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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
1N2972A	36.9900	RFQ	7190	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	底盘，螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N2972		10 W	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 A		50 µA @ 6.2 V				8.2 v	1.5欧姆
CDLL5267B	3.5850	RFQ	9098	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL5267		10兆	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		100 na @ 56 V				75 v	270欧姆
1N5926A	3.0300	RFQ	7726	微芯片技术	MIL-PRF-19500	大部分	积极的	±10％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do041，轴向	1N5926		1.25 w	do-41	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 8.4 V				11 V	5.5欧姆
1N3271R	158.8200	RFQ	6282	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205ab，do-9，螺柱	1N3271	标准，反极性		DO-205AB（DO-9）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	1N3271RMS	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	800 v	1.3 V @ 300 A		75 µA @ 800 V	-65°C 〜190°C	275a	-
JANTXV1N987B-1/TR	-	RFQ	4129	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TA）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N987B-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.3 V @ 200 ma		5 µA @ 91.2 V				120 v	900欧姆
Jan1n4489c	20.3700	RFQ	3002	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4489		1.5 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1 V @ 200 MA		250 na @ 80 V				100 v	250欧姆
JANTXV1N6642UBD	34.5000	RFQ	2909	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/578	大部分	积极的			表面安装	3-SMD，没有铅	1N6642	标准		UB	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	75 v	1.2 V @ 100 ma	20 ns	500 NA @ 75 V	-65°C〜175°C	300mA	-
1N6327DUS/TR	32.5983	RFQ	4177	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N6327DUS/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		50 NA @ 9.9 V				13 V	8欧姆
1月1N4942	4.9950	RFQ	1987	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/359	大部分	积极的			通过洞	a，轴向	1N4942	标准		a，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	200 v	1.3 V @ 1 A	150 ns	1 µA @ 200 V	-65°C〜175°C	1a	-
JANTX1N5195/TR	-	RFQ	2351	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/118	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		标准		do-35	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N5195/TR	Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度	180 v	1 V @ 100 ma		1 µA @ 200 V	-65°C〜175°C	200mA	-
JANTXV1N4134C-1/TR	20.6815	RFQ	4047	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N4134C-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 69.2 V				91 v	1200欧姆
UZ5824	32.2650	RFQ	6835	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	通过洞	B，轴向			5 w	B，轴向	-			到达不受影响	150-UZ5824	Ear99	8541.10.0050	1					10 µA @ 18.2 V				24 V	5欧姆
JANTXV1N4370AR-1	10.2450	RFQ	2187	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N4370		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		100 µA @ 1 V				2.4 v	30欧姆
JANTXV1N5542DUR-1/TR	55.0221	RFQ	1423	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N5542DUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 NA @ 21.6 V				24 V	100欧姆
JANS1N4626D-1/TR	71.0904	RFQ	6525	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N4626D-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 4 V				5.6 v	1.4欧姆
JANS1N4492DUS/TR	330.4050	RFQ	7896	微芯片技术	MIL-PRF-19500/406	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	-				150-JANS1N4492DUS/TR	Ear99	8541.10.0050	50			1.5 V @ 1 A		250 na @ 104 V				130 v	500欧姆
1N728A	1.9200	RFQ	7885	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N728		250兆	do-35	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1									39 v	70欧姆
JANS1N4460D	258.8850	RFQ	1595年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1.5 w	do-41	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		10 µA @ 3.72 V				6.2 v	4欧姆
R414	102.2400	RFQ	9643	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-R414			1
JANTX1N3827CUR-1	40.6950	RFQ	3314	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））	1N3827		1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		3 µA @ 2 V				5.6 v	5欧姆
1 pmt4133e3/tr13	0.4950	RFQ	2081	微芯片技术	PowerMite®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午4133		1 w	do-216	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	12,000			1.1 V @ 200 ma		10 NA @ 66.12 V				87 v	250欧姆
Jan1n5819ur-1/tr	10.0650	RFQ	3690	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/586	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））	1N5819	肖特基		DO-213AB（梅尔，LL41）	下载			到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	100	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	45 v	490 mv @ 1 A		50 µA @ 45 V	-65°C〜125°C	1a	70pf @ 5V，1MHz
SMBJ5349B/TR13	1.6650	RFQ	6126	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5349		5 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 1 A		2 µA @ 8.6 V				12 v	2.5欧姆
1N6818R	259.3500	RFQ	3047	微芯片技术	-	大部分	积极的			表面安装	Thinkey™3		肖特基，反极性		Thinkey™3	-			到达不受影响	150-1N6818R	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	45 v	650 MV @ 75 A		7.5 ma @ 45 V	-55°C〜150°C	75a	-
Jan1n2825b	-	RFQ	4127	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/114	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	to-204ad	1N2825		50 W	TO-204AD（TO-3）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A		10 µA @ 27.4 V				36 V	3.5欧姆
JANTXV1N967DUR-1/TR	21.6258	RFQ	3107	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N967DUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 na @ 14 V				18 V	21欧姆
CDLL4109C/TR	7.7700	RFQ	6327	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-			到达不受影响	150-CDLL4109C/TR	Ear99	8541.10.0050	122			1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 11.4 V				15 v	100欧姆
1N6010ur/tr	3.7350	RFQ	3556	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-				150-1N6010ur/tr	Ear99	8541.10.0050	264			1.1 V @ 200 ma						27 V
1N5928AE3/TR13	-	RFQ	9039	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5928		1.5 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	5,000			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 9.9 V				13 V	7欧姆
CDLL989B	4.6950	RFQ	8300	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-	表面安装	DO-213AA（）	CDLL989		500兆	do-213aa	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1									150 v	1500欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²