SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 ECCN htsus 标准包 速度 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) ((ZZT))
JANTX1N4995 Microchip Technology JANTX1N4995 -
RFQ
ECAD 6295 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 E,轴向 1N4995 5 w E,轴向 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 274 V 360 v 1400欧姆
JANS1N4995US Microchip Technology JANS1N4995US -
RFQ
ECAD 1974年 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 E,轴向 1N4995 5 w E,轴向 - Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 274 V 360 v 1400欧姆
JANTXV1N4996US Microchip Technology JANTXV1N4996US -
RFQ
ECAD 4919 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 E,轴向 1N4996 5 w E,轴向 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 297 V 390 v 1800欧姆
JANTX1N5196 Microchip Technology JANTX1N5196 -
RFQ
ECAD 5125 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/118 大部分 积极的 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N5196 标准 do-35 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 小信号= <200ma(io(io),任何速度 225 v 1 V @ 100 ma 1 µA @ 250 V -65°C〜175°C 200mA -
JANS1N5816 Microchip Technology JANS1N5816 -
RFQ
ECAD 6931 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/478 大部分 在sic中停产 底盘,螺柱坐骑 do-203AA,do-4,螺柱 肖特基 DO-203AA(DO-4) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 150 v 950 mv @ 20 a 35 ns 10 µA @ 150 V -65°C〜175°C 20a 300pf @ 10V,1MHz
JANTX1N5968 Microchip Technology JANTX1N5968 -
RFQ
ECAD 1940年 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 E,轴向 1N5968 5 w E,轴向 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 5000 µA @ 4.28 V 5.6 v 1欧姆
JANTX1N5968US Microchip Technology JANTX1N5968US -
RFQ
ECAD 8411 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 E,轴向 1N5968 5 w E,轴向 - Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 5000 µA @ 4.28 V 5.6 v 1欧姆
JANTXV1N5968US Microchip Technology JANTXV1N5968US -
RFQ
ECAD 7681 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 E,轴向 1N5968 5 w E,轴向 - Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 5000 µA @ 4.28 V 5.6 v 1欧姆
JANTX1N5969 Microchip Technology JANTX1N5969 -
RFQ
ECAD 9506 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 E,轴向 1N5969 5 w E,轴向 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 1 mA @ 4.74 V 6.2 v 1欧姆
JANS1N5969CUS Microchip Technology JANS1N5969CUS -
RFQ
ECAD 1375 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±2% -65°C〜175°C 通过洞 E,轴向 1N5969 5 w E,轴向 - Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 1 mA @ 4.74 V 6.2 v 1欧姆
JANTX1N5969US Microchip Technology JANTX1N5969US -
RFQ
ECAD 8046 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 E,轴向 5 w E,轴向 - Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 1 mA @ 4.74 V 6.2 v 1欧姆
JANTX1N4101UR-1 Microchip Technology JANTX1N4101UR-1 9.0150
RFQ
ECAD 5133 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/435 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 表面安装 do-213aa 1N4101 500兆 do-213aa 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 1 µA @ 6.24 V 8.2 v 200欧姆
JANTX1N4476 Microchip Technology JANTX1N4476 6.8000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/406 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N4476 1.5 w DO-204AL(DO-41) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 50 NA @ 24 V 30 V 20欧姆
JANTX1N4479US Microchip Technology JANTX1N4479US 16.6200
RFQ
ECAD 500 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/406 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N4479 1.5 w Melf,D5A 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 50 NA @ 31.2 V 39 v 30欧姆
JANTX1N4489 Microchip Technology JANTX1N4489 14.4400
RFQ
ECAD 637 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/406 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N4489 1.5 w DO-204AL(DO-41) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 250 na @ 80 V 100 v 250欧姆
JANTX1N4623-1 Microchip Technology JANTX1N4623-1 4.3050
RFQ
ECAD 2324 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/435 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N4623 500兆 do-35 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 4 µA @ 2 V 4.3 v 1600欧姆
JANTX1N4624UR-1 Microchip Technology JANTX1N4624UR-1 11.5500
RFQ
ECAD 4769 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/435 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 表面安装 do-213aa 1N4624 500兆 do-213aa 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 10 µA @ 3 V 4.7 v 1550年
JANTX1N4627-1 Microchip Technology JANTX1N4627-1 5.3850
RFQ
ECAD 7174 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/435 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N4627 500兆 do-35 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 10 µA @ 5 V 6.2 v 1200欧姆
JANTX1N4970 Microchip Technology JANTX1N4970 6.4800
RFQ
ECAD 508 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 E,轴向 1N4970 5 w - 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 25.1 V 33 V 10欧姆
JANTX1N4973 Microchip Technology JANTX1N4973 7.9000
RFQ
ECAD 822 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 E,轴向 1N4973 5 w - 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 32.7 V 43 V 20欧姆
JANTX1N4977US Microchip Technology JANTX1N4977US 11.0700
RFQ
ECAD 438 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 表面安装 SQ-MELF,E 1N4977 5 w D-5B 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 47.1 V 62 v 42欧姆
JANTX1N4980 Microchip Technology JANTX1N4980 8.9200
RFQ
ECAD 1 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 E,轴向 1N4980 5 w - 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 62.2 V 82 v 80欧姆
JANTX1N5190 Microchip Technology JANTX1N5190 14.3100
RFQ
ECAD 140 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/424 大部分 积极的 通过洞 B,轴向 1N5190 标准 B,轴向 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.5 V @ 9 A 400 ns 2 µA @ 600 V - 3a -
JANTX1N5416 Microchip Technology JANTX1N5416 7.4100
RFQ
ECAD 3697 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/411 大部分 积极的 通过洞 B,轴向 1N5416 标准 B,轴向 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 1.5 V @ 9 A 150 ns 1 µA @ 100 V -65°C〜175°C 3a -
JANTX1N5535BUR-1 Microchip Technology JANTX1N5535BUR-1 14.9100
RFQ
ECAD 4099 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/437 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 表面安装 do-213aa 1N5535 500兆 do-213aa 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 10 na @ 13.5 V 15 v 100欧姆
JANTX1N5619 Microchip Technology JANTX1N5619 5.2400
RFQ
ECAD 9569 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/429 大部分 积极的 通过洞 a,轴向 1N5619 标准 a,轴向 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.6 V @ 3 A 250 ns 500 NA @ 600 V -65°C〜175°C 1a -
JANTX1N6326 Microchip Technology JANTX1N6326 13.6600
RFQ
ECAD 69 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/533 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N6326 500兆 do-35 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.4 V @ 1 A 1 µA @ 9 V 12 v 7欧姆
JANTX1N6640US Microchip Technology JANTX1N6640US 8.4900
RFQ
ECAD 5 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/609 大部分 积极的 表面安装 SQ-MELF,d 1N6640 标准 D-5D 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 50 V 1 V @ 200 MA 4 ns 100 na @ 50 V -65°C〜175°C 300mA -
JANTX1N914UR Microchip Technology JANTX1N914UR 6.7950
RFQ
ECAD 8197 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/116 大部分 积极的 表面安装 do-213aa 1N914 标准 do-213aa 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 小信号= <200ma(io(io),任何速度 75 v 1.2 V @ 50 mA 5 ns 500 NA @ 75 V -65°C〜175°C 200mA 4pf @ 0v,1MHz
JANTX1N968BUR-1 Microchip Technology JANTX1N968BUR-1 6.1800
RFQ
ECAD 1 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/117 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 表面安装 do-213aa 1N968 500兆 do-213aa 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 500 na @ 15 V 20 v 25欧姆
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库