1/TR	4.8412	RFQ	6111	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N4131-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 57 V				75 v	700欧姆
JANTX1N968DUR-1/TR	12.0498	RFQ	5406	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-55°C 〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N968DUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 na @ 15 V				20 v	25欧姆
JANTXV1N4988DUS/TR	51.2700	RFQ	6925	微芯片技术	MIL-PRF-19500/356	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			5 w	E-Melf	-				150-JANTXV1N4988DUS/TR	Ear99	8541.10.0050	100			1.5 V @ 1 A		2 µA @ 136.8 V				180 v	450欧姆
JANTXV1N4966DUS/TR	45.4594	RFQ	6615	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，E			5 w	D-5B	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N4966DUS/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		2 µA @ 16.7 V				22 v	5欧姆
CD4148W-O	1.4250	RFQ	5304	微芯片技术	-	大部分	积极的			表面安装	死		标准		死	-			到达不受影响	150-CD4148W-O	Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度	75 v	1.2 V @ 100 ma	5 ns	500 NA @ 75 V	-55°C 〜175°C	200mA	-
1N4121UR-1/TR	3.9400	RFQ	6103	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-					Ear99	8541.10.0050	249			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 25.1 V				33 V	200欧姆
JANTXV1N755C-1	13.3350	RFQ	7905	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N755		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		2 µA @ 5 V				7.5 v	6欧姆
JANS1N4619UR-1/TR	69.1050	RFQ	1755年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-			到达不受影响	150-JANS1N4619UR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	50			1.1 V @ 200 ma		400 na @ 1 V				3 V	1600欧姆
1N5273B/TR	2.9260	RFQ	9687	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N5273B/tr	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 ma		100 NA @ 91 V				120 v	900欧姆
JANS1N6339CUS	527.5650	RFQ	7519	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-			到达不受影响	150-JANS1N6339CUS	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		50 NA @ 33 V				43 V	65欧姆
JANS1N6324DUS/TR	412.3050	RFQ	9698	微芯片技术	MIL-PRF-19500/533	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-				150-JANS1N6324DUS/TR	Ear99	8541.10.0050	50			1.4 V @ 1 A		1 µA @ 8 V				10 v	6欧姆
1N4473C	17.7000	RFQ	4000	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do041，轴向			1.5 w	do-41	下载			到达不受影响	150-1N4473C	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		50 NA @ 17.6 V				22 v	14欧姆
JANTX1N3042BUR-1/TR	13.0739	RFQ	6982	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N3042BUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 62.2 V				82 v	200欧姆
JANS1N4583A-1	75.8700	RFQ	7839	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/452	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TA）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V				6.4 v	25欧姆
UFS350G/TR13	3.0150	RFQ	5733	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	do-215ab，SMC Gull机翼	UFS350	标准		do-215ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	500 v	1.1 V @ 3 A	50 ns	10 µA @ 500 V	-55°C 〜175°C	3a	-
JANTX1N5531DUR-1	47.2200	RFQ	6753	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N5531		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 9.9 V				11 V	80欧姆
Jan1n6326d	24.7800	RFQ	2186	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-JAN1N6326D	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		1 µA @ 9 V				12 v	7欧姆
JANTX1N978C-1	-	RFQ	5596	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	在sic中停产	±2％	-55°C 〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N978		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 39 V				51 v	125欧姆
JAN1N3826D-1/TR	19.4047	RFQ	8018	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N3826D-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		3 µA @ 1 V				5.1 v	7欧姆
JANTXV1N4493US	17.6250	RFQ	8558	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，a	1N4493		1.5 w	D-5A	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1 V @ 200 MA		250 NA @ 120 V				150 v	700欧姆
JANS1N4964C	320.7300	RFQ	4764	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	E，轴向			5 w	E，轴向	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		5 µA @ 13.7 V				18 V	4欧姆
JANTXV1N753DUR-1/TR	21.3864	RFQ	3800	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N753DUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 3.5 V				6.2 v	7欧姆
1N6677	-	RFQ	7287	微芯片技术	*	大部分	过时的									-	Rohs不合规	（1 （无限）			Ear99	8541.10.0070	1

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²