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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | CDLL935/tr | 4.2600 | ![]() | 8598 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | 0°C〜75°C | 表面安装 | do-213aa | 500兆 | do-213aa | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-CDLL935/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 9 V | 20欧姆 | ||||||||||||
1月1N4626-1 | - | ![]() | 7997 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/435 | 大部分 | 在sic中停产 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 5 µA @ 4 V | 5.6 v | 1400欧姆 | |||||||||||
![]() | 1 PMT5934CE3/TR7 | 0.7350 | ![]() | 9967 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -55°C〜150°C | 表面安装 | do-216aa | 下午1点 | 3 W | do-216aa | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 ma | 1 µA @ 18.2 V | 24 V | 19欧姆 | |||||||||
JANTX1N3823A-1 | 8.5800 | ![]() | 8698 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/115 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1N3823 | 1 w | do-41 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 ma | 25 µA @ 1 V | 3.9 v | 9欧姆 | ||||||||||
![]() | 1月1N6765R | - | ![]() | 8179 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | TO-254-3,TO-254AA((TO-254AA)) | 标准 | TO-254 | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 200 v | 1.05 V @ 12 A | 35 ns | 10 µA @ 200 V | - | 12a | 300pf @ 5V,1MHz | |||||||||
![]() | MSASC75W100FV | - | ![]() | 2500 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | Thinkey™4 | 肖特基 | Thinkey™4 | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 920 MV @ 75 A | 500 µA @ 100 V | -55°C 〜175°C | 75a | - | ||||||||||
![]() | 1N6024ur-1/tr | 3.7400 | ![]() | 9963 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | do-213aa | 500兆 | do-213aa | - | Ear99 | 8541.10.0050 | 264 | 1.1 V @ 200 ma | 100 v | |||||||||||||||
![]() | CDLL5522D/TR | 16.3950 | ![]() | 8885 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±1% | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | do-213aa | 500兆 | do-213aa | - | 到达不受影响 | 150-CDLL5522D/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.1 V @ 200 ma | 2 µA @ 2 V | 4.7 v | 22欧姆 | |||||||||||
JANTX1N4957 | 7.2150 | ![]() | 5825 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/356 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | E,轴向 | 1N4957 | 5 w | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 25 µA @ 6.9 V | 9.1 v | 2欧姆 | |||||||||||
CDLL4133 | 3.5850 | ![]() | 1067 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | do-213ab,Melf | CDLL4133 | 500兆 | do-213ab | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 50 NA @ 66.2 V | 87 v | 1000欧姆 | ||||||||||
![]() | JANTXV1N4480/TR | 13.1250 | ![]() | 7759 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/406 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 通过洞 | do-204al,do041,轴向 | 1.5 w | do-41 | - | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N4480/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 119 | 1.5 V @ 1 A | 50 NA @ 34.4 V | 43 V | 40欧姆 | |||||||||||
![]() | 1N5934B | 3.0300 | ![]() | 5342 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 通过洞 | do-204al,do041,轴向 | 1N5934 | 1.25 w | do-41 | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | 1N5934BMS | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 ma | 1 µA @ 18.2 V | 24 V | 19欧姆 | |||||||||
![]() | 1N5996ur/tr | 3.7350 | ![]() | 8139 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | do-213aa | 500兆 | do-213aa | - | 150-1N5996ur/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 264 | 1.1 V @ 200 ma | 6.8 v | ||||||||||||||
![]() | 1N5994D/tr | 4.7747 | ![]() | 3192 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±1% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | do-35 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N5994D/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 2 µA @ 3 V | 5.6 v | 25欧姆 | ||||||||||
![]() | JANTX1N6342DUS | 57.9000 | ![]() | 4794 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/533 | 大部分 | 积极的 | ±1% | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | SQ-MELF,b | 500兆 | B,平方米 | - | 到达不受影响 | 150-JANTX1N6342DUS | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 A | 50 NA @ 43 V | 56 v | 100欧姆 | |||||||||||
![]() | JANTX1N3044CUR-1 | 37.3500 | ![]() | 9348 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/115 | 大部分 | 积极的 | ±2% | -55°C 〜175°C | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N3044 | 1 w | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 ma | 10 µA @ 76 V | 100 v | 350欧姆 | |||||||||
![]() | 1月1N3911 | - | ![]() | 4602 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/308 | 大部分 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 标准 | do-5 | - | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 200 v | 1.4 V @ 50 A | 200 ns | -65°C〜150°C | 30a | - | |||||||||||
1N3612 | - | ![]() | 1397 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 在sic中停产 | 通过洞 | a,轴向 | 1N3612 | 标准 | a,轴向 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 400 v | 1.1 V @ 1 A | 1 µA @ 400 V | -65°C〜175°C | 1a | - | |||||||||
![]() | SMBG5381CE3/TR13 | 1.4400 | ![]() | 8328 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -65°C〜150°C | 表面安装 | DO-215AA,SMB海鸥翼 | SMBG5381 | 5 w | SMBG(DO-215AA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 1 A | 500 NA @ 93.6 V | 130 v | 190欧姆 | |||||||||
Jan1n4128-1/tr | 3.7772 | ![]() | 4420 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/435 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | DO-35(do-204AH) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JAN1N4128-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 10 na @ 45.6 V | 60 V | 400欧姆 | ||||||||||||
![]() | Jan1n4959dus/tr | 28.3650 | ![]() | 3907 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/356 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±1% | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | SQ-MELF,b | 5 w | E-Melf | - | 150-JAN1N4959DUS/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 V @ 1 A | 10 µA @ 8.4 V | 11 V | 2.5欧姆 | ||||||||||||
![]() | 1N5525BUR-1/TR | 5.9052 | ![]() | 2640 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | do-213aa | 500兆 | do-213aa | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N5525BUR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 1 µA @ 5 V | 6.2 v | 30欧姆 | ||||||||||
Jan1n3017b-1 | - | ![]() | 4641 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/115 | 大部分 | 在sic中停产 | ±5% | -55°C 〜175°C | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1 w | do-41 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 ma | 150 µA @ 5.2 V | 7.5 v | 4欧姆 | |||||||||||
![]() | CDLL5277 | 3.5850 | ![]() | 8063 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±20% | -65°C 〜200°C | 表面安装 | do-213aa | do-213aa | - | 到达不受影响 | 150-CDLL5277 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 100 NA @ 116 V | 160 v | 1700欧姆 | ||||||||||||
![]() | CDLL5270D/TR | 8.5950 | ![]() | 5644 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±1% | -65°C〜175°C | 表面安装 | do-213aa | 10兆 | do-213aa | - | 到达不受影响 | 150-CDLL5270D/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 110 | 1.1 V @ 200 ma | 100 na @ 69 V | 91 v | 400欧姆 | |||||||||||
![]() | 1N4370AE3/tr | 2.3807 | ![]() | 9689 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | do-35 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N4370AE3/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 100 µA @ 1 V | 2.4 v | 30欧姆 | ||||||||||
![]() | JANTX1N6304 | - | ![]() | 5572 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 标准 | do-5 | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 50 V | 1.18 V @ 150 A | 60 ns | 25 µA @ 50 V | -65°C〜175°C | 70a | ||||||||||
![]() | SMBG5380A/TR13 | 2.2200 | ![]() | 6112 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±10% | -65°C〜150°C | 表面安装 | DO-215AA,SMB海鸥翼 | SMBG5380 | 5 w | SMBG(DO-215AA) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 1 A | 500 NA @ 86.4 V | 120 v | 170欧姆 | |||||||||
![]() | S34100 | 39.0750 | ![]() | 4218 | 0.00000000 | 微芯片技术 | S34 | 大部分 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | S341 | 标准 | do-5 | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1000 v | 1.15 V @ 90 A | 10 µA @ 1000 V | -65°C 〜200°C | 45a | - | |||||||||
![]() | JAN1N753CUR-1/TR | 10.2410 | ![]() | 2811 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/127 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -65°C〜175°C | 表面安装 | DO-213AA() | 500兆 | do-213aa | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JAN1N753CUR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 5 µA @ 3.5 V | 6.2 v | 7欧姆 |
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