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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
CDLL4112/TR	3.4048	RFQ	7077	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf			500兆	do-213ab	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL4112/tr	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 13.7 V				18 V	100欧姆
1N3899	48.5400	RFQ	2704	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N3899	标准		DO-203AB（DO-5）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		50 V		1.4 V @ 63 A	200 ns	50 µA @ 50 V	-65°C〜150°C	20a	150pf @ 10V，1MHz
JANTXV1N6329US	-	RFQ	1921年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	在sic中停产	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 A		50 na @ 12 V				16 V	12欧姆
JANTXV1N3996RA	-	RFQ	3706	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/124	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱			10 W	DO-213AA（DO-4）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 2 A		10 µA @ 1 V				5.1 v	1.1欧姆
1月1N3045C-1	17.3250	RFQ	8810	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±2％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N3045		1 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 83.6 V				110 v	450欧姆
1N2248A	44.1600	RFQ	1623年	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱		标准		DO-4（do-203AA）	下载			到达不受影响	150-1N2248A	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		100 v		1.2 V @ 30 A		10 µA @ 100 V	-65°C 〜200°C	22a	-
CDLL821	3.9450	RFQ	6516	微芯片技术	*	大部分	积极的					CDLL821				-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1
DSB3A30	-	RFQ	6034	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	DSB3A30	肖特基			下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		30 V		500 mv @ 3 a		100 µA @ 30 V	-65°C〜125°C	3a	-
1N5256B	2.1000	RFQ	1674年	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5256		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	1N5256BMS	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 200 ma		100 na @ 23 V				30 V	49欧姆
Jan1n6336c	39.6300	RFQ	1612	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-JAN1N6336C	Ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 A		50 na @ 25 V				33 V	40欧姆
1N2252	44.1600	RFQ	9716	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱		标准		DO-4（do-203AA）	下载			到达不受影响	150-1N2252	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		300 v		1.2 V @ 30 A		10 µA @ 300 V	-65°C 〜200°C	22a	-
1N456A/tr	3.5850	RFQ	3800	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N456	标准		DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-1N456A/tr	Ear99	8541.10.0070	264	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）							175°C	500mA	-
JANTXV1N3036C-1	38.0400	RFQ	4634	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±2％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N3036		1 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 35.8 V				47 V	80欧姆
Jan1n55330b-1/tr	5.0407	RFQ	1380	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N55330B-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 9.1 V				10 v	60欧姆
1N823A-1	4.5150	RFQ	9997	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V				6.2 v	10欧姆
JAN1N4122D-1/TR	11.7838	RFQ	5685	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N4122D-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 27.4 V				36 V	200欧姆
1N5276BUR-1	5.1900	RFQ	5603	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa	1N5276		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		100 na @ 114 V				150 v	1500欧姆
JANTXV1N4463US	17.2200	RFQ	4391	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，a	1N4463		1.5 w	D-5A	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1 V @ 200 MA		500 NA @ 4.92 V				8.2 v	3欧姆
JANTXV1N7043CAT1	218.3550	RFQ	8367	微芯片技术	MIL-PRF-19500/730	大部分	积极的			通过洞	TO-254-3，TO-254AA	1N7043	肖特基		TO-254AA	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对公共阳极	100 v	35a	1.3 V @ 35 A		500 µA @ 100 V	-65°C〜150°C
JANTXV1N4465D	38.4450	RFQ	2273	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4465		1.5 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1 V @ 200 MA		300 na @ 8 V				10 v	5欧姆
Jan1n3345b	-	RFQ	8975	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/358	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱			50 W	do-5	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N3345B	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 10 A		10 µA @ 114 V				140 v	60欧姆
1N2788	74.5200	RFQ	6813	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱		标准		DO-5（do-203ab）	下载			到达不受影响	150-1N2788	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		200 v		1.25 V @ 200 A		25 µA @ 200 V	-65°C 〜200°C	70a	-
1N5956C	7.5750	RFQ	5298	微芯片技术	MIL-PRF-19500	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do041，轴向	1N5956		1.25 w	do-41	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 152 V				200 v	1200欧姆
Jan1n4119c-1/tr	9.4430	RFQ	7681	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N4119C-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 21.3 V				28 V	200欧姆
JANTXV1N4133D-1/TR	25.8153	RFQ	1371	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N4133D-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 66.2 V				87 v	1000欧姆
CD4692	2.3408	RFQ	3760	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CD4692	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 200 ma		10 µA @ 5.1 V				6.8 v
JANTX1N6677-1	-	RFQ	7599	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/610	大部分	积极的			表面安装	do-213aa	1N6677	肖特基		do-213aa	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度		40 V		500 mV @ 200 ma		5 µA @ 40 V	-65°C〜125°C	200mA	-
1N714	2.7150	RFQ	7193	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N714		250兆	do-35	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1											10 v	8欧姆
1N5538C	11.3550	RFQ	2896	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-1N5538C	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 16.2 V				18 V	100欧姆
JANTX1N3018B-1	-	RFQ	3166	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	在sic中停产	±5％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		50 µA @ 6.2 V				8.2 v	4.5欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²