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![]() | 1N5932D | 7.5450 | ![]() | 4885 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500 | 大部分 | 积极的 | ±1% | -65°C 〜175°C(TJ) | 通过洞 | do-204al,do041,轴向 | 1N5932 | 1.25 w | do-41 | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 ma | 1 µA @ 15.2 V | 20 v | 14欧姆 | ||||||
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![]() | 1N5951D | 8.2950 | ![]() | 8417 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500 | 大部分 | 积极的 | ±1% | -65°C 〜175°C(TJ) | 通过洞 | do-204al,do041,轴向 | 1N5951 | 1.25 w | do-41 | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 ma | 1 µA @ 91.2 V | 120 v | 380欧姆 | ||||||
![]() | 1N5952B | 3.4050 | ![]() | 1258 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 通过洞 | do-204al,do041,轴向 | 1N5952 | 1.25 w | do-41 | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 ma | 1 µA @ 98.8 V | 130 v | 450欧姆 | ||||||
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![]() | 483-01 | 478.0950 | ![]() | 2440 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | 底盘安装 | 我 | 483-01 | 标准 | 我 | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1.3 V @ 39 A | 1 µA @ 200 V | 25 a | 三期 | 200 v | ||||||
![]() | 678-6 | 401.7300 | ![]() | 7222 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 底盘安装 | NC | 678-6 | 标准 | NC | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | 2266-678-6 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1.2 V @ 10 A | 10 µA @ 600 V | 25 a | 三期 | 600 v |
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