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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
1N5749B	1.8600	RFQ	7497	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5749		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			900 mv @ 10 ma		100 na @ 25 V				36 V	90欧姆
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JANS1N4481DUS	330.2550	RFQ	9724	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	-			到达不受影响	150-JANS1N4481DUS	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		50 NA @ 37.6 V				47 V	50欧姆
JANTX1N4622UR-1	9.0450	RFQ	7366	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa	1N4622		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		2.5 µA @ 2 V				3.9 v	1650年
1N3899R	48.5400	RFQ	3917	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N3899	标准，反极性		DO-203AB（DO-5）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	50 V	1.4 V @ 63 A	200 ns	50 µA @ 50 V	-65°C〜150°C	20a	150pf @ 10V，1MHz
JANTX1N3021CUR-1	37.3500	RFQ	1165	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±2％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））	1N3021		1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 8.4 V				11 V	8欧姆
CDLL748	2.8650	RFQ	2215	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL748		500兆	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		2 µA @ 1 V				3.9 v	23欧姆
1N4746A	3.6900	RFQ	7458	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4746		1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	1n4746am	Ear99	8541.10.0050	1					5 µA @ 13.7 V				18 V	20欧姆
SMBG5377C/TR13	2.8650	RFQ	3997	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-215AA，SMB海鸥翼	SMBG5377		5 w	SMBG（DO-215AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 1 A		500 NA @ 65.5 V				91 v	75欧姆
JANTX1N966C-1	5.7600	RFQ	5149	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±2％	-55°C 〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N966		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 na @ 12 V				16 V	17欧姆
1N5534A	1.8150	RFQ	8996	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-1N5534A	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 11.5 V				14 V
JAN1N6338DUS/TR	49.8300	RFQ	2909	微芯片技术	MIL-PRF-19500/533	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-				150-JAN1N6338DUS/TR	Ear99	8541.10.0050	100			1.4 V @ 1 A		50 NA @ 30 V				39 v	55欧姆
1N5991UR-1/TR	3.3516	RFQ	5799	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N5991UR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma						4.3 v
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1N3973	102.2400	RFQ	4353	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205aa，do-8，螺柱		标准		DO-205AA（DO-8）	下载			到达不受影响	150-1N3973	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	400 v	1.2 V @ 200 A		50 µA @ 400 V	-65°C 〜200°C	100a	-
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JANS1N6321US	136.0950	RFQ	6868	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，b	1N6321		500兆	B，平方米	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		2 µA @ 5 V				7.5 v	4欧姆
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Jan1n6663/tr	-	RFQ	2665	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		标准		DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N6663/TR	Ear99	8541.10.0070	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	600 v	1 V @ 400 MA		50 NA @ 600 V	-65°C〜175°C	500mA	-
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1N5525C	11.3550	RFQ	8056	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-1N5525C	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 5 V				6.2 v	30欧姆
JAN1N746CUR-1/TR	10.2410	RFQ	5529	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N746CUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 1 V				3.3 v	17欧姆
1N4464D	22.1400	RFQ	8296	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do041，轴向			1.5 w	do-41	下载			到达不受影响	150-1N4464D	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		300 NA @ 5.46 V				9.1 v	4欧姆
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JAN1N5528C-1/TR	12.6749	RFQ	4502	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N555528C-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 7.5 V				8.2 v	40欧姆
JANTX1N965DUR-1	11.9850	RFQ	2322	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±1％	-55°C 〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N965		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 na @ 11 V				15 v	16欧姆
1N825A-1E3	4.7000	RFQ	194	微芯片技术	-	包	积极的	±5％	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N825		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	1N825A-1E3MS	Ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V				5.89 v	10欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²