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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	电流 -io（io）	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
1N3156-1	31.5600	RFQ	2240	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向	1N3156		500兆	do-7	下载	Rohs不合规		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1		10 µA @ 5.5 V				8.4 v	15欧姆
1N4102UR-1	3.7950	RFQ	3086	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa	1N4102		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1	1.1 V @ 200 ma	500 NA @ 6.7 V				8.7 v	200欧姆
1N4114-1	2.4450	RFQ	6108	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4114		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1	1.1 V @ 200 ma	10 na @ 15.2 V				20 v	150欧姆
1N4116-1	3.7950	RFQ	8294	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4116		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1	1.1 V @ 200 ma	10 na @ 18.3 V				24 V	150欧姆
1N4119UR-1	3.7950	RFQ	9881	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa	1N4119		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1	1.1 V @ 200 ma	10 na @ 21.3 V				28 V	200欧姆
1N4124-1	2.6400	RFQ	7259	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4124		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1	1.1 V @ 200 ma	10 na @ 32.7 V				43 V	250欧姆
1N4570A-1	3.7800	RFQ	3431	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4570		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1		2 µA @ 3 V				6.4 v	100欧姆
1N4571-1	6.5250	RFQ	4824	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	0°C〜75°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4571		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1		2 µA @ 3 V				6.4 v	100欧姆
1N4576A-1	3.4950	RFQ	5566	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4576		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1		2 µA @ 3 V				6.4 v	50欧姆
1N4687	6.1650	RFQ	1926年	微芯片技术	MIL-PRF-19500	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4687		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1	1.1 V @ 200 ma	4 µA @ 2 V				4.3 v
1N4690	5.8350	RFQ	8896	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向	1N4690		500兆	do-7	下载	Rohs不合规		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1	1.1 V @ 200 ma	10 µA @ 4 V				5.6 v
1N4713	3.9300	RFQ	5885	微芯片技术	MIL-PRF-19500	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4713		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1	1.1 V @ 200 ma	10 na @ 22.8 V				30 V
1N5938A	3.4050	RFQ	2408	微芯片技术	MIL-PRF-19500	大部分	积极的	±10％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do041，轴向	1N5938		1.25 w	do-41	下载	Rohs不合规		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1	1.2 V @ 200 ma	1 µA @ 27.4 V				36 V	38欧姆
1N5938D	8.2950	RFQ	3764	微芯片技术	MIL-PRF-19500	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do041，轴向	1N5938		1.25 w	do-41	下载	Rohs不合规		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1	1.2 V @ 200 ma	1 µA @ 27.4 V				36 V	38欧姆
1N5985ur	3.5850	RFQ	6672	微芯片技术	*	大部分	积极的					1N5985				-	Rohs不合规		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1
1N5997ur	3.5850	RFQ	6167	微芯片技术	*	大部分	积极的					1N5997				-	Rohs不合规		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1
1N6001UR-1	3.5850	RFQ	4146	微芯片技术	*	大部分	积极的					1N6001				-	Rohs不合规		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1
1n6003ur	3.5850	RFQ	2472	微芯片技术	*	大部分	积极的					1N6003				-	Rohs不合规		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1
MQSPB25	613.7550	RFQ	4769	微芯片技术	-	大部分	积极的									-	Rohs不合规		到达不受影响		0000.00.0000	1
1N4438	204.6750	RFQ	6597	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C〜160°C（TA）	底盘，螺柱坐骑	模块		标准		模块	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	1	1.2 V @ 10 A	10 µA @ 600 V	10 a	单相	600 v
JANTXV1N991CUR-1	-	RFQ	2523	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	Rohs不合规		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1	1.3 V @ 200 ma	500 NA @ 137 V				180 v	2200欧姆
JANS1N4101C-1	67.5450	RFQ	5530	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	Rohs不合规		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1	1.1 V @ 200 ma	500 NA @ 6.3 V				8.2 v	200欧姆
JANS1N4113D-1	101.3100	RFQ	2431	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	Rohs不合规		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1	1.1 V @ 200 ma	50 NA @ 14.5 V				19 v	150欧姆
JANS1N4122C-1	67.5450	RFQ	8550	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	Rohs不合规		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1	1.1 V @ 200 ma	10 na @ 27.4 V				36 V	200欧姆
JANS1N4123C-1	67.5450	RFQ	6991	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	Rohs不合规		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1	1.1 V @ 200 ma	10 NA @ 29.7 V				39 v	200欧姆
JANTXV1N3330B	-	RFQ	3434	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/358	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱			50 W	do-5	-	Rohs不合规		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1	1.5 V @ 10 A	10 µA @ 35.8 V				47 V	5欧姆
JANTXV1N4562RB	-	RFQ	3134	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/114	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	to-204ad			50 W	TO-204AD（TO-3）	-	Rohs不合规		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1	1.5 V @ 10 A	20 µA @ 2 V				6.2 v	0.14欧姆
JANS1N4126CUR-1	97.9650	RFQ	4064	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	Rohs不合规		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1	1.1 V @ 200 ma	10 NA @ 38.8 V				51 v	300欧姆
JANS1N4127D-1	101.3100	RFQ	4108	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	Rohs不合规		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1	1.1 V @ 200 ma	10 na @ 42.6 V				56 v	300欧姆
JANS1N4130DUR-1	147.2700	RFQ	6308	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	Rohs不合规		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1	1.1 V @ 200 ma	10 na @ 51.7 V				68 v	700欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²