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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	电容比	电容比条件	q @ vr，f
JANS1N4618C-1	124.5750	RFQ	7635	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 na @ 1 V						2.7 v	1500欧姆
1 PMT5932E3/TR7	0.7350	RFQ	9520	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		3 W	do-216aa	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 15.2 V						20 v	14欧姆
Janhce1n5802	15.9600	RFQ	3821	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/561	大部分	积极的			表面安装	死		标准		死	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-Janhce1N5802	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	50 V	875 mv @ 1 a	25 ns	1 µA @ 50 V	-65°C〜175°C	1a	25pf @ 10V，1MHz
JANS1N4983US	92.0400	RFQ	1376	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，E			5 w	D-5B	-			到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		2 µA @ 83.6 V						110 v	125欧姆
Jan1n4985us/tr	13.4100	RFQ	5563	微芯片技术	MIL-PRF-19500/356	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			5 w	E-Melf	-				150-JAN1N4985US/TR	Ear99	8541.10.0050	100			1.5 V @ 1 A		2 µA @ 98.8 V						130 v	190欧姆
JANTXV1N3043C-1	38.0400	RFQ	4273	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±2％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N3043		1 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 69.2 V						91 v	250欧姆
Jan1n6488us/tr	-	RFQ	6691	微芯片技术	MIL-PRF-19500/406	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	下载				150-JAN1N6488US/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		5 µA @ 1 V						4.3 v	9欧姆
Jan1n4109ur-1/tr	5.1870	RFQ	5748	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）				do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N4109UR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 11.4 V						15 v	100欧姆
JANS1N6872UTK2/TR	608.5500	RFQ	7398	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	Thinkey™2		肖特基		Thinkey™2	-			到达不受影响	150-JANS1N6872UTK2/tr			50	-					-	-	-
MV31011-P00	-	RFQ	4216	微芯片技术	-	托盘	积极的		-55°C 〜175°C	表面安装	死				芯片	-			到达不受影响	150-MV31011-P00	Ear99	8541.10.0040	1								0.5pf @ 4V，1MHz	单身的	22 v			5.5	C2/C20	4000 @ 4V，50MHz
JANTX1N6873UTK2AS/TR	413.4000	RFQ	6774	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-			到达不受影响	150-JANTX1N6873UTK2AS/TR			100
SMBJ5358CE3/TR13	1.0800	RFQ	3189	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5358		5 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 1 A		500 NA @ 15.8 V						22 v	3.5欧姆
1N6023UR-1/tr	3.7400	RFQ	8018	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-					Ear99	8541.10.0050	264			1.1 V @ 200 ma								91 v
CD5712V	1.8900	RFQ	4710	微芯片技术	-	大部分	积极的			表面安装	死		肖特基		死	-			到达不受影响	150-CD5712V	Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度	16 V	1 V @ 35 MA		150 na @ 16 V	-55°C〜125°C	35mA	1.2pf @ 0v，1MHz
JAN1N4099DUR-1	27.9150	RFQ	2262	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N4099			do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 5.2 V						6.8 v	200欧姆
1N5926BUR-1	4.0650	RFQ	2295	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	1N5926		1.25 w	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 8.4 V						11 V	5.5欧姆
1N4751E3/TR13	0.8100	RFQ	3615	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4751		1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	5,000			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 22.8 V						30 V	40欧姆
Jan1n4578a-1/tr	9.0300	RFQ	4198	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/452	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N4578A-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V						6.4 v	50欧姆
1n4739ur	3.4650	RFQ	9584	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	-			到达不受影响	150-1N4739ur	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 7 V						9.1 v	5欧姆
SMBG5379CE3/TR13	1.4400	RFQ	2548	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-215AA，SMB海鸥翼	SMBG5379		5 w	SMBG（DO-215AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 1 A		500 NA @ 79.2 V						110 v	125欧姆
JANTX1N6642UBCA	-	RFQ	7935	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/578	大部分	在sic中停产			表面安装	3-SMD，没有铅		标准		UB	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	75 v	1.2 V @ 100 ma	20 ns	500 NA @ 75 V	-65°C〜175°C	300mA	-
1N5417-1/tr	5.0250	RFQ	6540	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	轴向		标准，反极性		b	-			到达不受影响	150-1N5417-1/tr	Ear99	8541.10.0080	188	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	200 v	1.5 V @ 9 A	150 ns	1 µA @ 200 V	-65°C〜175°C	3a	-
1月1N977D-1/tr	5.8919	RFQ	9000	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N977D-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 na @ 36 V						47 V	105欧姆
JANTX1N4099C-1/TR	11.4380	RFQ	1361	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N4099C-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 5.2 V						6.8 v	200欧姆
CDLL5281B/TR	2.9526	RFQ	2535	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf				do-213ab	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL5281B/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		100 NA @ 144 V						200 v	2500欧姆
CDLL5236	2.8650	RFQ	4343	微芯片技术	-	大部分	积极的	±20％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL5236		10兆	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		3 µA @ 6 V						7.5 v	6欧姆
JANTX1N6912UTK2	-	RFQ	3130	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/723	大部分	积极的			表面安装	Thinkey™2		SIC （碳化硅）		Thinkey™2	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	没有恢复t> 500mA（IO）	45 v	640 mv @ 25 a		1.2 ma @ 45 V	-65°C〜150°C	25a	1000pf @ 5V，1MHz
JANTX1N3016D-1	31.9500	RFQ	9307	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±1％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N3016		1 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		150 µA @ 5.2 V						6.8 v	3.5欧姆
UPS5100E3/TR13	0.7200	RFQ	27	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	PowerMite®3	UPS5100	肖特基		Powermite 3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	5,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	100 v	810 MV @ 5 A		200 µA @ 100 V	-55°C〜125°C	5a	150pf @ 4V，1MHz
cdll4131/tr	3.3516	RFQ	8087	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf			500兆	do-213ab	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL4131/tr	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 57 V						75 v	700欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²