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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	电容比	电容比条件	q @ vr，f
CDLL5536/tr	5.9052	RFQ	8172	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf			500兆	do-213ab	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL5536/tr	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 13 V						16 V	100欧姆
Jan1n4980d	23.2350	RFQ	3132	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	E，轴向	1N4980		5 w	E，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		2 µA @ 62.2 V						82 v	80欧姆
JANTXV1N4962	7.7250	RFQ	6677	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	E，轴向	1N4962		5 w		下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		5 µA @ 11.4 V						15 v	3.5欧姆
1N5540BUR-1/TR	6.6300	RFQ	2171	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-					Ear99	8541.10.0050	146			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 18 V						20 v	100欧姆
Jan1n3326b	-	RFQ	9621	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/158	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N3326		50 W	do-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A		10 µA @ 27.4 V						36 V	3.5欧姆
JANTX1N2805B	-	RFQ	8147	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/114	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	to-204ad	1N2805		50 W	TO-204AD（TO-3）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 A		100 µA @ 5 V						7.5 v	0.3欧姆
Jan1n4123-1/tr	3.7772	RFQ	1857年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N4123-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 NA @ 29.7 V						39 v	200欧姆
MV32006-129A	-	RFQ	6695	微芯片技术	-	托盘	积极的		-55°C 〜175°C	表面安装	2-SMD，平坦的铅				-	-			到达不受影响	150-MV32006-129A	Ear99	8541.10.0060	1								2.2pf @ 4V，1MHz	单身的	22 v			3.5	C2/C20	3000 @ 4V，50MHz
UFS380GE3/TR13	1.5000	RFQ	3808	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	do-215ab，SMC Gull机翼	UFS380	标准		do-215ab	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	800 v	1.2 V @ 3 A	60 ns	10 µA @ 800 V	-55°C 〜175°C	3a	-
1N6637US/TR	20.4022	RFQ	6311	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，E			5 w	D-5B	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N6637US/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		5 µA @ 1 V						5.1 v	400欧姆
Jan1n2840b	-	RFQ	4241	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	to-204ad	1N2840		10 W	TO-204AD（TO-3）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 A		10 µA @ 83.6 V						110 v	30欧姆
GC2521-450A	-	RFQ	6265	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜125°C	表面安装	死				芯片	-			到达不受影响	150-GC2521-450ATR	Ear99	8541.10.0040	1								0.6pf @ 6V，1MHz	单身的	20 v				-	-
CDLL4767	113.1000	RFQ	3914	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa	CDLL4767		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					10 µA @ 6 V						9.1 v	350欧姆
JANTX1N3821DUR-1	50.8650	RFQ	9265	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））	1N3821		1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		100 µA @ 1 V						3.3 v	10欧姆
JANTXV1N981C-1	7.5750	RFQ	9259	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N981		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 52 V						68 v	230欧姆
MSC50DC170HJ	170.3100	RFQ	9210	微芯片技术	-	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	MSC50DC170	schottky		SOT-227（ISOTOP®）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-MSC50DC170HJ	Ear99	8541.10.0080	1			1.8 V @ 50 A		200 µA @ 1700 V		50 a		单相	1.7 kV
JANTXV1N5519DUR-1/TR	53.1335	RFQ	5424	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N5519DUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		3 µA @ 1 V						3.6 v	24欧姆
CDLL4976	11.1450	RFQ	5610	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-CDLL4976	Ear99	8541.10.0050	1
KV1501-11	-	RFQ	1371	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C	表面安装	2-SMD，平坦的铅				-	-			到达不受影响	150-KV1501-11	Ear99	8541.10.0080	1								10.6pf @ 10V，1MHz	单身的	12 v			17.5	C2/C10	130 @ 2V，10MHz
JANTXV1N4625C-1	14.7750	RFQ	3755	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4625		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 3 V						5.1 v	1500欧姆
CDS6857ur-1/tr	-	RFQ	9171	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-			到达不受影响	150-CDS6857UR-1/tr			50
1N4571D/TR	-	RFQ	3636	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的									下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N4571D/tr	Ear99	8541.10.0050	1
JANS1N4956US/TR	108.9908	RFQ	6554	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，E			5 w	D-5B	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N4956US/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		50 µA @ 6.2 V						8.2 v	1.5欧姆
CD5251B	1.4497	RFQ	5767	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CD5251B	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 ma		100 na @ 17 V						22 v	29欧姆
JAN1N4622C-1/TR	8.6317	RFQ	3574	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N4622C-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		2.5 µA @ 2 V						3.9 v	1650年
UES1306SM/TR	45.3900	RFQ	6748	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SQ-MELF，b		标准		B，平方米	-			到达不受影响	150-ues1306SM/tr	Ear99	8541.10.0080	100	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	400 v		50 ns	20 µA @ 400 V	-55°C 〜175°C	5a	-
JANTXV1N4976CUS	40.8900	RFQ	4280	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			5 w	E-Melf	-			到达不受影响	150-JANTXV1N4976CUS	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		2 µA @ 42.6 V						56 v	35欧姆
CDLL825AE3	6.0300	RFQ	3471	微芯片技术	-	大部分	积极的	±4.84％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL825AE3	Ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V						6.2 v	10欧姆
Janhca1n4116	13.2734	RFQ	1585年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-Janhca1n4116	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 18.25 V						24 V	150欧姆
JANTXV1N6346D	46.9200	RFQ	6167	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-JANTXV1N6346D	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		50 NA @ 62 V						82 v	220欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²