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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
1N5238B	1.8600	RFQ	3132	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5238		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	1N5238BMS	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 ma	3 µA @ 6.5 V				8.7 v	8欧姆
1N5243B	2.0700	RFQ	6451	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5243		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	1N5243BMS	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 ma	500 NA @ 9.9 V				13 V	13欧姆
1N5249B	2.0700	RFQ	1608	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5249		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	1N5249BMS	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 ma	100 na @ 14 V				19 v	23欧姆
1N5251B	2.0700	RFQ	6487	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5251		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	1N5251BMS	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 ma	100 na @ 17 V				22 v	29欧姆
1N5252B	4.2300	RFQ	3669	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5252		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	1N5252BMS	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 ma	100 na @ 18 V				24 V	33欧姆
1N5253B	4.2300	RFQ	7705	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5253		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	1N5253BMS	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 ma	100 na @ 19 V				25 v	35欧姆
1N5255B	2.1000	RFQ	2060	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5255		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 ma	100 na @ 21 V				28 V	44欧姆
1N5256B	2.1000	RFQ	1674年	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5256		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	1N5256BMS	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 ma	100 na @ 23 V				30 V	49欧姆
1N5258B	2.1000	RFQ	3457	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5258		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	1N5258BMS	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 ma	100 na @ 27 V				36 V	70欧姆
1N5259B	2.1000	RFQ	1595年	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5259		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	1N5259BMS	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 ma	100 na @ 30 V				39 v	80欧姆
1N5261B	2.1000	RFQ	3160	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5261		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	1N5261BMS	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 ma	100 na @ 36 V				47 V	105欧姆
1N458A	2.0700	RFQ	5440	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N458	标准		DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	1n458ams	Ear99	8541.10.0050	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度	150 v	1 V @ 100 ma	1 µA @ 150 V	-65°C〜150°C	150mA	-
1N6097	72.8700	RFQ	1504	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N6097	肖特基		DO-203AB（DO-5）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	1N6097MS	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	30 V	600 mv @ 10 a	2 ma @ 30 V	-65°C〜150°C	50a	-
1N5920B	4.6950	RFQ	2779	微芯片技术	MIL-PRF-19500	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do041，轴向	1N5920		1.25 w	do-41	下载	Rohs不合规		到达不受影响	1N5920BMS	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma	5 µA @ 4 V				6.2 v	2欧姆
1N5924B	3.0300	RFQ	2751	微芯片技术	MIL-PRF-19500	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do041，轴向	1N5924		1.25 w	do-41	下载	Rohs不合规		到达不受影响	1N5924BMS	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma	5 µA @ 7 V				9.1 v	4欧姆
1N5934B	3.0300	RFQ	5342	微芯片技术	MIL-PRF-19500	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do041，轴向	1N5934		1.25 w	do-41	下载	Rohs不合规		到达不受影响	1N5934BMS	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma	1 µA @ 18.2 V				24 V	19欧姆
1N5936B	6.4050	RFQ	7683	微芯片技术	MIL-PRF-19500	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do041，轴向	1N5936		1.25 w	do-41	下载	Rohs不合规		到达不受影响	1N5936BMS	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma	1 µA @ 22.8 V				30 V	28欧姆
1N4461	11.2950	RFQ	8671	微芯片技术	MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do041，轴向	1N4461		1.5 w	do-41	下载	Rohs不合规	不适用	到达不受影响	1N4461MS	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A	5 µA @ 4.08 V				6.8 v	2.5欧姆
1N4463	8.8651	RFQ	2717	微芯片技术	MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do041，轴向	1N4463		1.5 w	do-41	下载	Rohs不合规		到达不受影响	1N4463MS	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A	500 NA @ 4.92 V				8.2 v	3欧姆
1N4470	9.5850	RFQ	8113	微芯片技术	MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do041，轴向	1N4470		1.5 w	do-41	下载	Rohs不合规		到达不受影响	1N4470MS	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A	50 na @ 12.8 V				16 V	10欧姆
1N4473US	11.4600	RFQ	1185	微芯片技术	MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a	1N4473		1.5 w	a，平方米	下载	Rohs不合规		到达不受影响	1N4473USM	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A	50 NA @ 17.6 V				22 v	14欧姆
1N4475US	11.3550	RFQ	5310	微芯片技术	MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a	1N4475		1.5 w	a，平方米	下载	Rohs不合规		到达不受影响	1N4475USM	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A	50 NA @ 21.6 V				27 V	18欧姆
1N4476	6.9000	RFQ	8255	微芯片技术	MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do041，轴向	1N4476		1.5 w	do-41	下载	Rohs不合规		到达不受影响	1N4476MS	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A	50 NA @ 24 V				30 V	20欧姆
1N4478	6.9600	RFQ	7489	微芯片技术	MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do041，轴向	1N4478		1.5 w	do-41	下载	Rohs不合规		到达不受影响	1N4478MS	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A	50 NA @ 28.8 V				36 V	27欧姆
1N4482	7.9500	RFQ	5768	微芯片技术	MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do041，轴向	1N4482		1.5 w	do-41	下载	Rohs不合规		到达不受影响	1N4482MS	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A	50 NA @ 40.8 V				51 v	60欧姆
1N4486	9.5850	RFQ	3518	微芯片技术	MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do041，轴向	1N4486		1.5 w	do-41	下载	Rohs不合规		到达不受影响	1N4486MS	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A	250 NA @ 60.4 V				75 v	130欧姆
1N4488	9.6750	RFQ	6979	微芯片技术	MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do041，轴向	1N4488		1.5 w	do-41	下载	Rohs不合规		到达不受影响	1N4488MS	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A	250 na @ 72.8 V				91 v	200欧姆
1N4489US	11.3550	RFQ	9385	微芯片技术	MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a	1N4489		1.5 w	a，平方米	下载	Rohs不合规		到达不受影响	1N4489USM	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A	250 na @ 80 V				100 v	250欧姆
1N4491US	15.8550	RFQ	2689	微芯片技术	MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a	1N4491		1.5 w	a，平方米	下载	Rohs不合规		到达不受影响	1N4491USM	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A	250 NA @ 96 V				120 v	400欧姆
1N4492US	15.8550	RFQ	1630	微芯片技术	MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a	1N4492		1.5 w	a，平方米	下载	Rohs不合规		到达不受影响	1N4492USM	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A	250 na @ 104 V				130 v	500欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²