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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
JANTXV1N6341US | 22.3050 | ![]() | 6511 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/533 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | SQ-MELF,b | 1N6341 | 500兆 | B,平方米 | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 A | 50 NA @ 39 V | 51 v | 85欧姆 | ||||||||||||
JANTXV1N6342 | 14.6700 | ![]() | 1311 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/533 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N6342 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 A | 50 NA @ 43 V | 56 v | 100欧姆 | ||||||||||||
![]() | JANTXV1N6343 | 14.6700 | ![]() | 4324 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/533 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 通过洞 | B,轴向 | 1N6343 | 500兆 | B,轴向 | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 A | 50 NA @ 47 V | 62 v | 125欧姆 | |||||||||||
![]() | JANTXV1N7043CAT1 | 218.3550 | ![]() | 8367 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/730 | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | TO-254-3,TO-254AA | 1N7043 | 肖特基 | TO-254AA | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 100 v | 35a | 1.3 V @ 35 A | 500 µA @ 100 V | -65°C〜150°C | ||||||||||
![]() | JTXM19500/469-04 | 464.1150 | ![]() | 5798 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 大部分 | 积极的 | JTXM19500 | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | 1n1183a | 75.5700 | ![]() | 1320 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 1N1183 | 标准 | DO-203AB(DO-5) | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | 1n1183ams | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 50 V | 1.19 V @ 90 A | 10 µA @ 50 V | -65°C 〜200°C | 40a | - | |||||||||
![]() | 1N1184 | 74.5200 | ![]() | 5429 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 1N1184 | 标准 | DO-203AB(DO-5) | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | 1N1184MS | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 100 v | 1.4 V @ 110 A | 10 µA @ 100 V | -65°C〜175°C | 35a | - | |||||||||
![]() | 1N1185 | 74.5200 | ![]() | 7865 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 1N1185 | 标准 | DO-203AB(DO-5) | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | 1N1185ms | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 150 v | 1.19 V @ 90 A | 10 µA @ 150 V | -65°C 〜200°C | 40a | - | |||||||||
![]() | 1N1187R | 74.5200 | ![]() | 5442 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 1N1187 | 标准,反极性 | DO-203AB(DO-5) | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | 1N1187RMS | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 300 v | 1.19 V @ 90 A | 10 µA @ 300 V | -65°C 〜200°C | 40a | - | |||||||||
![]() | 1N1188R | 74.5200 | ![]() | 6177 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 1N1188 | 标准,反极性 | DO-203AB(DO-5) | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | 1N1188RMS | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 400 v | 1.4 V @ 110 A | 10 µA @ 400 V | -65°C〜175°C | 35a | - | |||||||||
![]() | 1N1189R | 74.5200 | ![]() | 9649 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 1N1189 | 标准,反极性 | DO-203AB(DO-5) | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | 1N1189RMS | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 500 v | 1.19 V @ 90 A | 10 µA @ 500 V | -65°C 〜200°C | 40a | - | |||||||||
![]() | 1N3208R | 65.8800 | ![]() | 2018 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 1N3208 | 标准,反极性 | DO-203AB(DO-5) | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | 1N3208RMS | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 50 V | 1.19 V @ 90 A | 10 µA @ 50 V | -65°C 〜200°C | 40a | - | |||||||||
![]() | 1N3209R | 65.8800 | ![]() | 7865 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 1N3209 | 标准,反极性 | DO-203AB(DO-5) | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | 1N3209RMS | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 100 v | 1.19 V @ 90 A | 10 µA @ 100 V | -65°C 〜200°C | 40a | - | |||||||||
![]() | 1N3211 | 65.8800 | ![]() | 9086 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 1N3211 | 标准 | DO-203AB(DO-5) | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | 1N3211MS | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 300 v | 1.19 V @ 90 A | 10 µA @ 300 V | -65°C 〜200°C | 40a | - | |||||||||
![]() | 1N3288A | 93.8550 | ![]() | 9123 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-205aa,do-8,螺柱 | 1N3288 | 标准 | DO-205AA(DO-8) | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | 1n3288ams | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 100 v | 1.1 V @ 200 A | 200 µA @ 100 V | -65°C 〜200°C | 150a | - | |||||||||
![]() | 1N3290 | 93.8550 | ![]() | 1512 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-205aa,do-8,螺柱 | 1N3290 | 标准 | DO-205AA(DO-8) | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | 1N3290ms | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 300 v | 1.2 V @ 200 A | 50 µA @ 300 V | -65°C 〜200°C | 100a | - | |||||||||
![]() | 1N3292 | 93.8550 | ![]() | 7033 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-205aa,do-8,螺柱 | 1N3292 | 标准 | DO-205AA(DO-8) | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | 1N3292MS | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 500 v | 1.2 V @ 200 A | 50 µA @ 500 V | -65°C 〜200°C | 100a | - | |||||||||
![]() | 1N3293A | 93.8550 | ![]() | 7815 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-205aa,do-8,螺柱 | 1N3293 | 标准 | DO-205AA(DO-8) | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | 1n3293am | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 600 v | 1.1 V @ 200 A | 50 µA @ 600 V | -65°C 〜200°C | 150a | - | |||||||||
![]() | 1N3293R | 93.8550 | ![]() | 8517 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-205aa,do-8,螺柱 | 1N3293 | 标准 | DO-205AA(DO-8) | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | 1N3293RMS | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 600 v | 1.55 V @ 310 A | 10 ma @ 600 V | -65°C 〜200°C | 100a | - | |||||||||
![]() | 1N3673A | 34.7100 | ![]() | 1556年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-203AA,do-4,螺柱 | 1N3673 | 标准 | DO-203AA(DO-4) | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | 1n3673am | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1000 v | 1.35 V @ 38 A | 5 µA @ 1000 V | -65°C〜150°C | 12a | - | |||||||||
![]() | 1N3880 | 47.0100 | ![]() | 2255 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-203AA,do-4,螺柱 | 1N3880 | 标准 | DO-4(do-203AA) | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | 1N3880ms | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 1.4 V @ 20 A | 200 ns | 15 µA @ 100 V | -65°C〜175°C | 6a | 115pf @ 10V,1MHz | ||||||||
![]() | 1N3880R | 50.8800 | ![]() | 5683 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-203AA,do-4,螺柱 | 1N3880 | 标准,反极性 | DO-4(do-203AA) | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | 1N3880RMS | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 1.4 V @ 20 A | 200 ns | 15 µA @ 100 V | -65°C〜175°C | 6a | 115pf @ 10V,1MHz | ||||||||
![]() | 1N3881 | 47.0100 | ![]() | 9857 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-203AA,do-4,螺柱 | 1N3881 | 标准 | DO-4(do-203AA) | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | 1N3881MS | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 200 v | 1.4 V @ 20 A | 200 ns | 15 µA @ 200 V | -65°C〜175°C | 6a | 115pf @ 10V,1MHz | ||||||||
![]() | 1N3881R | 50.8800 | ![]() | 5240 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-203AA,do-4,螺柱 | 1N3881 | 标准,反极性 | DO-4(do-203AA) | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | 1N3881RMS | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 200 v | 1.4 V @ 20 A | 200 ns | 15 µA @ 200 V | -65°C〜175°C | 6a | 115pf @ 10V,1MHz | ||||||||
![]() | 1N3883R | 50.8800 | ![]() | 8363 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-203AA,do-4,螺柱 | 1N3883 | 标准,反极性 | DO-4(do-203AA) | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | 1N3883RMS | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 400 v | 1.4 V @ 20 A | 200 ns | 15 µA @ 400 V | -65°C〜175°C | 6a | 115pf @ 10V,1MHz | ||||||||
![]() | 75HQ040 | 112.7250 | ![]() | 6807 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 75HQ040 | 肖特基 | DO-203AB(DO-5) | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | 75HQ040MS | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 40 V | 740 mv @ 80 a | 2 ma @ 40 V | -65°C〜175°C | 80a | - | |||||||||
![]() | 75HQ045 | 113.8050 | ![]() | 5028 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 75HQ045 | 肖特基 | DO-203AB(DO-5) | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | 75HQ045MS | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 45 v | 740 mv @ 80 a | 5 ma @ 45 V | -65°C〜175°C | 80a | - | |||||||||
![]() | 85HQ035 | 117.7800 | ![]() | 8688 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 85HQ035 | 肖特基 | do-5 | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | 85HQ035MS | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 35 v | 740 mv @ 80 a | 2 ma @ 35 V | -65°C〜175°C | 80a | - | |||||||||
1N485B | 3.5850 | ![]() | 1978年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N485 | 标准 | DO-35(do-204AH) | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | 1N485BMS | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 200 v | 1 V @ 100 ma | 1 µA @ 200 V | -65°C〜175°C | 200mA | - | ||||||||||
1N5230B | 2.7150 | ![]() | 7483 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N5230 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | 1N5230BMS | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 ma | 50 µA @ 2 V | 4.7 v | 19欧姆 |
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