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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | Rohs状态 | 达到状态 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) |
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![]() | Jan1n3050bur-1 | - | ![]() | 5811 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | JAN1N3050C-1 | - | ![]() | 4215 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/115N | 大部分 | 积极的 | ±2% | -65°C 〜175°C(TJ) | 通过洞 | do-13 | 1 w | DO-13(do-202AA) | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 ma | 10 µA @ 136.8 V | 180 v | 1200欧姆 | ||||||||
![]() | JAN1N3050CUR-1 | - | ![]() | 2403 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | JAN1N3050D-1 | - | ![]() | 5253 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/115N | 大部分 | 积极的 | ±1% | -65°C 〜175°C(TJ) | 通过洞 | do-13 | 1 w | DO-13(do-202AA) | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 ma | 10 µA @ 136.8 V | 180 v | 1200欧姆 | ||||||||
![]() | JAN1N3051DUR-1 | - | ![]() | 8999 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | Jan1n3070ur-1 | - | ![]() | 9520 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | do-213aa | 标准 | do-213aa | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 175 v | 1 V @ 100 ma | -65°C〜175°C | 100mA | - | ||||||||
![]() | 1月1N3154-1 | - | ![]() | 4134 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/158 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 500兆 | do-7 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 2 A | 10 µA @ 5.5 V | 8.8 v | 15欧姆 | ||||||||
![]() | 1月1N3155-1 | - | ![]() | 8499 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/158 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TA) | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 500兆 | do-7 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 10 µA @ 5.5 V | 8.4 v | 15欧姆 | |||||||||
![]() | Jan1n3294r | - | ![]() | 2337 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/246 | 大部分 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-205aa,do-8,螺柱 | 标准 | DO-205AA(DO-8) | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 800 v | 1.55 V @ 310 A | 10 ma @ 800 V | -65°C 〜200°C | 100a | - | |||||||
![]() | JAN1N3307RB | - | ![]() | 2054 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/358 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 50 W | do-5 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 A | 50 µA @ 5.4 V | 8.2 v | 0.4欧姆 | ||||||||
![]() | Jan1n3308b | - | ![]() | 2473 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/358 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 50 W | do-5 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 A | 25 µA @ 6.1 V | 9.1 v | 0.5欧姆 | ||||||||
![]() | Jan1n3310b | - | ![]() | 9928 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/358 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 50 W | do-5 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 A | 10 µA @ 8.4 V | 11 V | 0.8欧姆 | ||||||||
![]() | Jan1n3312rb | - | ![]() | 1958年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/358 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 50 W | do-5 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 A | 10 µA @ 9.9 V | 13 V | 1.1欧姆 | ||||||||
![]() | Jan1n3313rb | - | ![]() | 3712 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/358 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 50 W | do-5 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 A | 10 µA @ 11.4 V | 14 V | 1.2欧姆 | ||||||||
![]() | Jan1n3317b | - | ![]() | 3106 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/358 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 50 W | do-5 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 A | 10 µA @ 13.7 V | 18 V | 2欧姆 | ||||||||
![]() | JAN1N3317RB | - | ![]() | 5623 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/358 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 50 W | do-5 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 A | 10 µA @ 13.7 V | 18 V | 2欧姆 | ||||||||
![]() | Jan1n3320rb | - | ![]() | 7432 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/358 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 50 W | do-5 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 A | 10 µA @ 16.7 V | 22 v | 2.5欧姆 | ||||||||
![]() | Jan1n3324b | - | ![]() | 1879年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/358 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 50 W | do-5 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 A | 10 µA @ 22.8 V | 30 V | 3欧姆 | ||||||||
![]() | JAN1N3326RB | - | ![]() | 7756 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/358 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 50 W | do-5 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 A | 10 µA @ 27.4 V | 36 V | 3.5欧姆 | ||||||||
![]() | JAN1N3328RB | - | ![]() | 1567年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/358 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 50 W | do-5 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 A | 10 µA @ 32.7 V | 43 V | 4.5欧姆 | ||||||||
![]() | JAN1N333335RB | - | ![]() | 1072 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/358 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 50 W | do-5 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 A | 10 µA @ 47.1 V | 62 v | 7欧姆 | ||||||||
![]() | Jan1n3336b | - | ![]() | 1800 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/358 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 50 W | do-5 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 A | 10 µA @ 51.7 V | 68 v | 8欧姆 | ||||||||
![]() | Jan1n3339rb | - | ![]() | 3883 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/358 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 50 W | do-5 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 A | 10 µA @ 69.2 V | 91 v | 15欧姆 | ||||||||
![]() | Jan1n3342b | - | ![]() | 6572 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/358 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 50 W | do-5 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 A | 10 µA @ 83 V | 110 v | 30欧姆 | ||||||||
![]() | Jan1n3343b | - | ![]() | 4982 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/358 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 50 W | do-5 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 A | 10 µA @ 91.2 V | 120 v | 40欧姆 | ||||||||
![]() | Jan1n3344b | - | ![]() | 6058 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/358 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 50 W | do-5 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 A | 10 µA @ 99.8 V | 130 v | 50欧姆 | ||||||||
![]() | JAN1N3344RB | - | ![]() | 7916 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/358 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 50 W | do-5 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 A | 10 µA @ 99.8 V | 130 v | 50欧姆 | ||||||||
![]() | Jan1n3346b | - | ![]() | 1487 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/358 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 50 W | do-5 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 A | 10 µA @ 114 V | 150 v | 75欧姆 | ||||||||
![]() | Jan1n3893r | 333.0150 | ![]() | 6396 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/304 | 大部分 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-203AA,do-4,螺柱 | 标准 | DO-203AA(DO-4) | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 400 v | 1.5 V @ 38 A | 200 ns | -65°C〜175°C | 12a | 115pf @ 10V,1MHz | |||||||
![]() | 1月1N3911AR | - | ![]() | 3456 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/308 | 大部分 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 标准 | do-5 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 200 v | 1.4 V @ 50 A | 150 ns | -65°C〜150°C | 50a | - |
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