SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) ((ZZT))
CDLL935/TR Microchip Technology CDLL935/tr 4.2600
RFQ
ECAD 8598 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% 0°C〜75°C 表面安装 do-213aa 500兆 do-213aa 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-CDLL935/tr Ear99 8541.10.0050 1 9 V 20欧姆
JAN1N4626-1 Microchip Technology 1月1N4626-1 -
RFQ
ECAD 7997 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/435 大部分 在sic中停产 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 5 µA @ 4 V 5.6 v 1400欧姆
1PMT5934CE3/TR7 Microchip Technology 1 PMT5934CE3/TR7 0.7350
RFQ
ECAD 9967 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2% -55°C〜150°C 表面安装 do-216aa 下午1点 3 W do-216aa 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 200 ma 1 µA @ 18.2 V 24 V 19欧姆
JANTX1N3823A-1 Microchip Technology JANTX1N3823A-1 8.5800
RFQ
ECAD 8698 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/115 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N3823 1 w do-41 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 25 µA @ 1 V 3.9 v 9欧姆
JAN1N6765R Microchip Technology 1月1N6765R -
RFQ
ECAD 8179 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 通过洞 TO-254-3,TO-254AA((TO-254AA)) 标准 TO-254 - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 1.05 V @ 12 A 35 ns 10 µA @ 200 V - 12a 300pf @ 5V,1MHz
MSASC75W100FV Microchip Technology MSASC75W100FV -
RFQ
ECAD 2500 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 表面安装 Thinkey™4 肖特基 Thinkey™4 - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 920 MV @ 75 A 500 µA @ 100 V -55°C 〜175°C 75a -
1N6024UR-1/TR Microchip Technology 1N6024ur-1/tr 3.7400
RFQ
ECAD 9963 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - -65°C 〜175°C(TJ) 表面安装 do-213aa 500兆 do-213aa - Ear99 8541.10.0050 264 1.1 V @ 200 ma 100 v
CDLL5522D/TR Microchip Technology CDLL5522D/TR 16.3950
RFQ
ECAD 8885 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±1% -65°C 〜175°C(TJ) 表面安装 do-213aa 500兆 do-213aa - 到达不受影响 150-CDLL5522D/TR Ear99 8541.10.0050 100 1.1 V @ 200 ma 2 µA @ 2 V 4.7 v 22欧姆
JANTX1N4957 Microchip Technology JANTX1N4957 7.2150
RFQ
ECAD 5825 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 E,轴向 1N4957 5 w 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 25 µA @ 6.9 V 9.1 v 2欧姆
CDLL4133 Microchip Technology CDLL4133 3.5850
RFQ
ECAD 1067 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 表面安装 do-213ab,Melf CDLL4133 500兆 do-213ab 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 50 NA @ 66.2 V 87 v 1000欧姆
JANTXV1N4480/TR Microchip Technology JANTXV1N4480/TR 13.1250
RFQ
ECAD 7759 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/406 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C 〜175°C(TJ) 通过洞 do-204al,do041,轴向 1.5 w do-41 - 到达不受影响 150-JANTXV1N4480/TR Ear99 8541.10.0050 119 1.5 V @ 1 A 50 NA @ 34.4 V 43 V 40欧姆
1N5934B Microchip Technology 1N5934B 3.0300
RFQ
ECAD 5342 0.00000000 微芯片技术 MIL-PRF-19500 大部分 积极的 ±5% -65°C 〜175°C(TJ) 通过洞 do-204al,do041,轴向 1N5934 1.25 w do-41 下载 Rohs不合规 到达不受影响 1N5934BMS Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 1 µA @ 18.2 V 24 V 19欧姆
1N5996UR/TR Microchip Technology 1N5996ur/tr 3.7350
RFQ
ECAD 8139 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - -65°C 〜175°C(TJ) 表面安装 do-213aa 500兆 do-213aa - 150-1N5996ur/tr Ear99 8541.10.0050 264 1.1 V @ 200 ma 6.8 v
1N5994D/TR Microchip Technology 1N5994D/tr 4.7747
RFQ
ECAD 3192 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±1% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 500兆 do-35 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-1N5994D/tr Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 2 µA @ 3 V 5.6 v 25欧姆
JANTX1N6342DUS Microchip Technology JANTX1N6342DUS 57.9000
RFQ
ECAD 4794 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/533 大部分 积极的 ±1% -65°C 〜175°C(TJ) 表面安装 SQ-MELF,b 500兆 B,平方米 - 到达不受影响 150-JANTX1N6342DUS Ear99 8541.10.0050 1 1.4 V @ 1 A 50 NA @ 43 V 56 v 100欧姆
JANTX1N3044CUR-1 Microchip Technology JANTX1N3044CUR-1 37.3500
RFQ
ECAD 9348 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/115 大部分 积极的 ±2% -55°C 〜175°C 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N3044 1 w DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 76 V 100 v 350欧姆
JAN1N3911 Microchip Technology 1月1N3911 -
RFQ
ECAD 4602 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/308 大部分 积极的 螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 标准 do-5 - 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 1.4 V @ 50 A 200 ns -65°C〜150°C 30a -
1N3612 Microchip Technology 1N3612 -
RFQ
ECAD 1397 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 在sic中停产 通过洞 a,轴向 1N3612 标准 a,轴向 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 400 v 1.1 V @ 1 A 1 µA @ 400 V -65°C〜175°C 1a -
SMBG5381CE3/TR13 Microchip Technology SMBG5381CE3/TR13 1.4400
RFQ
ECAD 8328 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2% -65°C〜150°C 表面安装 DO-215AA,SMB海鸥翼 SMBG5381 5 w SMBG(DO-215AA) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 1 A 500 NA @ 93.6 V 130 v 190欧姆
JAN1N4128-1/TR Microchip Technology Jan1n4128-1/tr 3.7772
RFQ
ECAD 4420 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/435 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-JAN1N4128-1/TR Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 10 na @ 45.6 V 60 V 400欧姆
JAN1N4959DUS/TR Microchip Technology Jan1n4959dus/tr 28.3650
RFQ
ECAD 3907 0.00000000 微芯片技术 MIL-PRF-19500/356 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±1% -65°C 〜175°C(TJ) 表面安装 SQ-MELF,b 5 w E-Melf - 150-JAN1N4959DUS/TR Ear99 8541.10.0050 100 1.5 V @ 1 A 10 µA @ 8.4 V 11 V 2.5欧姆
1N5525BUR-1/TR Microchip Technology 1N5525BUR-1/TR 5.9052
RFQ
ECAD 2640 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C 〜175°C(TJ) 表面安装 do-213aa 500兆 do-213aa - rohs3符合条件 到达不受影响 150-1N5525BUR-1/TR Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 1 µA @ 5 V 6.2 v 30欧姆
JAN1N3017B-1 Microchip Technology Jan1n3017b-1 -
RFQ
ECAD 4641 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/115 大部分 在sic中停产 ±5% -55°C 〜175°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1 w do-41 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 150 µA @ 5.2 V 7.5 v 4欧姆
CDLL5277 Microchip Technology CDLL5277 3.5850
RFQ
ECAD 8063 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±20% -65°C 〜200°C 表面安装 do-213aa do-213aa - 到达不受影响 150-CDLL5277 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 100 NA @ 116 V 160 v 1700欧姆
CDLL5270D/TR Microchip Technology CDLL5270D/TR 8.5950
RFQ
ECAD 5644 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±1% -65°C〜175°C 表面安装 do-213aa 10兆 do-213aa - 到达不受影响 150-CDLL5270D/tr Ear99 8541.10.0050 110 1.1 V @ 200 ma 100 na @ 69 V 91 v 400欧姆
1N4370AE3/TR Microchip Technology 1N4370AE3/tr 2.3807
RFQ
ECAD 9689 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 500兆 do-35 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-1N4370AE3/tr Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 100 µA @ 1 V 2.4 v 30欧姆
JANTX1N6304 Microchip Technology JANTX1N6304 -
RFQ
ECAD 5572 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 标准 do-5 - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 50 V 1.18 V @ 150 A 60 ns 25 µA @ 50 V -65°C〜175°C 70a
SMBG5380A/TR13 Microchip Technology SMBG5380A/TR13 2.2200
RFQ
ECAD 6112 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±10% -65°C〜150°C 表面安装 DO-215AA,SMB海鸥翼 SMBG5380 5 w SMBG(DO-215AA) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 1 A 500 NA @ 86.4 V 120 v 170欧姆
S34100 Microchip Technology S34100 39.0750
RFQ
ECAD 4218 0.00000000 微芯片技术 S34 大部分 积极的 螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 S341 标准 do-5 下载 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1000 v 1.15 V @ 90 A 10 µA @ 1000 V -65°C 〜200°C 45a -
JAN1N753CUR-1/TR Microchip Technology JAN1N753CUR-1/TR 10.2410
RFQ
ECAD 2811 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/127 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2% -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AA() 500兆 do-213aa - rohs3符合条件 到达不受影响 150-JAN1N753CUR-1/TR Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 5 µA @ 3.5 V 6.2 v 7欧姆
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库