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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) |
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![]() | JANTX1N4995 | - | ![]() | 6295 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/356 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | E,轴向 | 1N4995 | 5 w | E,轴向 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 2 µA @ 274 V | 360 v | 1400欧姆 | ||||||||
![]() | JANS1N4995US | - | ![]() | 1974年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/356 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | E,轴向 | 1N4995 | 5 w | E,轴向 | - | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 2 µA @ 274 V | 360 v | 1400欧姆 | ||||||||
![]() | JANTXV1N4996US | - | ![]() | 4919 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/356 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | E,轴向 | 1N4996 | 5 w | E,轴向 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 2 µA @ 297 V | 390 v | 1800欧姆 | ||||||||
![]() | JANTX1N5196 | - | ![]() | 5125 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/118 | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N5196 | 标准 | do-35 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 225 v | 1 V @ 100 ma | 1 µA @ 250 V | -65°C〜175°C | 200mA | - | |||||||
![]() | JANS1N5816 | - | ![]() | 6931 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/478 | 大部分 | 在sic中停产 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203AA,do-4,螺柱 | 肖特基 | DO-203AA(DO-4) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 150 v | 950 mv @ 20 a | 35 ns | 10 µA @ 150 V | -65°C〜175°C | 20a | 300pf @ 10V,1MHz | |||||||
![]() | JANTX1N5968 | - | ![]() | 1940年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/356 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | E,轴向 | 1N5968 | 5 w | E,轴向 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 5000 µA @ 4.28 V | 5.6 v | 1欧姆 | ||||||||
![]() | JANTX1N5968US | - | ![]() | 8411 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/356 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | E,轴向 | 1N5968 | 5 w | E,轴向 | - | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 5000 µA @ 4.28 V | 5.6 v | 1欧姆 | ||||||||
![]() | JANTXV1N5968US | - | ![]() | 7681 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/356 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | E,轴向 | 1N5968 | 5 w | E,轴向 | - | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 5000 µA @ 4.28 V | 5.6 v | 1欧姆 | ||||||||
![]() | JANTX1N5969 | - | ![]() | 9506 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/356 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | E,轴向 | 1N5969 | 5 w | E,轴向 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 1 mA @ 4.74 V | 6.2 v | 1欧姆 | ||||||||
![]() | JANS1N5969CUS | - | ![]() | 1375 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/356 | 大部分 | 积极的 | ±2% | -65°C〜175°C | 通过洞 | E,轴向 | 1N5969 | 5 w | E,轴向 | - | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 1 mA @ 4.74 V | 6.2 v | 1欧姆 | ||||||||
![]() | JANTX1N5969US | - | ![]() | 8046 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/356 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | E,轴向 | 5 w | E,轴向 | - | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 1 mA @ 4.74 V | 6.2 v | 1欧姆 | |||||||||
![]() | JANTX1N4101UR-1 | 9.0150 | ![]() | 5133 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/435 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | do-213aa | 1N4101 | 500兆 | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 1 µA @ 6.24 V | 8.2 v | 200欧姆 | ||||||||
JANTX1N4476 | 6.8000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/406 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1N4476 | 1.5 w | DO-204AL(DO-41) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 50 NA @ 24 V | 30 V | 20欧姆 | |||||||||
JANTX1N4479US | 16.6200 | ![]() | 500 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/406 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N4479 | 1.5 w | Melf,D5A | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 50 NA @ 31.2 V | 39 v | 30欧姆 | |||||||||
JANTX1N4489 | 14.4400 | ![]() | 637 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/406 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1N4489 | 1.5 w | DO-204AL(DO-41) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 250 na @ 80 V | 100 v | 250欧姆 | |||||||||
JANTX1N4623-1 | 4.3050 | ![]() | 2324 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/435 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N4623 | 500兆 | do-35 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 4 µA @ 2 V | 4.3 v | 1600欧姆 | |||||||||
![]() | JANTX1N4624UR-1 | 11.5500 | ![]() | 4769 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/435 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | do-213aa | 1N4624 | 500兆 | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 10 µA @ 3 V | 4.7 v | 1550年 | ||||||||
JANTX1N4627-1 | 5.3850 | ![]() | 7174 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/435 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N4627 | 500兆 | do-35 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 10 µA @ 5 V | 6.2 v | 1200欧姆 | |||||||||
JANTX1N4970 | 6.4800 | ![]() | 508 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/356 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | E,轴向 | 1N4970 | 5 w | - | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 2 µA @ 25.1 V | 33 V | 10欧姆 | |||||||||
JANTX1N4973 | 7.9000 | ![]() | 822 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/356 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | E,轴向 | 1N4973 | 5 w | - | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 2 µA @ 32.7 V | 43 V | 20欧姆 | |||||||||
JANTX1N4977US | 11.0700 | ![]() | 438 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/356 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | SQ-MELF,E | 1N4977 | 5 w | D-5B | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 2 µA @ 47.1 V | 62 v | 42欧姆 | |||||||||
JANTX1N4980 | 8.9200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/356 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | E,轴向 | 1N4980 | 5 w | - | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 2 µA @ 62.2 V | 82 v | 80欧姆 | |||||||||
![]() | JANTX1N5190 | 14.3100 | ![]() | 140 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/424 | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | B,轴向 | 1N5190 | 标准 | B,轴向 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.5 V @ 9 A | 400 ns | 2 µA @ 600 V | - | 3a | - | ||||||
![]() | JANTX1N5416 | 7.4100 | ![]() | 3697 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/411 | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | B,轴向 | 1N5416 | 标准 | B,轴向 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 1.5 V @ 9 A | 150 ns | 1 µA @ 100 V | -65°C〜175°C | 3a | - | ||||||
![]() | JANTX1N5535BUR-1 | 14.9100 | ![]() | 4099 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/437 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | do-213aa | 1N5535 | 500兆 | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 10 na @ 13.5 V | 15 v | 100欧姆 | ||||||||
JANTX1N5619 | 5.2400 | ![]() | 9569 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/429 | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | a,轴向 | 1N5619 | 标准 | a,轴向 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.6 V @ 3 A | 250 ns | 500 NA @ 600 V | -65°C〜175°C | 1a | - | |||||||
JANTX1N6326 | 13.6600 | ![]() | 69 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/533 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N6326 | 500兆 | do-35 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 A | 1 µA @ 9 V | 12 v | 7欧姆 | |||||||||
![]() | JANTX1N6640US | 8.4900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/609 | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | SQ-MELF,d | 1N6640 | 标准 | D-5D | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 50 V | 1 V @ 200 MA | 4 ns | 100 na @ 50 V | -65°C〜175°C | 300mA | - | ||||||
![]() | JANTX1N914UR | 6.7950 | ![]() | 8197 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/116 | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | do-213aa | 1N914 | 标准 | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 75 v | 1.2 V @ 50 mA | 5 ns | 500 NA @ 75 V | -65°C〜175°C | 200mA | 4pf @ 0v,1MHz | ||||||
![]() | JANTX1N968BUR-1 | 6.1800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/117 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | do-213aa | 1N968 | 500兆 | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 500 na @ 15 V | 20 v | 25欧姆 |
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