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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
1 PMT4124CE3/TR7	0.4950	RFQ	3064	微芯片技术	PowerMite®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午4124		1 w	do-216	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.1 V @ 200 ma		10 NA @ 32.65 V				43 V	250欧姆
JANTXV1N5527DUR-1	61.9050	RFQ	8162	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N5527		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 6.8 V				7.5 v	35欧姆
1N457A/tr	3.9600	RFQ	9155	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		标准，反极性		DO-35（do-204AH）	下载			到达不受影响	150-1N457A/tr	Ear99	8541.10.0070	239	小信号= <200ma（io（io），任何速度	70 v	1 V @ 100 ma		1 µA @ 70 V	-65°C〜150°C	150mA	-
JANTX1N5519D-1	21.9150	RFQ	1473	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5519		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		3 µA @ 1 V				3.6 v	24欧姆
Jan1n4127c-1	10.5000	RFQ	8146	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4127			DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 42.6 V				56 v	300欧姆
Jan1n938bur-1/tr	-	RFQ	1184	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/156	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N938BUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					10 µA @ 6 V				9 V	20欧姆
APT30DQ60KG	0.8900	RFQ	1924年	微芯片技术	-	管子	积极的			通过洞	TO-220-2	APT30DQ60	标准		TO-220 [K]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	600 v	2.4 V @ 30 A	30 ns	25 µA @ 600 V	-55°C 〜175°C	30a	-
1 PMT5939/TR13	2.2200	RFQ	5842	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		3 W	do-216aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	12,000			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 29.7 V				39 v	45欧姆
SMBJ5944AE3/TR13	0.8850	RFQ	8902	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5944		2 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 47.1 V				62 v	100欧姆
1N5354BE3/TR12	2.6850	RFQ	2465	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5354		5 w	T-18	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 1 A		500 NA @ 12.2 V				17 V	2.5欧姆
JANTXV1N5968	346.7100	RFQ	1	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	E，轴向	1N5968		5 w	E，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		5000 µA @ 4.28 V				5.6 v	1欧姆
CDLL4900/tr	206.4750	RFQ	1428	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜100°C	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL4900/tr	Ear99	8541.10.0050	1					15 µA @ 8 V				12.8 v	200欧姆
1N2230	44.1600	RFQ	8801	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱		标准		DO-4（do-203AA）	下载			到达不受影响	150-1N2230	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	200 v	1.3 V @ 30 A		10 µA @ 200 V	-65°C 〜200°C	5a	-
JAN1N4624CUR-1/TR	15.0024	RFQ	2357	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N4624CUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 3 V				4.7 v	1550年
JANTX1N6328DUS/TR	58.0500	RFQ	6283	微芯片技术	MIL-PRF-19500/533	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-				150-JANTX1N6328DUS/TR	Ear99	8541.10.0050	100			1.4 V @ 1 A		50 na @ 11 V				15 v	10欧姆
1N4750CPE3/TR12	1.1550	RFQ	2082	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4750		1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	4,000			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 20.6 V				27 V	35欧姆
UFS370GE3/TR13	1.5000	RFQ	1243	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	do-215ab，SMC Gull机翼	UFS370	标准		do-215ab	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	700 v	1.2 V @ 3 A	60 ns	10 µA @ 700 V	-55°C 〜175°C	3a	-
JANTX1N981B-1/TR	3.2319	RFQ	4478	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N981		500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N981B-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 52 V				68 v	230欧姆
1月1N2979RB	-	RFQ	8058	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/124	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱			10 W	DO-213AA（DO-4）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 A		10 µA @ 11.4 V				15 v	3欧姆
CDLL5540D/TR	16.3950	RFQ	1809年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-			到达不受影响	150-CDLL5540D/tr	Ear99	8541.10.0050	100			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 18 V				20 v	100欧姆
CD5545B	2.0349	RFQ	5222	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CD5545B	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 ma		10 na @ 27 V				30 V	100欧姆
SMBG5385A/TR13	2.2200	RFQ	6659	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-215AA，SMB海鸥翼	SMBG5385		5 w	SMBG（DO-215AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 1 A		500 NA @ 122 V				170 v	380欧姆
jankca1n5535b	-	RFQ	8770	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANKCA1N5535B	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 13.5 V				15 v	100欧姆
JAN1N4615C-1	9.5850	RFQ	4031	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4615		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		2.5 µA @ 1 V				2 v	1250欧姆
JANS1N6355DUS/TR	-	RFQ	7739	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-			到达不受影响	150-JANS1N6355DUS/TR	Ear99	8541.10.0050	50			1.4 V @ 1 A		50 NA @ 152 V				200 v	1800欧姆
UPR30/TR7	3.3300	RFQ	2167	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	do-216aa	UPR30	标准		Powermite	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	300 v	1.25 V @ 1 A	50 ns	10 µA @ 300 V	-55°C〜150°C	2a	-
JANTXV1N4249	8.0100	RFQ	9240	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/286	大部分	积极的			通过洞	a，轴向	1N4249	标准		a，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	1000 v	1.3 V @ 3 A	5 µs	1 µA @ 1000 V	-65°C〜175°C	1a	-
SMBJ5930AE3/TR13	0.8850	RFQ	6774	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5930		2 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 12.2 V				16 V	10欧姆
JANTX1N5529BUR-1/TR	13.1803	RFQ	1872年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N5529BUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		100 na @ 8.2 V				9.1 v	45欧姆
1n6031d	6.9600	RFQ	3762	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6031		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		100 NA @ 152 V				200 v	2000年

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²