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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
S43140T	112.3200	RFQ	1061	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205aa，do-8，螺柱		标准		DO-205AA（DO-8）	-			到达不受影响	150-S43140T	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	1400 v	1.1 V @ 200 A		50 µA @ 1400 V	-65°C 〜200°C	150a	-
JANTXV1N4130D-1	28.9500	RFQ	3160	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4130		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 51.7 V				68 v	700欧姆
CDLL3039B/TR	13.7522	RFQ	9729	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf			1 w	do-213ab	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL3039B/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		500 NA @ 47.1 V				62 v	125欧姆
1N5248B-1/TR	2.2650	RFQ	4787	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-1N5248B-1/TR	Ear99	8541.10.0050	417			1.5 V @ 200 ma		100 na @ 14 V				18 V	21欧姆
R307AA0F	49.0050	RFQ	2030	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-R307AA0F			1
JANTXV1N4968C	2000年222日	RFQ	5566	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	E，轴向	1N4968		5 w	E，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		2 µA @ 20.6 V				27 V	6欧姆
JANTX1N752AR-1	4.3050	RFQ	8649	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa	1N752		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 2.5 V				5.6 v	8欧姆
1N5927P/TR12	1.8600	RFQ	9777	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5927		1.5 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	4,000			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 9.1 V				12 v	6.5欧姆
CDLL4567AE3/tr	10.7100	RFQ	4591	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	-55°C〜100°C	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V					200欧姆
JANTX1N3050C-1	-	RFQ	3746	微芯片技术	-	大部分	积极的									-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1
1N5540C	11.3550	RFQ	8386	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-1N5540C	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 18 V				20 v	100欧姆
CDLL5264A	2.9400	RFQ	8194	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL5264		10兆	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		100 NA @ 46 V				60 V	170欧姆
JANTXV1N2833B	-	RFQ	3075	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	to-204ad	1N2833		10 W	TO-204AD（TO-3）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 A		10 µA @ 47.1 V				62 v	7欧姆
JANTXV1N4618DUR-1/TR	34.0081	RFQ	8940	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N4618DUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 na @ 1 V				2.7 v	1500欧姆
UZ8113	22.4400	RFQ	4876	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	a，轴向			1 w	a，轴向	-			到达不受影响	150-UZ8113	Ear99	8541.10.0050	1					500 NA @ 98.8 V				130 v	700欧姆
JANTX1N6622/TR	19.7850	RFQ	3230	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/585	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	a，轴向		标准		a，轴向	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N6622/TR	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	660 v	1.4 V @ 1.2 A	30 ns	500 NA @ 660 V	-65°C〜150°C	2a	10pf @ 10V，1MHz
1N6014ur	3.5850	RFQ	6225	微芯片技术	*	大部分	积极的					1N6014				-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1
Jan1n3327b	-	RFQ	3878	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/358	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱			50 W	do-5	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A		10 µA @ 29.7 V				39 v	4欧姆
JANTXV1N746DUR-1	20.7300	RFQ	5705	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N746		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 1 V				3.3 v	28欧姆
JAN1N758DUR-1	14.2500	RFQ	1451	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N758		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 8 V				10 v	17欧姆
JANTX1N6912UTK2AS/TR	451.8750	RFQ	9100	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/723	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	Thinkey™2		SIC （碳化硅）		Thinkey™2	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N6912UTK2AS/TR	Ear99	8541.10.0080	1	没有恢复t> 500mA（IO）	45 v	640 mv @ 25 a		1.2 ma @ 45 V	-65°C〜150°C	25a	1000pf @ 5V，1MHz
CDLL5539C	12.1950	RFQ	1844年	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-			到达不受影响	150-CDLL5539C	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 17.1 V				19 v	100欧姆
1N5521C/TR	11.5500	RFQ	2463	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-1N5521C/TR	Ear99	8541.10.0050	100			1.1 V @ 200 ma		3 µA @ 1.5 V				4.3 v	18欧姆
JANTXV1N5542BUR-1/TR	17.2900	RFQ	8276	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N5542BUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 NA @ 21.6 V				24 V	100欧姆
JANTXV1N5535B-1/TR	8.2327	RFQ	5087	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N555535B-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 13.5 V				15 v	100欧姆
1N5993D/tr	4.7747	RFQ	6315	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N5993D/tr	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		2 µA @ 2 V				5.1 v	50欧姆
CDS5528BUR-1	-	RFQ	2821	微芯片技术	-	大部分	积极的									-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDS5528BUR-1	Ear99	8541.10.0050	1
1N6488US	13.8900	RFQ	4817	微芯片技术	MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a	1N6488		1.5 w	a，平方米	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		5 µA @ 1 V				4.3 v	9欧姆
JANTXV1N4496US	17.6250	RFQ	2714	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，a	1N4496		1.5 w	D-5A	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1 V @ 200 MA		250 NA @ 160 V				200 v	1500欧姆
1 PMT5925A/TR13	2.2200	RFQ	7831	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		3 W	do-216aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	12,000			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 8 V				10 v	4.5欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²