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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
1N5941BP/TR12	1.8900	RFQ	9651	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5941		1.5 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	4,000			1.2 V @ 200 ma	1 µA @ 35.8 V				47 V	67欧姆
Jan1n3038bur-1	12.7350	RFQ	2306	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））	1N3038		1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma	10 µA @ 42.6 V				56 v	110欧姆
JANTXV1N4099UR-1	15.9750	RFQ	2649	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TA）	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	1 µA @ 5.17 V				6.8 v	200欧姆
1N4911/tr	106.9350	RFQ	8480	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-25°C〜100°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向			400兆	do-7	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N4911/tr	Ear99	8541.10.0050	1								12.8 v	50欧姆
JANTXV1N6341CUS	57.1050	RFQ	7538	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-			到达不受影响	150-JANTXV1N6341CUS	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A	50 NA @ 39 V				51 v	85欧姆
1N1183R	75.5700	RFQ	1631年	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N1183	标准，反极性		DO-203AB（DO-5）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	1N1183RMS	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	50 V	1.19 V @ 90 A	10 µA @ 50 V	-65°C 〜200°C	40a	-
2EZ75D5	2.6700	RFQ	10	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	2EZ75		2 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	4,000			1.2 V @ 200 ma	500 NA @ 56 V				75 v	90欧姆
1N5355CE3/TR13	1.3350	RFQ	2331	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5355		5 w	T-18	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,250			1.2 V @ 1 A	500 NA @ 13 V				18 V	2.5欧姆
Jan1n4476dus/tr	35.2500	RFQ	5471	微芯片技术	MIL-PRF-19500/406	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	-				150-JAN1N4476DUS/TR	Ear99	8541.10.0050	100			1.5 V @ 1 A	50 NA @ 24 V				30 V	20欧姆
1N2819RB	96.0150	RFQ	8297	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	to-204ad	1N2819		50 W	TO-204AD（TO-3）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A	10 µA @ 16.7 V				22 v	2.5欧姆
CDLL5276A	3.5850	RFQ	8591	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C 〜200°C	表面安装	do-213aa				do-213aa	-			到达不受影响	150-CDLL5276A	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	100 NA @ 108 V				150 v	1500欧姆
CDS749A-1/TR	-	RFQ	8103	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-			到达不受影响	150-CDS749A-1/TR	Ear99	8541.10.0050	50
1N1201B	34.7100	RFQ	8915	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N1201	标准		DO-4（do-203AA）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	1N1201BMS	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	150 v	1.2 V @ 30 A	10 µA @ 150 V	-65°C 〜200°C	12a	-
JANTX1N3342B	-	RFQ	2848	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/358	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱			50 W	do-5	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A	10 µA @ 83 V				110 v	30欧姆
1N5985D	5.1900	RFQ	7946	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5985		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	100 µA @ 1 V				2.4 v	100欧姆
CDLL5523BE3/tr	6.0781	RFQ	6496	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL5523BE3/tr	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	2 µA @ 2.5 V				5.1 v	26欧姆
1 PMT5930A/TR7	2.2200	RFQ	8291	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		3 W	do-216aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 200 ma	1 µA @ 12.2 V				16 V	10欧姆
1N4966US	9.1950	RFQ	2848	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，E	1N4966		5 w	D-5B	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A	2 µA @ 16.7 V				22 v	5欧姆
Jan1n4481us	10.8150	RFQ	9292	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，a	1N4481		1.5 w	D-5A	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1 V @ 200 MA	50 NA @ 37.6 V				47 V	50欧姆
JANTXV1N3037CUR-1/TR	41.0438	RFQ	4142	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N3037CUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma	10 µA @ 38.8 V				51 v	95欧姆
JANTXV1N5541BUR-1/TR	17.2900	RFQ	8763	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N5541BUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	10 na @ 19.8 V				22 v	100欧姆
SMBJ5360A/TR13	1.6350	RFQ	8592	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5360		5 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 1 A	500 na @ 18 V				25 v	4欧姆
MSASC100W30H/TR	-	RFQ	1216	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-			到达不受影响	150-MSASC100W30H/TR			100
JANTXV1N3038C-1	38.0400	RFQ	6875	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±2％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N3038		1 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma	10 µA @ 42.6 V				56 v	110欧姆
JANS1N6332DUS	527.5650	RFQ	6584	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-			到达不受影响	150-JANS1N6332DUS	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A	50 na @ 17 V				22 v	20欧姆
1N5936BP/TR8	1.8900	RFQ	1266	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5936		1.5 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,500			1.2 V @ 200 ma	1 µA @ 22.8 V				30 V	28欧姆
55HQ030	169.6050	RFQ	1029	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱		肖特基		do-5	-			到达不受影响	55HQ030MS	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	30 V	480 mv @ 60 a		-65°C〜150°C	60a	-
1N3040BUR-1	15.3000	RFQ	5876	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	1N3040		1 w	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma	10 µA @ 51.7 V				68 v	150欧姆
1月1N965BUR-1	3.5100	RFQ	8956	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N965		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	500 na @ 11 V				15 v	16欧姆
JAN1N3025D-1/TR	19.3515	RFQ	6018	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N3025D-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma	10 µA @ 12.2 V				16 V	16欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²