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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
Janhca1n5536d	-	RFQ	1976年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-Janhca1n5536d	Ear99	8541.10.0050	100			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 14.4 V				16 V	100欧姆
JANTX1N3025BUR-1	14.5800	RFQ	6373	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））	1N3025		1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 12.2 V				16 V	16欧姆
JAN1N4107C-1/TR	8.1529	RFQ	1831年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N4107C-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 9.9 V				13 V	200欧姆
JANTX1N6621US	14.4600	RFQ	9978	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/585	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，a	1N6621	标准		D-5A	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	440 v	1.4 V @ 1.2 A	30 ns	500 NA @ 440 V	-65°C〜150°C	2a	10pf @ 10V，1MHz
1N3662	41.6850	RFQ	9164	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	DO-208AA		标准		do-21	下载			到达不受影响	150-1N3662	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	300 v	1.1 V @ 35 A		10 µA @ 300 V	-65°C〜175°C	35a	-
1N6779	302.0100	RFQ	8207	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	TO-257-3		标准		TO-257	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	600 v	1.6 V @ 15 A	60 ns	10 µA @ 480 V	150°C （最大）	15a	300pf @ 5V，1MHz
Jan1n4584aur-1	29.1750	RFQ	3241	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/452	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N4584		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V				6.4 v	25欧姆
JANTXV1N3343RB	-	RFQ	7932	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/358	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱			50 W	do-5	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A		10 µA @ 91.2 V				120 v	40欧姆
1n6321us/tr	13.1404	RFQ	1567年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N6321US/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		2 µA @ 5 V				7.5 v	4欧姆
1N5712UR-1/TR	12.3000	RFQ	6247	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/444	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	do-213aa		肖特基		do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N5712UR-1/TR	Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度	16 V	1 V @ 35 MA		150 na @ 16 V	-65°C〜150°C	75mA	2pf @ 0v，1MHz
1N5526A	1.6093	RFQ	1403	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N5526A	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 5.5 V				6.8 v
JANTX1N4121CUR-1/TR	21.7056	RFQ	1432	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N4121CUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 25.1 V				33 V	200欧姆
UZ7816	468.9900	RFQ	3848	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	螺柱坐骑	螺柱			10 W	轴向	-			到达不受影响	150-UZ7816	Ear99	8541.10.0050	1					20 µA @ 11.5 V				16 V	2.5欧姆
JANTXV1N6316CUS	54.8400	RFQ	1384	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b	1N6316		500兆	B，平方米	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		5 µA @ 1.5 V				4.7 v	17欧姆
JANTXV1N3823DUR-1/TR	55.1418	RFQ	2878	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N3823DUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		25 µA @ 1 V				3.9 v	9欧姆
1月1N4466	8.4300	RFQ	7286	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4466		1.5 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1 V @ 200 MA		300 NA @ 8.8 V				11 V	6欧姆
CDLL4763A	3.4650	RFQ	6524	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL4763			do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		100 na @ 69.2 V				91 v	250欧姆
JANTX1N6659R	298.6050	RFQ	8894	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	TO-254-3，TO-254AA（（TO-254AA））		标准		TO-254	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	200 v	1.2 V @ 20 A	35 ns	10 µA @ 200 V	-	15a	150pf @ 10V，1MHz
30HFU-300	93.8250	RFQ	8131	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱		标准		DO-203AB（DO-5）	-			到达不受影响	150-30HFU-300			1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	300 v				-65°C〜175°C	-	-
1N5531D-1	8.6850	RFQ	5913	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 9.9 V				11 V	80欧姆
SMAJ4748E3/TR13	0.6450	RFQ	9398	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-55°C〜150°C	表面安装	do-214ac，SMA	SMAJ4748		2 w	DO-214AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	7,500			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 16.7 V				22 v	23欧姆
Jan1n4474d	26.2200	RFQ	8914	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4474		1.5 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1 V @ 200 MA		50 na @ 19.2 V				24 V	16欧姆
1N4148-1E3	1.8200	RFQ	371	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4148	标准		DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度	75 v	1.2 V @ 100 ma	20 ns	500 NA @ 75 V	-65°C〜175°C	200mA	4pf @ 0v，1MHz
R4350	102.2400	RFQ	8305	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205aa，do-8，螺柱		标准		DO-205AA（DO-8）	-			到达不受影响	150-R4350	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	500 v	1.1 V @ 200 A		50 µA @ 500 V	-65°C 〜200°C	150a	-
JANS1N4982D	374.1920	RFQ	9612	微芯片技术	-	大部分	积极的									下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N4982D	Ear99	8541.10.0050	1
1N6310	8.4150	RFQ	1984	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6310		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		60 µA @ 1 V				2.7 v	30欧姆
1N4626/tr	2.8050	RFQ	7463	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向			500兆	do-7	-			到达不受影响	150-1N4626/tr	Ear99	8541.10.0050	336			1.1 V @ 200 ma		10 µA @ 4 V				5.6 v	1400欧姆
CDLL5235D/TR	8.5950	RFQ	3429	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa			10兆	do-213aa	-			到达不受影响	150-CDLL5235D/TR	Ear99	8541.10.0050	110			1.1 V @ 200 ma		3 µA @ 5 V				6.8 v	5欧姆
SMBG5372C/TR13	2.8650	RFQ	9931	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-215AA，SMB海鸥翼	SMBG5372		5 w	SMBG（DO-215AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 1 A		500 NA @ 44.6 V				62 v	42欧姆
JANTXV1N5969DUS/TR	-	RFQ	2286	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，E	1N5969		5 w	E-Melf	下载				150-JANTXV1N5969DUS/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		1 mA @ 4.74 V				6.2 v	1欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²