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![]() | JANTX1N3039BUR-1 | 14.5800 | ![]() | 3967 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/115 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -55°C 〜175°C | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N3039 | 1 w | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 ma | 10 µA @ 47.1 V | 62 v | 125欧姆 | ||||||||
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![]() | JANTX1N3041BUR-1 | 14.5800 | ![]() | 3421 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/115 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -55°C 〜175°C | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N3041 | 1 w | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 ma | 10 µA @ 56 V | 75 v | 175欧姆 | ||||||||
![]() | JANTXV1N3041BUR-1 | 18.0150 | ![]() | 2359 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/115 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -55°C 〜175°C | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N3041 | 1 w | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 ma | 10 µA @ 56 V | 75 v | 175欧姆 | ||||||||
![]() | Jan1n3042bur-1 | 12.7350 | ![]() | 9921 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/115 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -55°C 〜175°C | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N3042 | 1 w | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 ma | 10 µA @ 62.2 V | 82 v | 200欧姆 | ||||||||
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![]() | JAN1N3043CUR-1 | 24.1200 | ![]() | 6933 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/115 | 大部分 | 积极的 | ±2% | -55°C 〜175°C | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N3043 | 1 w | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 ma | 10 µA @ 69.2 V | 91 v | 250欧姆 | ||||||||
![]() | JANTX1N3043CUR-1 | 37.3500 | ![]() | 8950 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/115 | 大部分 | 积极的 | ±2% | -55°C 〜175°C | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N3043 | 1 w | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 ma | 10 µA @ 69.2 V | 91 v | 250欧姆 | ||||||||
![]() | JAN1N3043DUR-1 | 30.1500 | ![]() | 2155 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/115 | 大部分 | 积极的 | ±1% | -55°C 〜175°C | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N3043 | 1 w | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 ma | 10 µA @ 69.2 V | 91 v | 250欧姆 | ||||||||
JANTX1N3044B-1 | - | ![]() | 3941 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/115 | 大部分 | 在sic中停产 | ±5% | -55°C 〜175°C | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1 w | do-41 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 ma | 10 µA @ 76 V | 100 v | 350欧姆 | ||||||||||
![]() | JANTXV1N3044BUR-1 | 18.0150 | ![]() | 1873年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/115 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -55°C 〜175°C | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N3044 | 1 w | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 ma | 10 µA @ 76 V | 100 v | 350欧姆 | ||||||||
![]() | JANTXV1N3044DUR-1 | 56.9100 | ![]() | 4984 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/115 | 大部分 | 积极的 | ±1% | -55°C 〜175°C | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N3044 | 1 w | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 ma | 10 µA @ 76 V | 100 v | 350欧姆 | ||||||||
![]() | JANTXV1N3045B-1 | 11.8800 | ![]() | 1692年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/115 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -55°C 〜175°C | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1N3045 | 1 w | do-41 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 ma | 10 µA @ 83.6 V | 110 v | 450欧姆 | ||||||||
![]() | JANTXV1N3045BUR-1 | 18.0150 | ![]() | 1499年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/115 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -55°C 〜175°C | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N3045 | 1 w | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 ma | 10 µA @ 83.6 V | 110 v | 450欧姆 | ||||||||
![]() | JANTXV1N3045CUR-1 | 46.1250 | ![]() | 9807 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/115 | 大部分 | 积极的 | ±2% | -55°C 〜175°C | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N3045 | 1 w | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 ma | 10 µA @ 83.6 V | 110 v | 450欧姆 | ||||||||
![]() | JAN1N3045DUR-1 | 40.7250 | ![]() | 2253 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/115 | 大部分 | 积极的 | ±1% | -55°C 〜175°C | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N3045 | 1 w | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 ma | 10 µA @ 83.6 V | 110 v | 450欧姆 | ||||||||
![]() | JANTX1N3045DUR-1 | 46.6950 | ![]() | 7317 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/115 | 大部分 | 积极的 | ±1% | -55°C 〜175°C | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N3045 | 1 w | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 ma | 10 µA @ 83.6 V | 110 v | 450欧姆 | ||||||||
![]() | JANTX1N3595A-1 | 4.6500 | ![]() | 1103 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/241 | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N3595 | 标准 | do-35 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 125 v | 920 MV @ 100 mA | 3 µs | 2 NA @ 125 V | -65°C〜175°C | 150mA | - | ||||||
![]() | JAN1N3595AR-1 | 10.8000 | ![]() | 7331 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/241 | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | do-213aa | 1N3595 | 标准 | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 125 v | 920 MV @ 100 mA | 3 µs | 2 NA @ 125 V | -65°C〜175°C | 150mA | - | ||||||
![]() | JANTX1N3645 | 11.3100 | ![]() | 5005 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/279 | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | S,轴向 | 1N3645 | 标准 | S,轴向 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 2000 v | 5 V @ 250 MA | 5 µA @ 2000 V | -65°C〜175°C | 250mA | - |
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