SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 ECCN htsus 标准包 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 电流 -反向泄漏 @ @ vr 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) ((ZZT))
JANTX1N3822D-1 Microchip Technology JANTX1N3822D-1 27.4650
RFQ
ECAD 8852 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/115 大部分 积极的 ±1% -65°C〜175°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N3822 1 w do-41 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 75 µA @ 1 V 3.6 v 10欧姆
JAN1N3822DUR-1 Microchip Technology JAN1N3822DUR-1 44.4150
RFQ
ECAD 3188 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/115 大部分 积极的 ±1% -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N3822 1 w DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 75 µA @ 1 V 3.6 v 10欧姆
JANTX1N3823A-1 Microchip Technology JANTX1N3823A-1 8.5800
RFQ
ECAD 8698 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/115 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N3823 1 w do-41 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 25 µA @ 1 V 3.9 v 9欧姆
JANTXV1N3823CUR-1 Microchip Technology JANTXV1N3823CUR-1 49.6200
RFQ
ECAD 2436 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/115 大部分 积极的 ±2% -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N3823 1 w DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 25 µA @ 1 V 3.9 v 9欧姆
JAN1N3823D-1 Microchip Technology JAN1N3823D-1 21.7350
RFQ
ECAD 6508 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/115 大部分 积极的 ±1% -65°C〜175°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N3823 1 w do-41 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 25 µA @ 1 V 3.9 v 9欧姆
JANTX1N3823D-1 Microchip Technology JANTX1N3823D-1 27.4650
RFQ
ECAD 2894 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/115 大部分 积极的 ±1% -65°C〜175°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N3823 1 w do-41 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 25 µA @ 1 V 3.9 v 9欧姆
JANTXV1N3823DUR-1 Microchip Technology JANTXV1N3823DUR-1 62.0400
RFQ
ECAD 6681 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/115 大部分 积极的 ±1% -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N3823 1 w DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 25 µA @ 1 V 3.9 v 9欧姆
JANTXV1N3824AUR-1 Microchip Technology JANTXV1N3824AUR-1 19.3950
RFQ
ECAD 8466 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/115 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N3824 1 w DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 5 µA @ 1 V 4.3 v 9欧姆
JANTX1N3824CUR-1 Microchip Technology JANTX1N3824CUR-1 40.6950
RFQ
ECAD 3823 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/115 大部分 积极的 ±2% -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N3824 1 w DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 5 µA @ 1 V 4.3 v 9欧姆
JANTXV1N3824D-1 Microchip Technology JANTXV1N3824D-1 36.1800
RFQ
ECAD 2471 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/115 大部分 积极的 ±1% -65°C〜175°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N3824 1 w do-41 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 5 µA @ 1 V 4.3 v 9欧姆
JANTX1N3824DUR-1 Microchip Technology JANTX1N3824DUR-1 50.8650
RFQ
ECAD 8231 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/115 大部分 积极的 ±1% -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N3824 1 w DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 5 µA @ 1 V 4.3 v 9欧姆
JAN1N3825AUR-1 Microchip Technology 1月1N3825AR-1 13.8750
RFQ
ECAD 8216 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/115 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N3825 1 w DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 5 µA @ 1 V 4.7 v 8欧姆
JAN1N3825C-1 Microchip Technology JAN1N3825C-1 17.3250
RFQ
ECAD 4899 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/115 大部分 积极的 ±2% -65°C〜175°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N3825 1 w do-41 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 5 µA @ 1 V 4.7 v 8欧姆
JANTXV1N3825D-1 Microchip Technology JANTXV1N3825D-1 36.1800
RFQ
ECAD 6684 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/115 大部分 积极的 ±1% -65°C〜175°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N3825 1 w do-41 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 5 µA @ 1 V 4.7 v 8欧姆
JANTX1N3825DUR-1 Microchip Technology JANTX1N3825DUR-1 50.8650
RFQ
ECAD 2011 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/115 大部分 积极的 ±1% -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N3825 1 w DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 5 µA @ 1 V 4.7 v 8欧姆
JANTX1N3826AUR-1 Microchip Technology JANTX1N3826AUR-1 15.9000
RFQ
ECAD 6667 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/115 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N3826 1 w DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 3 µA @ 1 V 5.1 v 7欧姆
JAN1N3826CUR-1 Microchip Technology JAN1N3826CUR-1 35.5200
RFQ
ECAD 3940 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/115 大部分 积极的 ±2% -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N3826 1 w DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 3 µA @ 1 V 5.1 v 7欧姆
JANTX1N3826D-1 Microchip Technology JANTX1N3826D-1 27.4650
RFQ
ECAD 3292 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/115 大部分 积极的 ±1% -65°C〜175°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N3826 1 w do-41 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 3 µA @ 1 V 5.1 v 7欧姆
JANTXV1N3827D-1 Microchip Technology JANTXV1N3827D-1 36.1800
RFQ
ECAD 8906 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/115 大部分 积极的 ±1% -65°C〜175°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N3827 1 w do-41 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 3 µA @ 2 V 5.6 v 5欧姆
JANTXV1N3828AUR-1 Microchip Technology JANTXV1N3828AR-1 19.3950
RFQ
ECAD 3236 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/115 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N3828 1 w DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 3 µA @ 3 V 6.2 v 2欧姆
JAN1N3828C-1 Microchip Technology JAN1N3828C-1 17.3250
RFQ
ECAD 6781 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/115 大部分 积极的 ±2% -65°C〜175°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N3828 1 w do-41 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 3 µA @ 3 V 6.2 v 2欧姆
JAN1N3828CUR-1 Microchip Technology JAN1N3828CUR-1 35.5200
RFQ
ECAD 7542 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/115 大部分 积极的 ±2% -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N3828 1 w DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 3 µA @ 3 V 6.2 v 2欧姆
JANTX1N4099CUR-1 Microchip Technology JANTX1N4099CUR-1 -
RFQ
ECAD 3557 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/435 大部分 在sic中停产 ±2% -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AA() 500兆 do-213aa 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 1 µA @ 5.2 V 6.8 v 200欧姆
JANTX1N4099D-1 Microchip Technology JANTX1N4099D-1 -
RFQ
ECAD 4955 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/435 大部分 在sic中停产 ±1% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 1 µA @ 5.2 V 6.8 v 200欧姆
JANTXV1N4099D-1 Microchip Technology JANTXV1N4099D-1 25.7550
RFQ
ECAD 5965 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/435 大部分 积极的 ±1% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N4099 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 1 µA @ 5.2 V 6.8 v 200欧姆
JANTXV1N4100-1 Microchip Technology JANTXV1N4100-1 -
RFQ
ECAD 5478 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/435 大部分 在sic中停产 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 1 µA @ 5.7 V 7.5 v 200欧姆
JANTX1N4100C-1 Microchip Technology JANTX1N4100C-1 15.3750
RFQ
ECAD 8321 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/435 大部分 积极的 ±2% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N4100 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 1 µA @ 5.7 V 7.5 v 200欧姆
JANTXV1N4100C-1 Microchip Technology JANTXV1N4100C-1 23.1600
RFQ
ECAD 3957 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/435 大部分 积极的 ±2% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N4100 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 1 µA @ 5.7 V 7.5 v 200欧姆
JANTX1N4100CUR-1 Microchip Technology JANTX1N4100CUR-1 28.8300
RFQ
ECAD 9160 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/435 大部分 积极的 ±2% -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AA() 1N4100 500兆 do-213aa 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 1 µA @ 5.7 V 7.5 v 200欧姆
JANTX1N4100D-1 Microchip Technology JANTX1N4100D-1 19.2300
RFQ
ECAD 7234 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/435 大部分 积极的 ±1% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N4100 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 1 µA @ 5.7 V 7.5 v 200欧姆
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库