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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
Jan1n6663/tr	-	RFQ	2665	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		标准		DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N6663/TR	Ear99	8541.10.0070	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	600 v	1 V @ 400 MA		50 NA @ 600 V	-65°C〜175°C	500mA	-
JAN1N4488CUS	27.6750	RFQ	7851	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，a	1N4488		1.5 w	D-5A	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1 V @ 200 MA		250 na @ 72.8 V				91 v	200欧姆
Jan1n4568aur-1	14.9250	RFQ	1587年	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N4568		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V				6.4 v	200欧姆
1N1206BR	34.7100	RFQ	3511	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N1206	标准，反极性		DO-4（do-203AA）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	600 v	1.2 V @ 30 A		10 µA @ 600 V	-65°C 〜200°C	12a	-
1N4584-1	26.9100	RFQ	5481	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4584		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V				6.4 v	25欧姆
LXS101-23-0	-	RFQ	4367	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	LXS101	肖特基		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	8 V	350 mv @ 1 mA		100 na @ 1 V	-55°C〜125°C	1a	1pf @ 0v，1MHz
Janhca1n5711	4.8300	RFQ	3689	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/444	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		肖特基		DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-Janhca1n5711	Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度	70 v	1 V @ 15 mA		200 na @ 50 V	-65°C〜150°C	33ma	2pf @ 0v，1MHz
JAN1N3825D-1	21.7350	RFQ	7149	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N3825		1 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 1 V				4.7 v	8欧姆
CD5376B	5.0274	RFQ	9912	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	表面安装	死			5 w	死	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CD5376B	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		500 NA @ 66 V				87 v	75欧姆
JANTXV1N4110UR-1/TR	10.1080	RFQ	4101	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N4110UR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 12.2 V				16 V	100欧姆
CD4582	10.4250	RFQ	1457	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	0°C〜75°C	表面安装	死				死	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CD4582	Ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V				6.4 v	25欧姆
JANTX1N6330US/TR	11.9168	RFQ	2987	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N6330US/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		50 na @ 14 V				18 V	14欧姆
JANTX1N972B-1	2.2200	RFQ	3504	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N972		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 21 V				27 V	41欧姆
JANTXV1N753C-1/TR	12.1429	RFQ	2185	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N753C-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 3.5 V				6.2 v	7欧姆
JAN1N746CUR-1/TR	10.2410	RFQ	5529	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N746CUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 1 V				3.3 v	17欧姆
CDLL6011	2.7150	RFQ	1087	微芯片技术	*	大部分	积极的					CDLL6011				-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1
MPP4402-206	4.8300	RFQ	9996	微芯片技术	*	大部分	积极的									-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-MPP4402-206	Ear99	8541.10.0070	100
JAN1N4581A-1	6.5400	RFQ	3188	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/452	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4581		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V				6.4 v	25欧姆
1N3042B-1	8.1900	RFQ	2340	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N3042		1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 62.2 V				82 v	200欧姆
CD5245	4.0650	RFQ	8289	微芯片技术	-	大部分	积极的	±20％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	-			到达不受影响	150-CD5245	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 ma		100 na @ 11 V				15 v	16欧姆
R3280	49.0050	RFQ	2713	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-R3280			1
CDLL5521/tr	5.9052	RFQ	8304	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL5521/tr	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		3 µA @ 1 V				4.3 v	18欧姆
Janhca1n4627d	-	RFQ	3045	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	-			到达不受影响	150-Janhca1n4627d	Ear99	8541.10.0050	100			1.1 V @ 200 ma		10 µA @ 5 V				6.2 v	1200欧姆
1N5749B	1.8600	RFQ	7497	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5749		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			900 mv @ 10 ma		100 na @ 25 V				36 V	90欧姆
1N3899R	48.5400	RFQ	3917	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N3899	标准，反极性		DO-203AB（DO-5）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	50 V	1.4 V @ 63 A	200 ns	50 µA @ 50 V	-65°C〜150°C	20a	150pf @ 10V，1MHz
JAN1N3035DUR-1	40.7250	RFQ	8581	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±1％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））	1N3035		1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 32.7 V				43 V	70欧姆
JANTX1N6349	12.4350	RFQ	6401	微芯片技术	MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6349		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		50 NA @ 84 V				110 v	500欧姆
JAN1N6632CUS	-	RFQ	1550	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，E			5 w	D-5B	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		300 µA @ 1 V				3.3 v	3欧姆
CD5532B	2.0349	RFQ	5456	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CD5532B	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 ma		50 NA @ 10.8 V				12 v	90欧姆
JANTXV1N3024CUR-1	45.5250	RFQ	5989	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±2％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））	1N3024		1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 11.4 V				15 v	14欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²