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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	二极管类型	电压-峰值反向（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
MV7643/tr	-	RFQ	8168	微芯片技术	-	大部分	积极的									-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-mv7643/tr	Ear99	8541.10.0050	1
JANTXV1N5520DUR-1	61.9050	RFQ	7202	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N5520		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 1 V						3.9 v	22欧姆
JANTXV1N5518DUR-1/TR	55.0221	RFQ	2888	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N5518DUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 1 V						3.3 v	26欧姆
1N6029C	5.6250	RFQ	5680	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6029		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		100 na @ 122 V						160 v	1400欧姆
JANTXV1N4474C	31.6350	RFQ	3804	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4474		1.5 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1 V @ 200 MA		50 na @ 19.2 V						24 V	16欧姆
Janhca1n4115c	-	RFQ	6824	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	-			到达不受影响	150-Janhca1n4115c	Ear99	8541.10.0050	100			1.1 V @ 200 ma		10 NA @ 16.72 V						22 v	150欧姆
JANTX1N3017D-1/TR	28.4620	RFQ	7073	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N3017D-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		100 µA @ 5.7 V						7.5 v	4欧姆
UZ8218	22.4400	RFQ	8742	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	通过洞	a，轴向			1 w	a，轴向	-			到达不受影响	150-UZ8218	Ear99	8541.10.0050	1					500 NA @ 129 V						180 v	1300欧姆
1月1N984CUR-1/TR	10.2410	RFQ	2916	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N984CUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 69 V						91 v	400欧姆
1N751C-1	4.3050	RFQ	2373	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载			到达不受影响	150-1N751C-1	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 1 V						5.1 v	17欧姆
1N6030ur/tr	3.7350	RFQ	2714	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-				150-1N6030ur/tr	Ear99	8541.10.0050	264			1.1 V @ 200 ma								180 v
1N4742AE3/TR13	-	RFQ	9742	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4742		1 w	DO-204AL（DO-41）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	5,000			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 9.1 V						12 v	9欧姆
1N3508A	2.4900	RFQ	4492	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N3508		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma								3.9 v	20欧姆
CDLL4680/TR	3.0989	RFQ	3320	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL4680/tr	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		4 µA @ 1 V						2.2 v
JANTX1N6632US/TR	-	RFQ	1626年	微芯片技术	MIL-PRF-19500/356	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，E			5 w	E-Melf	下载				150-JANTX1N6632US/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		300 µA @ 1 V						3.3 v	3欧姆
1N2055	158.8200	RFQ	9647	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205ab，do-9，螺柱		标准		DO-205AB（DO-9）	下载			到达不受影响	150-1N2055	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	100 v	1.3 V @ 300 A		75 µA @ 100 V	-65°C 〜190°C	275a	-
JANTX1N3037BUR-1/TR	13.0739	RFQ	3645	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N3037BUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 38.8 V						51 v	95欧姆
JANTXV1N5802URS	26.9850	RFQ	2304	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/477	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，a	1N5802	标准		A夫人	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	50 V	875 mv @ 1 a	25 ns	1 µA @ 50 V	-65°C〜175°C	1a	25pf @ 10V，1MHz
1N3327RB	49.3800	RFQ	3397	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	底盘，螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N3327		50 W	do-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A		10 µA @ 29.7 V						39 v	4欧姆
JANTXV1N5519B-1/TR	8.2327	RFQ	5334	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N5519B-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		3 µA @ 1 V						3.6 v	24欧姆
APTDR40X1601G	49.2100	RFQ	4904	微芯片技术	-	大部分	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP1	APTDR40	标准		SP1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1			1.3 V @ 40 A		20 µA @ 1600 V		40 a		三期	1.6 kV
CDLL4568A	14.3100	RFQ	5202	微芯片技术	-	大部分	积极的	-	-55°C〜100°C	表面安装	do-213aa	CDLL4568		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V							200欧姆
1N5274/tr	3.2550	RFQ	5285	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-1N5274/tr	Ear99	8541.10.0050	290			1.5 V @ 200 ma		100 NA @ 94 V						130 v	1100欧姆
APT60DF60HJ	20.7700	RFQ	72	微芯片技术	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	APT60DF60	标准		SOT-227	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1			2.3 V @ 60 A		25 µA @ 600 V		90 a		单相	600 v
Janhca1n5537d	-	RFQ	8067	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-Janhca1n5537d	Ear99	8541.10.0050	100			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 15.3 V						17 V	100欧姆
JANTXV1N4988US/TR	19.3648	RFQ	8160	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，E			5 w	D-5B	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N4988US/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		2 µA @ 136.8 V						180 v	450欧姆
1N3325A	49.3800	RFQ	6667	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	底盘，螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N3325		50 W	do-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A		10 µA @ 25.1 V						33 V	3.2欧姆
JANTXV1N3034BUR -1	18.0150	RFQ	2921	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））	1N3034		1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 29.7 V						39 v	60欧姆
679-1	-	RFQ	8971	微芯片技术	-	大部分	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4，NB		标准		NB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1			1.2 V @ 10 A		20 µA @ 100 V				单相	100 v
CDLL4482/tr	10.2410	RFQ	4352	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf			1.5 w	do-213ab	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL4482/tr	Ear99	8541.10.0050	1			1 V @ 200 MA		250 NA @ 40.8 V						51 v	60欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²