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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	（（（）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	电容 @ vr，f	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	电阻 @ if，f	电容比	电容比条件	q @ vr，f
CDLL5249B	2.8650	RFQ	1192	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL5249	10兆	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1		1.1 V @ 200 ma	100 na @ 14 V				19 v	23欧姆
1N6029D	6.9600	RFQ	2707	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6029	500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1		1.1 V @ 200 ma	100 na @ 122 V				160 v	1400欧姆
UMX6001B	-	RFQ	3478	微芯片技术	-	包	积极的		-		轴向			轴向	-			到达不受影响	150-UMX6001B	Ear99	8541.10.0060	1				-	-	-			-
1N5988UR-1	3.5850	RFQ	6023	微芯片技术	*	大部分	积极的					1N5988			-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1
JAN1N5524D-1/TR	15.8137	RFQ	7004	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N5524D-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1		1.1 V @ 200 ma	2 µA @ 3.5 V				5.6 v	30欧姆
Janhca1n983b	8.5785	RFQ	2310	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向		500兆	DO-7（do-204AA）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-Janhca1n983b	Ear99	8541.10.0050	1		1.1 V @ 200 ma	5 µA @ 62.2 V				82 v	330欧姆
UX9401F	-	RFQ	7710	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C〜175°C		2-SMD			-	-			到达不受影响	150-ux9401ftr	Ear99	8541.10.0070	1	4 W			0.9pf @ 50V，1MHz	PIN-单	50V			750MOHM @ 50mA，100MHz
1N725A	1.9200	RFQ	6454	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N725	250兆	do-35	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1							30 V	42欧姆
JANTX1N4482DUS/TR	49.7250	RFQ	9787	微芯片技术	MIL-PRF-19500/406	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a		1.5 w	D-5A	-				150-JANTX1N444482DUS/TR	Ear99	8541.10.0050	100		1.5 V @ 1 A	50 NA @ 40.8 V				51 v	60欧姆
1 PMT5925B/TR7	2.2200	RFQ	2779	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点	3 W	do-216aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000		1.2 V @ 200 ma	5 µA @ 8 V				10 v	4.5欧姆
JAN1N3027DUR-1/TR	36.2558	RFQ	7958	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））		1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N3027DUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1		1.2 V @ 200 ma	10 µA @ 15.2 V				20 v	22欧姆
JANTXV1N974D-1/TR	10.0149	RFQ	8787	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N974D-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1		1.1 V @ 200 ma	500 NA @ 27 V				36 V	70欧姆
1N5221A	1.8600	RFQ	7393	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5221	500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1		1.5 V @ 200 ma	100 µA @ 1 V				2.4 v	30欧姆
1N6025C	5.6250	RFQ	6122	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6025	500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1		1.1 V @ 200 ma	100 na @ 84 V				110 v	650欧姆
JANTX1N3051DUR-1/TR	-	RFQ	1211	微芯片技术	MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））		1.25 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	-				150-JANTX1N3051DUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1		1.2 V @ 200 ma	500 NA @ 152 V				200 v	1500欧姆
SMBJ5345A/TR13	1.6350	RFQ	3804	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5345	5 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000		1.2 V @ 1 A	10 µA @ 6.25 V				8.7 v	2欧姆
JANTX1N5526DUR-1/TR	42.0014	RFQ	1936年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）		500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N5526DUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1		1.1 V @ 200 ma	1 µA @ 6.2 V				6.8 v	30欧姆
JANS1N4980CUS/TR	368.3100	RFQ	1146	微芯片技术	MIL-PRF-19500/356	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b		5 w	E-Melf	-				150-JANS1N4980CUS/TR	Ear99	8541.10.0050	50		1.5 V @ 1 A	2 µA @ 62.2 V				82 v	80欧姆
CDLL5224D/TR	8.5950	RFQ	5829	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa		10兆	do-213aa	-			到达不受影响	150-CDLL5224D/tr	Ear99	8541.10.0050	110		1.1 V @ 200 ma	75 µA @ 1 V				2.8 v	30欧姆
GC4605-171	-	RFQ	3080	微芯片技术	-	包	积极的		-55°C〜125°C		SQ-MELF			-	-			到达不受影响	150-GC4605-171	Ear99	8541.10.0060	1				3pf @ 50V，1MHz	PIN-单	2500V			150MOHM @ 500mA，100MHz
Jan1n3043dur-1/tr	26.8793	RFQ	2697	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））		1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N3043DUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1		1.2 V @ 200 ma	10 µA @ 69.2 V				91 v	250欧姆
JANTXV1N3024B-1/TR	10.6799	RFQ	7070	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向		1 w	do-41	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N3024B-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1		1.2 V @ 200 ma	10 µA @ 11.4 V				15 v	14欧姆
1 PMT5940B/TR13	2.2200	RFQ	7968	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点	3 W	do-216aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	12,000		1.2 V @ 200 ma	1 µA @ 32.7 V				43 V	53欧姆
1N6011ur-1	3.5850	RFQ	5988	微芯片技术	*	大部分	积极的					1N6011			-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1
1N5730D	4.6800	RFQ	4755	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5730	500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1		900 mv @ 10 ma	3 µA @ 2 V				5.6 v	25欧姆
MSASC100H30H/TR	-	RFQ	1061	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的								-			到达不受影响	150-MSASC100H30H/TR			100
GC15009-450A/TR	-	RFQ	3986	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜125°C	表面安装	2-SMD，没有铅	GC15009		-	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-GC15009-450A/TR	Ear99	8541.10.0040	1				0.9pf @ 20V，1MHz	单身的	22 v				13	C0/C20	800 @ 4V，50MHz
Jan1n3826aur-1/tr	12.4355	RFQ	4681	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））		1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N3826AUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1		1.2 V @ 200 ma	3 µA @ 1 V				5.1 v	7欧姆
CDLL5258	2.8650	RFQ	6767	微芯片技术	-	大部分	积极的	±20％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL5258	10兆	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1		1.1 V @ 200 ma	100 na @ 27 V				36 V	70欧姆
JAN1N5542CUR-1/TR	25.7887	RFQ	2378	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）		500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N5542CUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1		1.1 V @ 200 ma	10 NA @ 21.6 V				24 V	100欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²