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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
1N941	5.4000	RFQ	3741	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向	1N941		500兆	do-7	下载	Rohs不合规		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1				15 µA @ 8 V				11.7 v	30欧姆
1N4580AR-1	5.4300	RFQ	5774	微芯片技术	-	大部分	积极的	-	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa	1N4580		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1				2 µA @ 3 V					25欧姆
1N4584A-1	26.9100	RFQ	6522	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-55°C〜100°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4584		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1				2 µA @ 3 V				6.4 v	25欧姆
1N4679	3.9300	RFQ	5849	微芯片技术	MIL-PRF-19500	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4679		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	5 µA @ 1 V				2 v
1N4687	6.1650	RFQ	1926年	微芯片技术	MIL-PRF-19500	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4687		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	4 µA @ 2 V				4.3 v
1N4690	5.8350	RFQ	8896	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向	1N4690		500兆	do-7	下载	Rohs不合规		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	10 µA @ 4 V				5.6 v
1N4692UR-1	5.0850	RFQ	6238	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa	1N4692		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 100 ma	10 µA @ 5.1 V				6.8 v
1N4697	4.8300	RFQ	6011	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向	1N4697		500兆	do-7	下载	Rohs不合规		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	1 µA @ 7.6 V				10 v
1N4702	3.9300	RFQ	2920	微芯片技术	MIL-PRF-19500	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4702		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	50 NA @ 11.4 V				15 v
1N4702UR-1	5.0850	RFQ	3578	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa	1N4702		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 100 ma	50 NA @ 11.4 V				15 v
1N4703	3.9300	RFQ	5761	微芯片技术	MIL-PRF-19500	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4703		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	50 NA @ 12.1 V				16 V
1N4707UR-1	5.0850	RFQ	6614	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa	1N4707		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 100 ma	10 na @ 15.2 V				20 v
1N4711ur-1	5.0850	RFQ	3217	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa	1N4711		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 100 ma	10 na @ 20.4 V				27 V
1N4713	3.9300	RFQ	5885	微芯片技术	MIL-PRF-19500	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4713		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	10 na @ 22.8 V				30 V
1N4717	3.9300	RFQ	8205	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向	1N4717		500兆	do-7	下载	Rohs不合规		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	10 na @ 32.6 V				43 V
1N4717UR-1	5.0850	RFQ	7803	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa	1N4717		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 100 ma	10 na @ 32.6 V				43 V
1N4724	53.3550	RFQ	8233	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	轴向	1N4724	标准		轴向	下载	Rohs不合规		到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	800 v	1 V @ 3 A	25 µA @ 800 V	-65°C〜175°C	3a	-
1N4991	13.6950	RFQ	6152	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	E，轴向	1N4991		5 w	E，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A	2 µA @ 182 V				240 v	650欧姆
1N4991US	16.3350	RFQ	7009	微芯片技术	MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，E	1N4991		5 w	D-5B	下载	Rohs不合规		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A	2 µA @ 182 V				240 v	650欧姆
1n4992us	16.3350	RFQ	9207	微芯片技术	MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，E	1N4992		5 w	D-5B	下载	Rohs不合规		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A	2 µA @ 206 V				270 v	800欧姆
1N4994	55.4550	RFQ	2694	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	E，轴向	1N4994		5 w	E，轴向	下载	Rohs不合规	不适用	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A	2 µA @ 251 V				330 v	1175欧姆
1N4996	42.7650	RFQ	2337	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	E，轴向	1N4996		5 w	E，轴向	下载	Rohs不合规		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A	2 µA @ 297 V				390 v	1800欧姆
1N5221A	1.8600	RFQ	7393	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5221		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 ma	100 µA @ 1 V				2.4 v	30欧姆
1N5221BUR-1	3.3750	RFQ	4941	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa	1N5221		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	100 µA @ 1 V				2.4 v	30欧姆
1N5224BUR-1	2.8650	RFQ	7273	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa	1N5224		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	75 µA @ 1 V				2.8 v	30欧姆
1N5226A	2.7150	RFQ	7794	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5226		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 ma	25 µA @ 950 mv				3.3 v	28欧姆
1N5230A	2.7150	RFQ	3267	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5230		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 ma	50 µA @ 1.9 V				4.7 v	19欧姆
1N5233A	1.8600	RFQ	8314	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5233		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 ma	5 µA @ 3.5 V				6 V	7欧姆
1N5234BUR -1	2.8950	RFQ	3357	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa	1N5234		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	5 µA @ 4 V				6.2 v	7欧姆
1N5235BUR-1	2.9400	RFQ	5496	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa	1N5235		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	3 µA @ 5 V				6.8 v	5欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²