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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
JANTX1N5419/TR	9.3450	RFQ	4647	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/411	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	B，轴向		标准		B，轴向	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N5419/TR	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	500 v	1.5 V @ 9 A	250 ns	1 µA @ 500 V	-65°C〜175°C	3a	-
JANS1N6640US/TR	38.2500	RFQ	8365	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/609	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SQ-MELF，d	1N6640	标准		D-5D	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	50	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	50 V	1 V @ 200 MA	4 ns	100 na @ 50 V	-65°C〜175°C	300mA	-
CDLL6323/tr	13.1404	RFQ	7145	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf			500兆	do-213ab	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL6323/tr	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 7 V				9.1 v	6欧姆
1N1198A	75.5700	RFQ	4014	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N1198	标准		DO-203AB（DO-5）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	600 v	1.19 V @ 90 A		10 µA @ 600 V	-65°C 〜200°C	40a	-
1N5370E3/TR8	2.6250	RFQ	9887	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5370		5 w	T-18	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,000			1.2 V @ 1 A		500 NA @ 40.3 V				56 v	35欧姆
1N6024D	5.1900	RFQ	4033	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6024		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		100 NA @ 76 V				100 v	500欧姆
MSASC100W30HS/tr	-	RFQ	3835	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-			到达不受影响	150-MSASC100W30HS/TR			100
1N4112DUR-1/TR	9.6300	RFQ	4914	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-					Ear99	8541.10.0050	100			1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 13.7 V				18 V	100欧姆
1 PMT4108/TR13	0.9000	RFQ	8437	微芯片技术	PowerMite®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		1 w	do-216	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	12,000			1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 10.65 V				14 V	200欧姆
1N5939C	6.7950	RFQ	7682	微芯片技术	MIL-PRF-19500	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do041，轴向	1N5939		1.25 w	do-41	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 29.7 V				39 v	45欧姆
JANTXV1N3012B	956.9250	RFQ	5986	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/124	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱			10 W	DO-213AA（DO-4）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 A		10 µA @ 121.6 V				160 v	200欧姆
1 PMT5931/TR13	2.2200	RFQ	2600	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		3 W	do-216aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	12,000			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 13.7 V				18 V	12欧姆
1N5926BPE3/TR8	0.9450	RFQ	2900	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5926		1.5 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,500			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 8.4 V				11 V	5.5欧姆
JANTX1N3164IL	-	RFQ	3558	微芯片技术	-	大部分	积极的									-	Rohs不合规		到达不受影响			0000.00.0000	1
JANTX1N4102DUR-1	20.7600	RFQ	1433	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N4102		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 6.7 V				8.7 v	200欧姆
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1N5356BE3/TR12	2.6850	RFQ	1813年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5356		5 w	T-18	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 1 A		500 NA @ 13.7 V				19 v	3欧姆
JANTX1N6485CUS	-	RFQ	2920	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	a，平方米	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		50 µA @ 1 V				3.3 v	10欧姆
1 PMT5952/TR13	-	RFQ	2775	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		3 W	do-216aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	12,000			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 98.8 V				130 v	450欧姆
JANTXV1N4996CUS	-	RFQ	7308	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，E			5 w	D-5B	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		2 µA @ 297 V				390 v	1800欧姆
1N5356C/TR8	3.3900	RFQ	5643	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5356		5 w	T-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,000			1.2 V @ 1 A		500 NA @ 13.7 V				19 v	3欧姆
Jan1n5418/tr	6.0900	RFQ	8678	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/411	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	B，轴向		标准		B，轴向	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N5418/TR	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	400 v	1.5 V @ 9 A	150 ns	1 µA @ 400 V	-65°C〜175°C	3a	-
1N4977US/TR	9.5200	RFQ	5570	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			5 w	E-Melf	-					Ear99	8541.10.0050	101			1.5 V @ 1 A		2 µA @ 47.1 V				62 v	42欧姆
JANTX1N4132DUR-1/TR	27.0921	RFQ	2377	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N4132DUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 62.4 V				82 v	800欧姆
JANS1N4970US/TR	86.8802	RFQ	8596	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，E			5 w	D-5B	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N4970US/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		2 µA @ 25.1 V				33 V	10欧姆
JAN1N5525DUR-1/TR	41.1768	RFQ	6302	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N5525DUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 5 V				6.2 v	30欧姆
1N4112UR-1	3.8250	RFQ	2912	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa	1N4112		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 13.7 V				18 V	100欧姆
JAN1N3050C-1	-	RFQ	4215	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115N	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-13			1 w	DO-13（do-202AA）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 ma		10 µA @ 136.8 V				180 v	1200欧姆
1N2822A	94.8900	RFQ	4161	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3	1N2822		50 W	TO-204AD（TO-3）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A		10 µA @ 20.6 V				27 V	2.8欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²