RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	电容比	电容比条件	q @ vr，f
1N715A	1.9350	RFQ	5130	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N715		250兆	do-35	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1											11 V	9欧姆
1N5932A	3.0300	RFQ	5385	微芯片技术	MIL-PRF-19500	大部分	积极的	±10％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do041，轴向	1N5932		1.25 w	do-41	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 15.2 V						20 v	14欧姆
JANTX1N971CUR-1/TR	13.9384	RFQ	1685年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C 〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N971CUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 21 V						27 V	41欧姆
Jan1n4961us/tr	8.9700	RFQ	4877	微芯片技术	MIL-PRF-19500/356	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			5 w	E-Melf	-				150-JAN1N4961US/TR	Ear99	8541.10.0050	100			1.5 V @ 1 A		10 µA @ 9.9 V						13 V	3欧姆
1月1N4469	6.1500	RFQ	2273	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4469		1.5 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		50 na @ 12 V						15 v	9欧姆
JANS1N4460CUS/TR	283.9800	RFQ	4174	微芯片技术	MIL-PRF-19500/406	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	-				150-JANS1N4460CUS/TR	Ear99	8541.10.0050	50			1.5 V @ 1 A		10 µA @ 3.72 V						6.2 v	4欧姆
Jan1n4134ur-1/tr	7.8736	RFQ	9858	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）				do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N4134UR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 69.2 V						91 v	1200欧姆
1月1N966BUR-1	4.4400	RFQ	9019	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N966		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 na @ 12 V						16 V	17欧姆
Jan1n747c-1/tr	4.7481	RFQ	2561	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N747C-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		3 µA @ 1 V						3.6 v	24欧姆
JANTXV1N5553/TR	14.2500	RFQ	2692	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/420	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	B，轴向		标准		B，轴向	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N5553/tr	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	800 v	1.3 V @ 9 A	2 µs	1 µA @ 800 V	-65°C〜175°C	5a	-
1月1N988CUR-1/TR	-	RFQ	4720	微芯片技术	MIL-PRF-19500/117	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa			400兆	do-213aa	-				150-JAN1N988CUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.3 V @ 200 ma		500 NA @ 99 V						130 v	1100欧姆
JANTXV1N3017B-1/TR	10.6799	RFQ	9426	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N3017B-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		100 µA @ 5.7 V						7.5 v	4欧姆
1N4460CUS	31.7100	RFQ	6610	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	下载			到达不受影响	150-1N4460CUS	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		10 µA @ 3.72 V						6.2 v	4欧姆
1 PMT5951C/TR7	2.7600	RFQ	2644	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		3 W	do-216aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 91.2 V						120 v	380欧姆
JANS1N7051UR-1	162.9150	RFQ	1827年	微芯片技术	-	大部分	积极的									-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1
1N6911UTK2CS/TR	259.3500	RFQ	5151	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	Thinkey™2		肖特基，反极性		Thinkey™2	-			到达不受影响	150-1N6911UTK2CS/TR	Ear99	8541.10.0080	100	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	30 V	540 mv @ 25 A		1.2 ma @ 30 V	-65°C〜150°C	25a	1250pf @ 5V，1MHz
CDLL6331	14.6400	RFQ	2325	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL6331		500兆	do-213ab	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		50 na @ 15 V						20 v	18欧姆
UES1302/tr	31.5000	RFQ	5504	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	轴向		标准		轴向	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-ues1302/tr	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	100 v	925 mv @ 6 a	30 ns	5 µA @ 100 V	-55°C 〜175°C	6a	-
1N5186US/TR	9.4000	RFQ	1172	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SQ-MELF，b		标准		E-Melf	-							103	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	100 v	1.5 V @ 9 A	150 ns	2 µA @ 100 V	-65°C〜175°C	3a	-
1N829A-1/tr	8.6850	RFQ	8736	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-1N829A-1/tr	Ear99	8541.10.0050	109					2 µA @ 3 V						6.2 v	10欧姆
GCX1206-23-0	3.3150	RFQ	4455	微芯片技术	GCX1206	大部分	积极的		-55°C〜125°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				SOT-23-3	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-GCX1206-23-0	Ear99	8541.10.0060	1								2.7pf @ 4V，1MHz	单身的	30 V			3.7	C0/C30	2500 @ 4V，50MHz
1N4759ur-1/tr	3.6200	RFQ	7662	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	-					Ear99	8541.10.0050	272			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 47.1 V						62 v	125欧姆
JANTXV1N6347CUS/TR	57.2550	RFQ	5163	微芯片技术	MIL-PRF-19500/533	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	下载				150-JANTXV1N6347CUS/TR	Ear99	8541.10.0050	100			1.4 V @ 1 A		50 NA @ 69 V						91 v	270欧姆
JANS1N4973C	299.3502	RFQ	8633	微芯片技术	-	大部分	积极的									下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N4973C	Ear99	8541.10.0050	1
CDLL5541C	12.1950	RFQ	2332	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-			到达不受影响	150-CDLL5541C	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 19.8 V						22 v	100欧姆
CDLL3045A	15.3000	RFQ	3415	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-55°C 〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL3045		1 w	do-213ab	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		500 NA @ 83.6 V						110 v	450欧姆
CDLL4480	11.3550	RFQ	8858	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL4480		1.5 w	do-213ab	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1 V @ 200 MA		50 NA @ 34.4 V						43 V	40欧姆
Jan1n4991us/tr	14.7300	RFQ	8203	微芯片技术	MIL-PRF-19500/356	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			5 w	E-Melf	-				150-JAN1N4991US/TR	Ear99	8541.10.0050	100			1.5 V @ 1 A		2 µA @ 182 V						240 v	650欧姆
1N5804US/TR	10.0500	RFQ	9674	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SQ-MELF，a		标准		D-5A	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N5804US/TR	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	100 v	875 mv @ 1 a	25 ns	1 µA @ 100 V	-65°C〜175°C	1a	25pf @ 10V，1MHz
JANTXV1N3912	-	RFQ	1462	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/308	大部分	积极的			底盘，螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N3912	标准		do-203ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	300 v	1.4 V @ 50 A	150 ns	15 µA @ 300 V	-65°C〜150°C	50a	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²