SIC
close
参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 电流 -反向泄漏 @ @ vr 电流 -io(io) 二极管类型 电压 -峰值反向(最大) 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) ((ZZT))
1N5925D Microchip Technology 1N5925D 8.4150
RFQ
ECAD 4943 0.00000000 微芯片技术 MIL-PRF-19500 大部分 积极的 ±1% -65°C 〜175°C(TJ) 通过洞 do-204al,do041,轴向 1N5925 1.25 w do-41 下载 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 5 µA @ 8 V 10 v 4.5欧姆
1N5926D Microchip Technology 1N5926D 7.5450
RFQ
ECAD 2598 0.00000000 微芯片技术 MIL-PRF-19500 大部分 积极的 ±1% -65°C 〜175°C(TJ) 通过洞 do-204al,do041,轴向 1N5926 1.25 w do-41 下载 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 1 µA @ 8.4 V 11 V 5.5欧姆
1N5929D Microchip Technology 1N5929D 7.6200
RFQ
ECAD 5894 0.00000000 微芯片技术 MIL-PRF-19500 大部分 积极的 ±1% -65°C 〜175°C(TJ) 通过洞 do-204al,do041,轴向 1N5929 1.25 w do-41 下载 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 1 µA @ 11.4 V 15 v 9欧姆
1N5930C Microchip Technology 1N5930C 6.0300
RFQ
ECAD 7162 0.00000000 微芯片技术 MIL-PRF-19500 大部分 积极的 ±2% -65°C 〜175°C(TJ) 通过洞 do-204al,do041,轴向 1N5930 1.25 w do-41 下载 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 1 µA @ 12.2 V 16 V 10欧姆
1N5932A Microchip Technology 1N5932A 3.0300
RFQ
ECAD 5385 0.00000000 微芯片技术 MIL-PRF-19500 大部分 积极的 ±10% -65°C 〜175°C(TJ) 通过洞 do-204al,do041,轴向 1N5932 1.25 w do-41 下载 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 1 µA @ 15.2 V 20 v 14欧姆
1N5932D Microchip Technology 1N5932D 7.5450
RFQ
ECAD 4885 0.00000000 微芯片技术 MIL-PRF-19500 大部分 积极的 ±1% -65°C 〜175°C(TJ) 通过洞 do-204al,do041,轴向 1N5932 1.25 w do-41 下载 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 1 µA @ 15.2 V 20 v 14欧姆
1N5933A Microchip Technology 1N5933A 3.0300
RFQ
ECAD 4097 0.00000000 微芯片技术 MIL-PRF-19500 大部分 积极的 ±10% -65°C 〜175°C(TJ) 通过洞 do-204al,do041,轴向 1N5933 1.25 w do-41 下载 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 1 µA @ 16.7 V 22 v 17.5欧姆
1N5933C Microchip Technology 1N5933C 6.0300
RFQ
ECAD 4401 0.00000000 微芯片技术 MIL-PRF-19500 大部分 积极的 ±2% -65°C 〜175°C(TJ) 通过洞 do-204al,do041,轴向 1N5933 1.25 w do-41 下载 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 1 µA @ 16.7 V 22 v 17.5欧姆
1N5934D Microchip Technology 1N5934D 7.5450
RFQ
ECAD 7897 0.00000000 微芯片技术 MIL-PRF-19500 大部分 积极的 ±1% -65°C 〜175°C(TJ) 通过洞 do-204al,do041,轴向 1N5934 1.25 w do-41 下载 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 1 µA @ 18.2 V 24 V 19欧姆
1N5935D Microchip Technology 1N5935D 8.2950
RFQ
ECAD 3183 0.00000000 微芯片技术 MIL-PRF-19500 大部分 积极的 ±1% -65°C 〜175°C(TJ) 通过洞 do-204al,do041,轴向 1N5935 1.25 w do-41 下载 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 1 µA @ 20.6 V 27 V 23欧姆
1N5936D Microchip Technology 1N5936D 8.2950
RFQ
ECAD 6172 0.00000000 微芯片技术 MIL-PRF-19500 大部分 积极的 ±1% -65°C 〜175°C(TJ) 通过洞 do-204al,do041,轴向 1N5936 1.25 w do-41 下载 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 1 µA @ 22.8 V 30 V 28欧姆
1N5938A Microchip Technology 1N5938A 3.4050
RFQ
ECAD 2408 0.00000000 微芯片技术 MIL-PRF-19500 大部分 积极的 ±10% -65°C 〜175°C(TJ) 通过洞 do-204al,do041,轴向 1N5938 1.25 w do-41 下载 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 1 µA @ 27.4 V 36 V 38欧姆
1N5938D Microchip Technology 1N5938D 8.2950
RFQ
ECAD 3764 0.00000000 微芯片技术 MIL-PRF-19500 大部分 积极的 ±1% -65°C 〜175°C(TJ) 通过洞 do-204al,do041,轴向 1N5938 1.25 w do-41 下载 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 1 µA @ 27.4 V 36 V 38欧姆
1N5939C Microchip Technology 1N5939C 6.7950
RFQ
ECAD 7682 0.00000000 微芯片技术 MIL-PRF-19500 大部分 积极的 ±2% -65°C 〜175°C(TJ) 通过洞 do-204al,do041,轴向 1N5939 1.25 w do-41 下载 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 1 µA @ 29.7 V 39 v 45欧姆
1N5940D Microchip Technology 1N5940D 8.2950
RFQ
ECAD 4828 0.00000000 微芯片技术 MIL-PRF-19500 大部分 积极的 ±1% -65°C 〜175°C(TJ) 通过洞 do-204al,do041,轴向 1N5940 1.25 w do-41 下载 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 1 µA @ 32.7 V 43 V 53欧姆
1N5941A Microchip Technology 1N5941A 3.4050
RFQ
ECAD 3705 0.00000000 微芯片技术 MIL-PRF-19500 大部分 积极的 ±10% -65°C 〜175°C(TJ) 通过洞 do-204al,do041,轴向 1N5941 1.25 w do-41 下载 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 1 µA @ 35.8 V 47 V 67欧姆
1N5942C Microchip Technology 1N5942C 6.7950
RFQ
ECAD 7977 0.00000000 微芯片技术 MIL-PRF-19500 大部分 积极的 ±2% -65°C 〜175°C(TJ) 通过洞 do-204al,do041,轴向 1N5942 1.25 w do-41 下载 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 1 µA @ 38.8 V 51 v 70欧姆
1N5943B Microchip Technology 1N5943B 3.4050
RFQ
ECAD 7678 0.00000000 微芯片技术 MIL-PRF-19500 大部分 积极的 ±5% -65°C 〜175°C(TJ) 通过洞 do-204al,do041,轴向 1N5943 1.25 w do-41 下载 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 1 µA @ 42.6 V 56 v 86欧姆
1N5943C Microchip Technology 1N5943C 6.7950
RFQ
ECAD 1357 0.00000000 微芯片技术 MIL-PRF-19500 大部分 积极的 ±2% -65°C 〜175°C(TJ) 通过洞 do-204al,do041,轴向 1N5943 1.25 w do-41 下载 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 1 µA @ 42.6 V 56 v 86欧姆
1N5943D Microchip Technology 1N5943D 8.2950
RFQ
ECAD 9972 0.00000000 微芯片技术 MIL-PRF-19500 大部分 积极的 ±1% -65°C 〜175°C(TJ) 通过洞 do-204al,do041,轴向 1N5943 1.25 w do-41 下载 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 1 µA @ 42.6 V 56 v 86欧姆
1N5948A Microchip Technology 1N5948A 3.4050
RFQ
ECAD 4249 0.00000000 微芯片技术 MIL-PRF-19500 大部分 积极的 ±10% -65°C 〜175°C(TJ) 通过洞 do-204al,do041,轴向 1N5948 1.25 w do-41 下载 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 1 µA @ 69.2 V 91 v 200欧姆
1N5949C Microchip Technology 1N5949C 6.7950
RFQ
ECAD 2889 0.00000000 微芯片技术 MIL-PRF-19500 大部分 积极的 ±2% -65°C 〜175°C(TJ) 通过洞 do-204al,do041,轴向 1N5949 1.25 w do-41 下载 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 1 µA @ 76 V 100 v 250欧姆
1N5949D Microchip Technology 1N5949D 8.2950
RFQ
ECAD 4787 0.00000000 微芯片技术 MIL-PRF-19500 大部分 积极的 ±1% -65°C 〜175°C(TJ) 通过洞 do-204al,do041,轴向 1N5949 1.25 w do-41 下载 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 1 µA @ 76 V 100 v 250欧姆
1N5951D Microchip Technology 1N5951D 8.2950
RFQ
ECAD 8417 0.00000000 微芯片技术 MIL-PRF-19500 大部分 积极的 ±1% -65°C 〜175°C(TJ) 通过洞 do-204al,do041,轴向 1N5951 1.25 w do-41 下载 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 1 µA @ 91.2 V 120 v 380欧姆
1N5952B Microchip Technology 1N5952B 3.4050
RFQ
ECAD 1258 0.00000000 微芯片技术 MIL-PRF-19500 大部分 积极的 ±5% -65°C 〜175°C(TJ) 通过洞 do-204al,do041,轴向 1N5952 1.25 w do-41 下载 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 1 µA @ 98.8 V 130 v 450欧姆
1N5953D Microchip Technology 1N5953D 7.5450
RFQ
ECAD 8360 0.00000000 微芯片技术 MIL-PRF-19500 大部分 积极的 ±1% -65°C 〜175°C(TJ) 通过洞 do-204al,do041,轴向 1N5953 1.25 w do-41 下载 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 1 µA @ 114 V 150 v 600欧姆
469-03 Microchip Technology 469-03 428.4000
RFQ
ECAD 4623 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -65°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) 469-03 标准 8-SOIC 下载 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 1.35 V @ 15.7 A 2 µA @ 600 V 10 a 单相 600 v
469-04 Microchip Technology 469-04 -
RFQ
ECAD 6634 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -65°C 〜150°C(TJ) 底盘安装 4平方 469-04 标准 MD 下载 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 1.35 V @ 15.7 A 2 µA @ 880 V 10 a 单相 800 v
483-01 Microchip Technology 483-01 478.0950
RFQ
ECAD 2440 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) 底盘安装 483-01 标准 下载 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 1.3 V @ 39 A 1 µA @ 200 V 25 a 三期 200 v
678-6 Microchip Technology 678-6 401.7300
RFQ
ECAD 7222 0.00000000 微芯片技术 MIL-PRF-19500 大部分 积极的 -65°C 〜150°C(TJ) 底盘安装 NC 678-6 标准 NC 下载 Rohs不合规 到达不受影响 2266-678-6 Ear99 8541.10.0080 1 1.2 V @ 10 A 10 µA @ 600 V 25 a 三期 600 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库