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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	速度	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
1月1N989DUR-1	-	RFQ	6363	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	Rohs不合规		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1					1.3 V @ 200 ma		500 NA @ 114 V				150 v	1500欧姆
1月1N990C-1	-	RFQ	5538	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	Rohs不合规		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1					1.3 V @ 200 ma		500 NA @ 122 V				160 v	1700欧姆
1月1N990CUR-1	-	RFQ	5669	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	Rohs不合规		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1					1.3 V @ 200 ma		500 NA @ 122 V				160 v	1700欧姆
1月1N990D-1	-	RFQ	9004	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	Rohs不合规		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1					1.3 V @ 200 ma		500 NA @ 122 V				160 v	1700欧姆
1月1N990DUR-1	-	RFQ	7084	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	Rohs不合规		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1					1.3 V @ 200 ma		500 NA @ 122 V				160 v	1700欧姆
1月1N991BUR-1	-	RFQ	7961	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	Rohs不合规		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1					1.3 V @ 200 ma		500 NA @ 137 V				180 v	2200欧姆
1月1N991CUR-1	-	RFQ	3899	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	Rohs不合规		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1					1.3 V @ 200 ma		500 NA @ 137 V				180 v	2200欧姆
1N6677-1	4.3050	RFQ	6638	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6677	肖特基		DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度		40 V		500 mV @ 200 ma		5 µA @ 40 V	-65°C〜125°C	200mA	50pf @ 0v，1MHz
1N6763R	205.5600	RFQ	3409	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/642	大部分	积极的			通过洞	TO-254-3，TO-254AA（（TO-254AA））	1N6763	标准		TO-254	下载	Rohs不合规		到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		100 v		1.05 V @ 12 A	35 ns	10 µA @ 100 V	-55°C 〜175°C	12a	300pf @ 5V，1MHz
1N6765R	205.5600	RFQ	5909	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/642	大部分	积极的			通过洞	TO-254-3，TO-254AA（（TO-254AA））	1N6765	标准		TO-254	下载	Rohs不合规		到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		200 v		1.05 V @ 12 A	35 ns	10 µA @ 200 V	-55°C 〜175°C	12a	300pf @ 5V，1MHz
1N6841	181.8750	RFQ	6040	微芯片技术	-	大部分	积极的			表面安装	3-SMD，没有铅	1N6841	肖特基		U3 （SMD-0.5）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	45 v	10a	750 MV @ 10 A		100 µA @ 45 V	-55°C〜150°C
1N6857UR-1	12.8400	RFQ	6348	微芯片技术	-	大部分	积极的			表面安装	do-213aa	1N6857	肖特基		do-213aa	下载	Rohs不合规		到达不受影响	Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度		16 V		750 mv @ 35 ma		150 na @ 16 V	-65°C〜150°C	150mA	4.5pf @ 0v，1MHz
1N7039CCT1	161.1150	RFQ	4322	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	TO-254-3，TO-254AA（（TO-254AA））	1N7039	肖特基		TO-254AA	下载	Rohs不合规		到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		150 v		1.6 V @ 35 A		500 µA @ 150 V	-65°C〜150°C	35a	-
1N7043CAT1	174.0450	RFQ	3317	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/730	大部分	积极的			通过洞	TO-254-3，TO-254AA（（TO-254AA））	1N7043	肖特基		TO-254	下载	Rohs不合规		到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		100 v		1.3 V @ 35 A		500 µA @ 100 V	-65°C〜150°C	35a	600pf @ 0v，1MHz
1N7050-1	7.1700	RFQ	8476	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-	通过洞	do-204aa，do-7，轴向	1N7050		250兆	do-7	-	Rohs不合规		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1											4.8 v	35欧姆
1N7052-1	7.1700	RFQ	9771	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-	通过洞	do-204aa，do-7，轴向	1N7052		250兆	do-7	-	Rohs不合规		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1											4.8 v	35欧姆
1N7053-1	7.1700	RFQ	2671	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-	通过洞	do-204aa，do-7，轴向	1N7053		250兆	do-7	-	Rohs不合规		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1											4.8 v	35欧姆
1n747aur-1	3.0300	RFQ	5110	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa	1N747		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		3 µA @ 1 V				3.6 v	22欧姆
1N748	2.1600	RFQ	3738	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N748		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 µA @ 1 V				3.9 v	23欧姆
1N749	2.1600	RFQ	8112	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N749		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		2 µA @ 1 V				4.3 v	22欧姆
1N751AUR-1	3.0300	RFQ	8000	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa	1N751		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 2 V				5.1 v	14欧姆
1N753AR-1	3.0300	RFQ	1480	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa	1N753		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 3.5 V				6.2 v	3欧姆
1N7555AR-1	3.0300	RFQ	5804	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa	1N755		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		2 µA @ 5 V				7.5 v	4欧姆
1N756AUR-1	3.0300	RFQ	3754	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa	1N756		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 6 V				8.2 v	5欧姆
1N757A-1	2.3700	RFQ	5180	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N757		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		100 na @ 1 V				9.1 v	10欧姆
1N757AR-1	3.0300	RFQ	3279	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa	1N757		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 7 V				9.1 v	6欧姆
1N759AR-1	3.0300	RFQ	6094	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa	1N759		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 9 V				12 v	10欧姆
1N821	3.7600	RFQ	245	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N821			DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1
1N938	9.7350	RFQ	5712	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向	1N938		500兆	do-7	下载	Rohs不合规		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1											9 V	20欧姆
1N941	5.4000	RFQ	3741	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向	1N941		500兆	do-7	下载	Rohs不合规		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1							15 µA @ 8 V				11.7 v	30欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²