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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
1N3042B-1	8.1900	RFQ	2340	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N3042		1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 62.2 V				82 v	200欧姆
1N5357E3/TR12	2.6250	RFQ	2798	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5357		5 w	T-18	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 1 A		500 NA @ 14.4 V				20 v	3欧姆
CD5543D	-	RFQ	1876年	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	-			到达不受影响	150-CD5543D	Ear99	8541.10.0050	164			1.5 V @ 200 ma		10 na @ 22.4 V				25 v	100欧姆
Jan1n30303030b-1	7.6500	RFQ	9040	微芯片技术	MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±5％	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do041，轴向	1N3030		1 w	do-41	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 20.6 V				27 V	35欧姆
1 PMT4107CE3/TR13	0.4950	RFQ	7166	微芯片技术	PowerMite®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		1 w	do-216	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	12,000			1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 9.87 V				13 V	200欧姆
1N4736UR-1	3.6450	RFQ	1722年	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	-			到达不受影响	150-1N4736UR-1	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 4 V				6.8 v	3.5欧姆
SMAJ4734AE3/TR13	0.6450	RFQ	4936	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	do-214ac，SMA	SMAJ473		2 w	DO-214AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	7,500			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 2 V				5.6 v	5欧姆
CDLL4567/tr	9.6000	RFQ	7663	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	0°C〜75°C	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL4567/tr	Ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V					200欧姆
CDLL3024A	15.3000	RFQ	8820	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-55°C 〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL3024		1 w	do-213ab	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		500 NA @ 11.4 V				15 v	14欧姆
1月1N6625	11.2950	RFQ	2873	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/585	大部分	积极的			通过洞	a，轴向	1N6625	标准		a，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1000 v	1.75 V @ 1 A	30 ns	1 µA @ 1000 V	-65°C〜150°C	1a	-
JANTXV1N3026DUR-1	56.9100	RFQ	3893	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±1％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））	1N3026		1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 13.7 V				18 V	20欧姆
JANTXV1N7052UR-1	12.8250	RFQ	4636	微芯片技术	-	大部分	积极的									-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1
1N3313RA	49.3800	RFQ	4630	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	底盘，螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N3313		50 W	do-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A		10 µA @ 11.4 V				14 V	1.2欧姆
R3280	49.0050	RFQ	2713	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-R3280			1
DR-1061/TR	-	RFQ	6387	微芯片技术	-	大部分	积极的									-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-DR-1061/TR			1
JANTX1N4492	12.3300	RFQ	8759	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4492		1.5 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1 V @ 200 MA		250 na @ 104 V				130 v	500欧姆
JANTX1N6329CUS/TR	39.9450	RFQ	4889	微芯片技术	MIL-PRF-19500/533	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-				150-JANTX1N6329CUS/TR	Ear99	8541.10.0050	100			1.4 V @ 1 A		50 na @ 12 V				16 V	12欧姆
1N5261A	2.1000	RFQ	9719	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5261		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 ma		100 na @ 36 V				47 V	105欧姆
JANTXV1N3016B-1	-	RFQ	8003	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	在sic中停产	±5％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		150 µA @ 5.2 V				6.8 v	3.5欧姆
JANTXV1N4116UR-1	8.9700	RFQ	6270	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N4116		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 18.3 V				24 V	150欧姆
JAN1N4581A-1	6.5400	RFQ	3188	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/452	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4581		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V				6.4 v	25欧姆
SMBJ4752/TR13	0.8700	RFQ	3656	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ4752		2 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 25.1 V				33 V	45欧姆
SMAJ4761E3/TR13	0.6450	RFQ	8756	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-55°C〜150°C	表面安装	do-214ac，SMA	SMAJ4761		2 w	DO-214AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	7,500			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 56 V				75 v	175欧姆
1N936AE3	11.7750	RFQ	5133	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向			500兆	do-7	-			到达不受影响	150-1N936AE3	Ear99	8541.10.0050	1					10 µA @ 6 V				9 V	20欧姆
CDLL5526A/TR	5.9052	RFQ	9014	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf			500兆	do-213ab	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL5526A/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 5.5 V				6.8 v	30欧姆
1N5366BE3/TR13	0.9900	RFQ	1164	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5366		5 w	T-18	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,250			1.2 V @ 1 A		500 NA @ 28.1 V				39 v	14欧姆
CD018B-1	-	RFQ	6909	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-CDS3018B-1	Ear99	8541.10.0050	50
1N5367B/TR8	2.6850	RFQ	5913	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5367		5 w	T-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,000			1.2 V @ 1 A		500 na @ 31 V				43 V	20欧姆
JANTX1N6486CUS/TR	-	RFQ	1047	微芯片技术	MIL-PRF-19500/406	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	下载				150-JANTX1N6486CUS/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		50 µA @ 1 V				3.6 v	10欧姆
CD5532B	2.0349	RFQ	5456	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CD5532B	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 ma		50 NA @ 10.8 V				12 v	90欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²