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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	技术	力量 -最大	供应商设备包	Rohs状态	达到状态	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
Jan1n5969d	-	RFQ	6272	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	E，轴向		5 w	E，轴向	Rohs不合规	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		1 mA @ 4.74 V			6.2 v	1欧姆
Jan1n5969us	-	RFQ	2295	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，E		5 w	D-5B	Rohs不合规	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		1 mA @ 4.74 V			6.2 v	1欧姆
Jan1n6304r	-	RFQ	2759	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	标准		do-5	Rohs不合规	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	50 V	1.18 V @ 150 A	60 ns	25 µA @ 50 V	-65°C〜175°C	70a
Jan1n6305r	-	RFQ	3800	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	标准		do-5	Rohs不合规	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	100 v	1.18 V @ 150 A	60 ns	25 µA @ 100 V	-65°C〜175°C	70a
Jan1n6352d	-	RFQ	4667	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	B，轴向		500兆	B，轴向	Rohs不合规	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		50 NA @ 114 V			150 v	1000欧姆
JAN1N6353CUS	-	RFQ	8628	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b		500兆	B，平方米	Rohs不合规	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		50 NA @ 122 V			151 v	1200欧姆
Jan1n6353dus	-	RFQ	1006	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b		500兆	B，平方米	Rohs不合规	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		50 NA @ 122 V			151 v	1200欧姆
1月1N6354C	-	RFQ	2776	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	B，轴向		500兆	B，轴向	Rohs不合规	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		50 NA @ 137 V			180 v	1500欧姆
1月1N6355C	-	RFQ	2870	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	B，轴向		500兆	B，轴向	Rohs不合规	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		50 NA @ 152 V			200 v	1800欧姆
JAN1N6355CUS	-	RFQ	5835	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b		500兆	B，平方米	Rohs不合规	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		50 NA @ 152 V			200 v	1800欧姆
JAN1N6355DUS	-	RFQ	1090	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b		500兆	B，平方米	Rohs不合规	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		50 NA @ 152 V			200 v	1800欧姆
Jan1n6485c	-	RFQ	1895年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向		1.5 w	do-41	Rohs不合规	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		50 µA @ 1 V			3.3 v	10欧姆
JAN1N6485DUS	-	RFQ	4885	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a		1.5 w	a，平方米	Rohs不合规	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		50 µA @ 1 V			3.3 v	10欧姆
JAN1N6486C	-	RFQ	1039	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向		1.5 w	do-41	Rohs不合规	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		5 µA @ 1 V			3.6 v	10欧姆
Jan1n6486d	-	RFQ	8485	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向		1.5 w	do-41	Rohs不合规	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		5 µA @ 1 V			3.6 v	10欧姆
Jan1n6486us	-	RFQ	8261	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a		1.5 w	a，平方米	Rohs不合规	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		50 µA @ 1 V			3.6 v	10欧姆
JAN1N6487DUS	-	RFQ	9810	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a		1.5 w	a，平方米	Rohs不合规	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		35 µA @ 1 V			3.9 v	9欧姆
Jan1n6489c	-	RFQ	2602	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向		1.5 w	do-41	Rohs不合规	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		4 µA @ 1 V			4.7 v	8欧姆
Jan1n6489us	-	RFQ	7833	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a		1.5 w	a，平方米	Rohs不合规	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		4 µA @ 1 V			4.7 v	8欧姆
JAN1N6490CUS	-	RFQ	8642	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a		1.5 w	a，平方米	Rohs不合规	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		1 µA @ 1 V			5.1 v	7欧姆
Jan1n6490d	-	RFQ	3930	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向		1.5 w	do-41	Rohs不合规	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		1 µA @ 1 V			5.1 v	7欧姆
Jan1n6633c	-	RFQ	6571	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	E，轴向		5 w	E，轴向	Rohs不合规	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		250 µA @ 1 V			3.6 v	2.5欧姆
JAN1N6634DUS	-	RFQ	8643	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，E		5 w	D-5B	Rohs不合规	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		175 µA @ 1 V			3.9 v	2欧姆
Jan1n6635d	-	RFQ	8524	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	E，轴向		5 w	E，轴向	Rohs不合规	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		25 µA @ 1 V			4.3 v	2欧姆
Jan1n6636dus	-	RFQ	7048	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，E		5 w	D-5B	Rohs不合规	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		20 µA @ 1 V			4.7 v	2欧姆
Jan1n6636us	-	RFQ	4754	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，E		5 w	D-5B	Rohs不合规	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		20 µA @ 1 V			4.7 v	2欧姆
Jan1n3008rb	-	RFQ	8097	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/124	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱		10 W	DO-213AA（DO-4）	Rohs不合规	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 A		10 µA @ 91.2 V			120 v	75欧姆
Jan1n3012rb	435.8700	RFQ	9819	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/124	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱		10 W	DO-213AA（DO-4）	Rohs不合规	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 A		10 µA @ 121.6 V			160 v	200欧姆
Jan1n3047b-1	-	RFQ	9876	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115N	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-13		1 w	DO-13（do-202AA）	Rohs不合规	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 ma		10 µA @ 98.8 V			130 v	700欧姆
1月1N3047C-1	-	RFQ	5524	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115N	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-13		1 w	DO-13（do-202AA）	Rohs不合规	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 ma		10 µA @ 98.8 V			130 v	700欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²