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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	电容比条件	q @ vr，f
KV2123-450A/TR	-	RFQ	5943	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜125°C	表面安装	2-SMD，没有铅	KV2123			-	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-KV2123-450A/TR	Ear99	8541.10.0040	1								0.55pf @ 20V，1MHz	单身的	22 v			-	1000 @ 4V，50MHz
CD3155A	13.5300	RFQ	8481	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	死				死	-			到达不受影响	150-CD3155A	Ear99	8541.10.0050	1											8.4 v	25欧姆
JAN1N4571A-1	5.3550	RFQ	2099	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/452	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4571		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V						6.4 v	100欧姆
Janhca1n827	13.8600	RFQ	6966	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/159	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-Janhca1n827	Ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V						6.2 v	15欧姆
CDLL5264B/TR	3.3516	RFQ	2584	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf			10兆	do-213ab	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL5264B/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		100 NA @ 46 V						60 V	170欧姆
Janhca1n4135d	-	RFQ	1554年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	-			到达不受影响	150-Janhca1n4135d	Ear99	8541.10.0050	100			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 76 V						100 v	1500欧姆
1月1N4133-1	3.5250	RFQ	3096	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4133			DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 66.2 V						87 v	1000欧姆
Jan1n7054ur-1	9.1500	RFQ	3064	微芯片技术	*	大部分	积极的					1N7054				-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1
jankca1n4565a	-	RFQ	4802	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜100°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANKCA1N4565A	Ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V						6.4 v	200欧姆
1N937B-1/TR	10.1550	RFQ	6377	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-1N937B-1/TR	Ear99	8541.10.0050	100											9 V	20欧姆
JANTXV1N748A-1/TR	4.0831	RFQ	7371	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N748A-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		2 µA @ 1 V						3.9 v	23欧姆
1 PMT5952BE3/TR7	0.7350	RFQ	1316	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		3 W	do-216aa	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 98.8 V						130 v	450欧姆
1N4480US/TR	11.6100	RFQ	8991	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	-					Ear99	8541.10.0050	100			1.5 V @ 1 A		50 NA @ 34.4 V						43 V	40欧姆
1N986B/tr	2.0083	RFQ	4074	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向			500兆	do-7	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N986B/tr	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 83.6 V						110 v	750欧姆
1N1675	158.8200	RFQ	6930	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205ab，do-9，螺柱		标准		DO-205AB（DO-9）	下载			到达不受影响	150-1N1675	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	400 v	1.3 V @ 300 A		75 µA @ 400 V	-65°C 〜190°C	275a	-
CDLL4153	1.1571	RFQ	1091	微芯片技术	-	大部分	积极的			表面安装	do-213aa	CDLL4153	标准		do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度	75 v	880 mv @ 20 ma	4 ns	50 na @ 50 V	-65°C〜175°C	150mA	2pf @ 0v，1MHz
Jan1n3912a	-	RFQ	8338	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/308	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱		标准		do-5	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	300 v	1.4 V @ 50 A	150 ns		-65°C〜150°C	50a	-
JANS1N5712UBD	161.1300	RFQ	9114	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/444	大部分	积极的			表面安装	4-SMD，没有铅		肖特基		UB	-			到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度	16 V	1 V @ 35 MA		150 na @ 16 V	-65°C〜150°C		2pf @ 0v，1MHz
CDLL5256	2.8650	RFQ	1060	微芯片技术	-	大部分	积极的	±20％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL5256			do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		100 na @ 23 V						30 V	49欧姆
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CDLL4570	7.3800	RFQ	1191	微芯片技术	-	大部分	积极的	-	0°C〜75°C	表面安装	do-213aa	CDLL4570		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V							100欧姆
JANTXV1N4478US/TR	15.7073	RFQ	4253	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N4478US/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1 V @ 200 MA		50 NA @ 28.8 V						36 V	27欧姆
JANTXV1N5711-1/TR	34.0800	RFQ	8546	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/444	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		肖特基		DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N5711-1/TR	Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度	50 V	1 V @ 15 mA		200 na @ 50 V	-65°C〜150°C	33ma	2pf @ 0v，1MHz
SBR2530	46.5900	RFQ	6026	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	SBR25	肖特基		DO-4（do-203AA）	-			到达不受影响	150-SBR2530	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	30 V	1 V @ 25 A		2 ma @ 30 V	-	25a	-
JANS1N5418US	70.4400	RFQ	1173	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/411	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，b		标准		B，平方米	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	400 v	1.5 V @ 9 A	150 ns	1 µA @ 150 V	-65°C〜175°C	3a	-
CDLL5236D	8.4150	RFQ	1643年	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa			10兆	do-213aa	-			到达不受影响	150-CDLL5236D	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		3 µA @ 6 V						7.5 v	6欧姆
JANTXV1N4111C-1/TR	20.6815	RFQ	5348	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N4111C-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		50 na @ 13 V						17 V	100欧姆
1月1N7053-1/tr	7.8000	RFQ	8695	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			250兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N7053-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					5 µA @ 1.5 V						4.8 v	35欧姆
UFS505J/TR13	3.7650	RFQ	8060	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的					UFS505				-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000
JAN1N3024D-1/TR	19.3515	RFQ	8290	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N3024D-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 11.4 V						15 v	14欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²