SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 ECCN htsus 标准包 速度 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) ((ZZT))
JANTXV1N3039B-1 Microchip Technology JANTXV1N3039B-1 11.8800
RFQ
ECAD 9489 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/115 大部分 积极的 ±5% -55°C 〜175°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N3039 1 w do-41 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 47.1 V 62 v 125欧姆
JAN1N3039BUR-1 Microchip Technology Jan1n3039bur-1 12.7350
RFQ
ECAD 3906 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/115 大部分 积极的 ±5% -55°C 〜175°C 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N3039 1 w DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 47.1 V 62 v 125欧姆
JANTX1N3039BUR-1 Microchip Technology JANTX1N3039BUR-1 14.5800
RFQ
ECAD 3967 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/115 大部分 积极的 ±5% -55°C 〜175°C 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N3039 1 w DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 47.1 V 62 v 125欧姆
JANTX1N3039C-1 Microchip Technology JANTX1N3039C-1 25.5600
RFQ
ECAD 1563年 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/115 大部分 积极的 ±2% -55°C 〜175°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N3039 1 w do-41 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 47.1 V 62 v 125欧姆
JAN1N3039CUR-1 Microchip Technology JAN1N3039CUR-1 32.5950
RFQ
ECAD 8255 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/115 大部分 积极的 ±2% -55°C 〜175°C 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N3039 1 w DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 47.1 V 62 v 125欧姆
JANTXV1N3039DUR-1 Microchip Technology JANTXV1N3039DUR-1 56.9100
RFQ
ECAD 8061 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/115 大部分 积极的 ±1% -55°C 〜175°C 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N3039 1 w DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 47.1 V 62 v 125欧姆
JANTXV1N3040BUR-1 Microchip Technology JANTXV1N3040BUR-1 18.0150
RFQ
ECAD 4958 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/115 大部分 积极的 ±5% -55°C 〜175°C 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N3040 1 w DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 51.7 V 68 v 150欧姆
JANTX1N3040C-1 Microchip Technology JANTX1N3040C-1 25.5600
RFQ
ECAD 6736 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/115 大部分 积极的 ±2% -55°C 〜175°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N3040 1 w do-41 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 51.7 V 68 v 150欧姆
JANTX1N3040CUR-1 Microchip Technology JANTX1N3040CUR-1 37.3500
RFQ
ECAD 3408 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/115 大部分 积极的 ±2% -55°C 〜175°C 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N3040 1 w DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 51.7 V 68 v 150欧姆
JANTX1N3041BUR-1 Microchip Technology JANTX1N3041BUR-1 14.5800
RFQ
ECAD 3421 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/115 大部分 积极的 ±5% -55°C 〜175°C 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N3041 1 w DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 56 V 75 v 175欧姆
JANTXV1N3041BUR-1 Microchip Technology JANTXV1N3041BUR-1 18.0150
RFQ
ECAD 2359 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/115 大部分 积极的 ±5% -55°C 〜175°C 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N3041 1 w DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 56 V 75 v 175欧姆
JAN1N3042BUR-1 Microchip Technology Jan1n3042bur-1 12.7350
RFQ
ECAD 9921 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/115 大部分 积极的 ±5% -55°C 〜175°C 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N3042 1 w DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 62.2 V 82 v 200欧姆
JAN1N3042DUR-1 Microchip Technology JAN1N3042DUR-1 40.7250
RFQ
ECAD 3558 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/115 大部分 积极的 ±1% -55°C 〜175°C 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N3042 1 w DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 62.2 V 82 v 200欧姆
JANTX1N3043B-1 Microchip Technology JANTX1N3043B-1 10.0650
RFQ
ECAD 7314 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/115 大部分 积极的 ±5% -55°C 〜175°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N3043 1 w do-41 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 69.2 V 91 v 250欧姆
JANTXV1N3043B-1 Microchip Technology JANTXV1N3043B-1 11.8800
RFQ
ECAD 8929 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/115 大部分 积极的 ±5% -55°C 〜175°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N3043 1 w do-41 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 69.2 V 91 v 250欧姆
JAN1N3043C-1 Microchip Technology JAN1N3043C-1 17.3250
RFQ
ECAD 9201 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/115 大部分 积极的 ±2% -55°C 〜175°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N3043 1 w do-41 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 69.2 V 91 v 250欧姆
JAN1N3043CUR-1 Microchip Technology JAN1N3043CUR-1 24.1200
RFQ
ECAD 6933 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/115 大部分 积极的 ±2% -55°C 〜175°C 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N3043 1 w DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 69.2 V 91 v 250欧姆
JANTX1N3043CUR-1 Microchip Technology JANTX1N3043CUR-1 37.3500
RFQ
ECAD 8950 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/115 大部分 积极的 ±2% -55°C 〜175°C 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N3043 1 w DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 69.2 V 91 v 250欧姆
JAN1N3043DUR-1 Microchip Technology JAN1N3043DUR-1 30.1500
RFQ
ECAD 2155 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/115 大部分 积极的 ±1% -55°C 〜175°C 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N3043 1 w DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 69.2 V 91 v 250欧姆
JANTX1N3044B-1 Microchip Technology JANTX1N3044B-1 -
RFQ
ECAD 3941 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/115 大部分 在sic中停产 ±5% -55°C 〜175°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1 w do-41 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 76 V 100 v 350欧姆
JANTXV1N3044BUR-1 Microchip Technology JANTXV1N3044BUR-1 18.0150
RFQ
ECAD 1873年 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/115 大部分 积极的 ±5% -55°C 〜175°C 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N3044 1 w DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 76 V 100 v 350欧姆
JANTXV1N3044DUR-1 Microchip Technology JANTXV1N3044DUR-1 56.9100
RFQ
ECAD 4984 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/115 大部分 积极的 ±1% -55°C 〜175°C 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N3044 1 w DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 76 V 100 v 350欧姆
JANTXV1N3045B-1 Microchip Technology JANTXV1N3045B-1 11.8800
RFQ
ECAD 1692年 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/115 大部分 积极的 ±5% -55°C 〜175°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N3045 1 w do-41 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 83.6 V 110 v 450欧姆
JANTXV1N3045BUR-1 Microchip Technology JANTXV1N3045BUR-1 18.0150
RFQ
ECAD 1499年 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/115 大部分 积极的 ±5% -55°C 〜175°C 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N3045 1 w DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 83.6 V 110 v 450欧姆
JANTXV1N3045CUR-1 Microchip Technology JANTXV1N3045CUR-1 46.1250
RFQ
ECAD 9807 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/115 大部分 积极的 ±2% -55°C 〜175°C 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N3045 1 w DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 83.6 V 110 v 450欧姆
JAN1N3045DUR-1 Microchip Technology JAN1N3045DUR-1 40.7250
RFQ
ECAD 2253 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/115 大部分 积极的 ±1% -55°C 〜175°C 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N3045 1 w DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 83.6 V 110 v 450欧姆
JANTX1N3045DUR-1 Microchip Technology JANTX1N3045DUR-1 46.6950
RFQ
ECAD 7317 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/115 大部分 积极的 ±1% -55°C 〜175°C 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N3045 1 w DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 83.6 V 110 v 450欧姆
JANTX1N3595A-1 Microchip Technology JANTX1N3595A-1 4.6500
RFQ
ECAD 1103 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/241 大部分 积极的 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N3595 标准 do-35 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 小信号= <200ma(io(io),任何速度 125 v 920 MV @ 100 mA 3 µs 2 NA @ 125 V -65°C〜175°C 150mA -
JAN1N3595AUR-1 Microchip Technology JAN1N3595AR-1 10.8000
RFQ
ECAD 7331 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/241 大部分 积极的 表面安装 do-213aa 1N3595 标准 do-213aa 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 小信号= <200ma(io(io),任何速度 125 v 920 MV @ 100 mA 3 µs 2 NA @ 125 V -65°C〜175°C 150mA -
JANTX1N3645 Microchip Technology JANTX1N3645 11.3100
RFQ
ECAD 5005 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/279 大部分 积极的 通过洞 S,轴向 1N3645 标准 S,轴向 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 2000 v 5 V @ 250 MA 5 µA @ 2000 V -65°C〜175°C 250mA -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库