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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
JANS1N4463C	186.3750	RFQ	5929	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1.5 w	do-41	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		500 NA @ 4.92 V				8.2 v	2.5欧姆
JANTXV1N6642UB	-	RFQ	5854	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/578	大部分	在sic中停产			表面安装	3-SMD，没有铅		标准		UB	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	75 v	1.2 V @ 100 ma	20 ns	500 NA @ 75 V	-65°C〜175°C	300mA	-
JANTXV1N6348DUS/TR	68.7000	RFQ	1048	微芯片技术	MIL-PRF-19500/533	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-				150-JANTXV1N6348DUS/TR	Ear99	8541.10.0050	100			1.4 V @ 1 A		50 NA @ 76 V				100 v	340欧姆
JAN1N4124CUR-1/TR	19.9367	RFQ	1863年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）				do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N4124CUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 32.7 V				43 V	250欧姆
JANTXV1N4974C	2000年222日	RFQ	2462	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	E，轴向			5 w	E，轴向	-			到达不受影响	150-JANTXV1N4974C	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		2 µA @ 35.8 V				47 V	25欧姆
JANS1N5620/TR	50.0550	RFQ	6084	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/429	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	a，轴向		标准		a，轴向	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N5620/TR	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	800 v	1.6 V @ 3 A		500 µA @ 400 V	-65°C 〜200°C	1a	-
1月1N963BUR-1/TR	4.3890	RFQ	5429	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N963BUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 9.1 V				12 v	11.5欧姆
CDLL5262A	2.9400	RFQ	4682	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL5262		10兆	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		100 na @ 39 V				51 v	125欧姆
jankca1n4108d	-	RFQ	8501	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	-			到达不受影响	150-JANKCA1N4108D	Ear99	8541.10.0050	100			1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 10.65 V				14 V	200欧姆
1N4589R	102.2400	RFQ	8746	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205aa，do-8，螺柱		标准，反极性		DO-205AA（DO-8）	下载			到达不受影响	150-1N4589R	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	300 v	1.1 V @ 200 A		50 µA @ 300 V	-65°C 〜200°C	150a	-
1N6773	302.0100	RFQ	5251	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-1N6773	Ear99	8541.10.0080	1
JANTX1N4473/TR	9.7489	RFQ	4625	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1.5 w	DO-204AL（DO-41）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N4473/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		50 NA @ 17.6 V				22 v	14欧姆
1N4687E3	6.2850	RFQ	4383	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-1N4687E3	Ear99	8541.10.0050	1
UZ8724	22.4400	RFQ	9723	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	a，轴向			1 w	a，轴向	-			到达不受影响	150-UZ8724	Ear99	8541.10.0050	1					500 na @ 18.2 V				24 V	25欧姆
1N5927AE3/TR13	-	RFQ	9637	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5927		1.5 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	5,000			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 9.1 V				12 v	6.5欧姆
S38140	61.1550	RFQ	5824	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-S38140			1
JANS1N6489CUS	-	RFQ	1148	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	a，平方米	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		4 µA @ 1 V				4.7 v	8欧姆
1N4109/tr	2.3408	RFQ	5720	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-204AH（DO-35）（DO-35）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N4109/tr	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 11.4 V				15 v	100欧姆
JANTX1N757CUR-1/TR	9.8021	RFQ	7681	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N757CUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 7 V				9.1 v	10欧姆
Janhca1n982b	8.5785	RFQ	8739	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向			500兆	DO-7（do-204AA）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-Janhca1n982b	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 56 V				75 v	270欧姆
CDLL5258C	6.7200	RFQ	6136	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa			10兆	do-213aa	-			到达不受影响	150-CDLL5258C	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		100 na @ 27 V				36 V	70欧姆
JAN1N4115D-1	13.1400	RFQ	5245	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4115			DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 16.8 V				22 v	150欧姆
Janhca1n4566a	8.4300	RFQ	1251	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/452	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜100°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-Janhca1n4566a	Ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V				6.4 v	200欧姆
1N5417E3/tr	5.2050	RFQ	8779	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/411	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	B，轴向		标准		B，轴向	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N5417E3/tr	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	200 v	1.5 V @ 9 A	150 ns		-65°C〜175°C	3a	-
1N4247	5.0700	RFQ	655	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	a，轴向	1N4247	标准		a，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	600 v	1.3 V @ 3 A	5 µs	1 µA @ 600 V	-65°C〜175°C	1a	-
CDLL0.5A40	2.9925	RFQ	6306	微芯片技术	-	大部分	积极的			表面安装	do-213aa	CDLL0.5	肖特基		do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	40 V	650 MV @ 500 mA		10 µA @ 40 V	-65°C〜125°C	500mA	50pf @ 0v，1MHz
1N3735R	158.8200	RFQ	5148	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205ab，do-9，螺柱		标准，反极性		DO-205AB（DO-9）	下载			到达不受影响	150-1N3735R	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	100 v	1.3 V @ 300 A		75 µA @ 100 V	-65°C 〜190°C	275a	-
CDLL6309	14.0250	RFQ	6450	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa	CDLL6309		500兆	do-213aa	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	CDLL6309米	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		100 µA @ 1 V				2.4 v	30欧姆
SMBG5371B/TR13	2.2500	RFQ	2642	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-215AA，SMB海鸥翼	SMBG5371		5 w	SMBG（DO-215AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 1 A		500 NA @ 43 V				60 V	40欧姆
1C5811-MSCL	7.2750	RFQ	3194	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-1C5811-MSCL			1

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²