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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	电容比条件	q @ vr，f
CDLL4749A	3.5400	RFQ	2493	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL4749			do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		100 na @ 18.2 V						24 V	25欧姆
JAN1N4121C-1/TR	9.4430	RFQ	2079	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N4121C-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 25.1 V						33 V	200欧姆
1N5253BUR-1	2.8650	RFQ	1335	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa	1N5253		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		100 na @ 19 V						25 v	35欧姆
UFS370G/TR13	3.0150	RFQ	1439	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	do-215ab，SMC Gull机翼	UFS370	标准		do-215ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		700 v		1.2 V @ 3 A	60 ns	10 µA @ 700 V	-55°C 〜175°C	3a	-
1N4743PE3/TR8	0.9150	RFQ	2889	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4743		1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,500					1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 9.9 V						13 V	10欧姆
1N4750AR	3.4650	RFQ	9250	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	1N4750		1 w	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 20.6 V						27 V	35欧姆
JANTXV1N6491US/TR	-	RFQ	2146	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N6491US/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		500 na @ 2 V						5.6 v	5欧姆
JANTXV1N3041BUR-1/TR	16.1196	RFQ	8827	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N3041BUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 56 V						75 v	175欧姆
JANTX1N6633US/TR	301.6706	RFQ	1244	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，E			5 w	D-5B	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N6633US/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		250 µA @ 1 V						3.6 v	2.5欧姆
1N5236BUR-1/TR	3.0900	RFQ	2089	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-					Ear99	8541.10.0050	323					1.1 V @ 200 ma		3 µA @ 6 V						7.5 v	6欧姆
JANTX1N4967CUS/TR	24.7500	RFQ	8185	微芯片技术	MIL-PRF-19500/356	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			5 w	E-Melf	-				150-JANTX1N4967CUS/TR	Ear99	8541.10.0050	100					1.5 V @ 1 A		2 µA @ 18.2 V						24 V	5欧姆
CDLL5252	2.8650	RFQ	9548	微芯片技术	-	大部分	积极的	±20％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL5252		10兆	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		100 na @ 18 V						24 V	33欧姆
SMBJ5369CE3/TR13	1.0800	RFQ	1251	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5369		5 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 1 A		500 NA @ 36.7 V						51 v	27欧姆
CDLL5521A	6.4800	RFQ	8889	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL5521		500兆	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		3 µA @ 1 V						4.3 v	18欧姆
JANTX1N4115CUR-1/TR	21.7056	RFQ	7776	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N4115CUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 16.8 V						22 v	150欧姆
CDLL5533A/TR	5.9052	RFQ	5808	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf			500兆	do-213ab	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL5533A/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 10.5 V						13 V	90欧姆
1N827AUR-1E3/TR	10.6650	RFQ	6229	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N827AUR-1E3/tr	Ear99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V						6.2 v	10欧姆
1N3342RB	49.3800	RFQ	8271	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	底盘，螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N3342		50 W	do-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 10 A		10 µA @ 83 V						110 v	30欧姆
Jan1n3890r	333.0150	RFQ	6587	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/304	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱		标准		DO-203AA（DO-4）	-			到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		100 v		1.5 V @ 20 A	150 ns	10 µA @ 100 V	-65°C〜175°C	12a	115pf @ 10V，1MHz
JANTX1N4126UR-1/TR	8.5652	RFQ	7307	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N4126UR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 NA @ 38.8 V						51 v	300欧姆
JAN1N5525CUR-1	37.0200	RFQ	2972	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N5525		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 5 V						6.2 v	30欧姆
1N5988	3.4050	RFQ	8475	微芯片技术	-	大部分	积极的	±20％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-1N5988	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		75 µA @ 500 mV						3.3 v	100欧姆
JANS1N4121-1	33.7800	RFQ	3783	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 25.1 V						33 V	200欧姆
APT30D30BCTG	5.1200	RFQ	87	微芯片技术	-	管子	积极的			通过洞	TO-247-3	APT30	标准		TO-247 [B]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	300 v	30a	1.4 V @ 30 A	25 ns	250 µA @ 300 V	-55°C〜150°C
JANTX1N3157-1/TR	-	RFQ	5304	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/158	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N3157-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 2 A		10 µA @ 5.5 V						8.8 v	15欧姆
R31100	49.0050	RFQ	1487	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-R31100			1
KVX2162-23-0/TR	7.6500	RFQ	6618	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜125°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	KVX2162			SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,000										26pf @ 0v，1MHz	单身的	22 v			-	400 @ 4V，50MHz
SMBJ5376B/TR13	1.6650	RFQ	6214	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5376		5 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 1 A		500 NA @ 63 V						87 v	75欧姆
JANS1N4618C-1	124.5750	RFQ	7635	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		500 na @ 1 V						2.7 v	1500欧姆
1 PMT5932E3/TR7	0.7350	RFQ	9520	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		3 W	do-216aa	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 15.2 V						20 v	14欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²