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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
1N3327RB	49.3800	RFQ	3397	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	底盘，螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N3327		50 W	do-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 10 A		10 µA @ 29.7 V				39 v	4欧姆
1N5274/tr	3.2550	RFQ	5285	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-1N5274/tr	Ear99	8541.10.0050	290					1.5 V @ 200 ma		100 NA @ 94 V				130 v	1100欧姆
1N5712-1/tr	4.8150	RFQ	8375	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/444	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		肖特基		DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N5712-1/tr	Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度		20 v		1 V @ 35 MA		150 na @ 16 V	-65°C〜150°C	75mA	2pf @ 0v，1MHz
CDLL4736/tr	3.2319	RFQ	3134	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf				do-213ab	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL4736/tr	Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		3 µA @ 4 V				6.8 v	3.5欧姆
JANTX1N5544CUR-1/TR	33.6357	RFQ	7813	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N5544CUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 25.2 V				28 V	100欧姆
JANTX1N6332US/TR	18.2400	RFQ	4010	微芯片技术	MIL-PRF-19500/533	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-				150-JANTX1N6332US/TR	Ear99	8541.10.0050	100					1.4 V @ 1 A		50 na @ 17 V				22 v	20欧姆
1N4743PE3/TR12	0.9150	RFQ	6411	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4743		1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	4,000					1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 9.9 V				13 V	10欧姆
1N5550USE3	6.5800	RFQ	9562	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/420	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，b		标准		B，平方米	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N555550USE3	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		200 v		1.2 V @ 9 A	2 µs	1 µA @ 200 V	-65°C〜175°C	3a	-
JANS1N5809US/TR	42.5100	RFQ	9597	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/477	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SQ-MELF，b		标准		B，平方米	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N5809US/TR	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		100 v		875 mv @ 4 A	30 ns		-65°C〜175°C	3a	-
JANS1N5711-1	-	RFQ	7294	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/444	大部分	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		肖特基		DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-JANS1N5711-1	Ear99	8541.10.0070	50	小信号= <200ma（io（io），任何速度		70 v		1 V @ 15 mA		200 na @ 50 V	-65°C〜150°C	33ma	2pf @ 0v，1MHz
JANTXV1N3910A	-	RFQ	4681	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/308	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱		标准		do-5	-			到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		100 v		1.4 V @ 50 A	150 ns		-65°C〜150°C	50a	-
JANTXV1N6842U3/tr	681.6900	RFQ	6503	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	3-SMD，没有铅		肖特基		U3	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N6842U3/tr	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		60 V		900 mv @ 15 A		50 µA @ 60 V	-65°C〜150°C	10a	400pf @ 5V，1MHz
1N2153	74.5200	RFQ	8749	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	螺柱		标准		-	下载			到达不受影响	150-1N2153	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		600 v		1.5 V @ 6 A		50 µA @ 600 V	-65°C〜150°C	6a	-
R2025	33.4500	RFQ	2491	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-R2025			1
CD5194	5.2269	RFQ	6652	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	死		标准		死	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CD5194	Ear99	8541.10.0040	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度		80 V		1 V @ 100 ma		25 na @ 80 V	-65°C〜175°C	200mA	-
JANS1N5968CUS/TR	-	RFQ	7702	微芯片技术	MIL-PRF-19500/356	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，E			5 w	E-Melf	下载				150-JANS1N5968CUS/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		5 ma @ 4.28 V				5.6 v	1欧姆
ST3010A	63.3000	RFQ	3686	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	TO-204AA，TO-3	ST3010	标准		TO-204AA（TO-3）	-			到达不受影响	150-ST3010A	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	1对公共阳极	100 v	15a	1.2 V @ 15 A	5 µs	10 µA @ 100 V	-65°C 〜200°C
JANTX1N823UR-1	5.5500	RFQ	6656	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/159	大部分	积极的	±5％	-	表面安装	do-213aa	1N823		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V				6.2 v	15欧姆
JANS1N6663US/TR	-	RFQ	1394	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/587	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SQ-MELF，a		标准		a，平方米	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N6663US/TR	Ear99	8541.10.0070	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		600 v		1 V @ 400 MA			-65°C〜175°C	500mA	-
1N5351E3/TR13	0.9900	RFQ	9549	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5351		5 w	T-18	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,250					1.2 V @ 1 A		1 µA @ 10.1 V				14 V	2.5欧姆
1N5820USE3	16.8000	RFQ	9664	微芯片技术	-	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，b		肖特基		B，平方米	-			到达不受影响	150-1N5820USE3	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		20 v		500 mv @ 3 a		100 µA @ 20 V	-65°C〜125°C	3a	-
MSASC75W45FR/TR	213.7350	RFQ	9512	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	Thinkey™3		肖特基，反极性		Thinkey™3	-			到达不受影响	150-MSASC75W45FR/TR	Ear99	8541.10.0080	100	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		45 v		760 mv @ 75 A		750 µA @ 45 V	-55°C 〜175°C	75a	-
UES1104SM	37.0050	RFQ	7792	微芯片技术	-	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，a		标准		a，平方米	-			到达不受影响	150-US1104SM	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		200 v		1 V @ 2 A	50 ns	10 µA @ 200 V	-	2a	-
JANTX1N5712UBD/TR	103.9200	RFQ	3044	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/444	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	3-SMD，没有铅		肖特基		UB	-			到达不受影响	150-JANTX1N5712UBD/TR	Ear99	8541.10.0070	100	小信号= <200ma（io（io），任何速度		16 V		1 V @ 35 MA		150 na @ 16 V	-65°C〜150°C	75mA	2pf @ 0v，1MHz
MSCDC150K70D1PAG	153.6500	RFQ	34	微芯片技术	-	盒子	积极的			底盘安装	模块	MSCDC150	SIC （碳化硅）		D1P	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-MSCDC150KK70D1PAG	Ear99	8541.10.0080	1	没有恢复t> 500mA（IO）	1对普通阴极	700 v	150a	1.8 V @ 150 A	0 ns	600 µA @ 700 V	-40°C〜175°C
85HQ035	117.7800	RFQ	8688	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	85HQ035	肖特基		do-5	下载	Rohs不合规		到达不受影响	85HQ035MS	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		35 v		740 mv @ 80 a		2 ma @ 35 V	-65°C〜175°C	80a	-
Jan1n5189/tr	9.6450	RFQ	1757年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/424	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	B，轴向		标准		B，轴向	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N5189/TR	Ear99	8541.10.0050	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		500 v		1.5 V @ 9 A	300 ns	2 µA @ 500 V	-65°C〜175°C	3a	-
JANTX1N6630/TR	15.2850	RFQ	9130	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/590	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	E，轴向		标准		E，轴向	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N6630/TR	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		900 v		1.7 V @ 3 A	50 ns	2 µA @ 990 V	-65°C〜175°C	3a	40pf @ 10V，1MHz
1N4132ur/tr	3.9450	RFQ	1855年	微芯片技术	MIL-STD-750	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-				150-1N4132ur/tr	Ear99	8541.10.0050	249					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 62.32 V				82 v	800欧姆
CDLL5253C	6.7200	RFQ	6290	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa			10兆	do-213aa	-			到达不受影响	150-CDLL5253C	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		100 na @ 19 V				25 v	35欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²