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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
1N5819	8.0100	RFQ	3295	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	do-204al，do041，轴向	1N5819	肖特基		do-41	-			到达不受影响	150-1N5819	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		45 v		490 mv @ 1 A		50 µA @ 45 V	-65°C〜125°C	1a	70pf @ 5V，1MHz
CDLL4923/tr	23.8200	RFQ	3902	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜100°C	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL4923/tr	Ear99	8541.10.0050	1							15 µA @ 12 V				19.2 v	150欧姆
JANTXV1N3911AR	-	RFQ	6713	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/308	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱		标准		do-5	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		200 v		1.4 V @ 50 A	150 ns		-65°C〜150°C	50a	-
JANTXV1N7047CCT3	143.6100	RFQ	1846年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/737	大部分	积极的			通过洞	TO-257-3		肖特基		TO-257	-			到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	150 v	16a	1.13 V @ 16 A		500 µA @ 150 V	-65°C〜150°C
JANTX1N4148-1	0.8600	RFQ	3	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/116	大部分	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4148	标准		do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度		75 v		1.2 V @ 100 ma	20 ns	500 NA @ 75 V	-65°C〜175°C	200mA	4pf @ 0v，1MHz
1N6490	11.1000	RFQ	4636	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1.5 w	do-41	-			到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		1 µA @ 1 V				5.1 v	7欧姆
JANTXV1N6487US/TR	-	RFQ	8595	微芯片技术	MIL-PRF-19500/406	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	下载				150-JANTXV1N6487US/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		35 µA @ 1 V				3.9 v	9欧姆
JANTX1N3028C-1/TR	22.7962	RFQ	1420	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N3028C-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 16.7 V				22 v	23欧姆
HSM845GE3/TR13	1.3950	RFQ	7753	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	do-215ab，SMC Gull机翼	HSM845	肖特基		do-215ab	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		45 v		620 MV @ 8 A		250 µA @ 45 V	-55°C 〜175°C	8a	-
JANTXV1N4121D-1	28.9500	RFQ	1879年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4121		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 25.1 V				33 V	200欧姆
JANTX1N4623-1	4.3050	RFQ	2324	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4623		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		4 µA @ 2 V				4.3 v	1600欧姆
CDLL4111	4.6350	RFQ	9360	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL4111		500兆	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		50 na @ 13 V				17 V	100欧姆
1N5811urs	34.1700	RFQ	5631	微芯片技术	-	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，b		标准		B，平方米	-			到达不受影响	150-1N5811urs	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		150 v		875 mv @ 4 A	30 ns	5 µA @ 150 V	-65°C〜175°C	3a	60pf @ 10V，1MHz
APT40DQ60BG	1.8300	RFQ	7	微芯片技术	-	管子	积极的			通过洞	TO-247-2	APT40DQ60	标准		TO-247 [B]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	30	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		600 v		2.4 V @ 40 A	25 ns	25 µA @ 600 V	-55°C 〜175°C	40a	-
1月1N4958C	14.9250	RFQ	4862	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	E，轴向	1N4958		5 w	E，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		25 µA @ 7.6 V				10 v	2欧姆
JANS1N4565AR-1	85.8150	RFQ	5436	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/452	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TA）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V				6.4 v	200欧姆
JANS1N5550	81.1500	RFQ	1982	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/420	大部分	积极的			通过洞	B，轴向		标准		B，轴向	-			到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		200 v		1.2 V @ 9 A	2 µs		-65°C〜175°C	5a	-
CDLL3827/tr	9.1371	RFQ	9033	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf			1 w	do-213ab	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL3827/tr	Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		3 µA @ 1 V				5.6 v	5欧姆
CDS5541BUR-1/TR	-	RFQ	1461	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-			到达不受影响	150-CDS5541BUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	50
1月1N6771R	-	RFQ	2862	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	TO-257-3		标准		TO-257	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		200 v		1.06 V @ 8 A	35 ns	10 µA @ 160 V	-	8a	150pf @ 5V，1MHz
1N5242B	3.5200	RFQ	260	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5242		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	1N5242BMS	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 200 ma		1 µA @ 9.1 V				12 v	30欧姆
JANTXV1N5711UB/TR	66.3300	RFQ	7889	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/444	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	4-SMD，没有铅		肖特基		UB	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N5711UB/TR	Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度		50 V		1 V @ 15 mA		200 na @ 50 V	-65°C〜150°C		2pf @ 0v，1MHz
JANTX1N3821AUR-1/TR	14.2310	RFQ	1557年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N3821AUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		100 µA @ 1 V				3.3 v	10欧姆
1N5244A	2.0700	RFQ	7442	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C 〜175°C（TA）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 200 ma		100 na @ 9.5 V				14 V	15欧姆
1N6537	14.3850	RFQ	4066	微芯片技术	*	大部分	积极的					1N6537				-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1
1N4622ur/tr	3.4500	RFQ	8996	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-					Ear99	8541.10.0050	286					1.1 V @ 200 ma		2.5 µA @ 2 V				3.9 v	1650年
LSM545J/TR13	1.1550	RFQ	5470	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	DO-214AB，SMC	LSM545	肖特基		do-214ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		45 v		520 mv @ 5 a		2 ma @ 45 V	-55°C〜150°C	5a	-
CDLL4930A	79.1550	RFQ	7450	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa	CDLL4930		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1							15 µA @ 12 V				19.2 v	36欧姆
CDS5518BUR-1	-	RFQ	2314	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-CDS5518BUR-1	Ear99	8541.10.0050	50
JAN1N555520B-1	5.5200	RFQ	8464	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5520		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 1 V				3.9 v	22欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²