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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
1月1N2973B	-	RFQ	5130	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/124	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱			10 W	DO-213AA（DO-4）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 2 A		25 µA @ 6.9 V				9.1 v	2欧姆
CD4692	2.3408	RFQ	3760	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CD4692	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 200 ma		10 µA @ 5.1 V				6.8 v
1N4757PE3/TR8	0.9150	RFQ	6798	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4757		1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,500					1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 38.8 V				51 v	95欧姆
1N5227BE3/tr	2.5669	RFQ	4330	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TA）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N5227BE3/tr	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 200 ma		15 µA @ 1 V				3.6 v	24欧姆
1N714	2.7150	RFQ	7193	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N714		250兆	do-35	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1											10 v	8欧姆
1N6620U/TR	13.2300	RFQ	7109	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SQ-MELF，a		标准，反极性		a，平方米	-			到达不受影响	150-1N6620U/tr	Ear99	8541.10.0080	100	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		220 v		1.4 V @ 1.2 A	45 ns	500 NA @ 220 V	-65°C〜150°C	1.2a	-
1月1N2818RB	-	RFQ	2286	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/114	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	to-204ad	1N2818		10 W	TO-204AD（TO-3）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 2 A		10 µA @ 15.2 V				20 v	2.4欧姆
CDLL5238A/TR	2.7132	RFQ	6108	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf			10兆	do-213ab	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL5238A/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		3 µA @ 6.5 V				8.7 v	8欧姆
CDLL5233A/TR	2.7132	RFQ	1921年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf			10兆	do-213ab	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL5233A/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 3.5 V				6 V	7欧姆
1N4584A/tr	21.7200	RFQ	3462	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载			到达不受影响	150-1N4584A/tr	Ear99	8541.10.0050	100							2 µA @ 3 V				6.4 v	25欧姆
1 PMT5948B/TR13	2.2200	RFQ	8492	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		3 W	do-216aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	12,000					1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 69.2 V				91 v	200欧姆
1 PMT5943A/TR7	2.2200	RFQ	1944年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		3 W	do-216aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 42.6 V				56 v	86欧姆
MSASC100H30HX/TR	-	RFQ	5437	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-			到达不受影响	150-MSASC100H30HX/TR			100
1N1676	158.8200	RFQ	9524	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205ab，do-9，螺柱		标准		DO-205AB（DO-9）	下载			到达不受影响	150-1N1676	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		500 v		1.3 V @ 300 A		75 µA @ 500 V	-65°C 〜190°C	275a	-
1N3156A	31.5600	RFQ	1030	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向	1N3156		500兆	do-7	下载			到达不受影响	150-1N3156A	Ear99	8541.10.0050	1							10 µA @ 5.5 V				8.4 v	15欧姆
JANTX1N6626U	18.1050	RFQ	4266	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/590	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，a	1N6626	标准		D-5A	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		200 v		1.35 V @ 2 A	30 ns	2 µA @ 200 V	-65°C〜150°C	1.75a	-
1月1N92CUR-1/TR	-	RFQ	9706	微芯片技术	MIL-PRF-19500/117	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa			400兆	do-213aa	下载				150-JAN1N992CUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.3 V @ 200 ma		500 NA @ 152 V				200 v	2500欧姆
1N4743AE3	3.6450	RFQ	8984	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do041，轴向			1 w	do-41	-			到达不受影响	150-1N4743AE3	Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 9.9 V				13 V	10欧姆
CD5519	2.2950	RFQ	6521	微芯片技术	-	大部分	积极的	±20％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	-			到达不受影响	150-CD5519	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 200 ma		3 µA @ 1 V				3.6 v	24欧姆
1N4624	2.3275	RFQ	2252	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向			500兆	DO-7（do-204AA）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N4624	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 µA @ 3 V				4.7 v	1550年
1N3031BUR-1	15.3000	RFQ	8568	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	1N3031		1 w	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 22.8 V				30 V	40欧姆
SMBJ5377CE3/TR13	1.0800	RFQ	8535	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5377		5 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 1 A		500 NA @ 65.5 V				91 v	75欧姆
JANS1N4127CUR-1	97.9650	RFQ	8215	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 42.6 V				56 v	300欧姆
1N6024ur-1/tr	3.7400	RFQ	9963	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-					Ear99	8541.10.0050	264					1.1 V @ 200 ma						100 v
SBT3060C	62.1000	RFQ	1392	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	TO-204AA，TO-3	SBT3060	肖特基		TO-204AA（TO-3）	-			到达不受影响	150-SBT3060C	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	60 V	15a	740 mv @ 30 a		1.5 ma @ 60 V	-65°C〜175°C
CDLL5522D/TR	16.3950	RFQ	8885	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-			到达不受影响	150-CDLL5522D/TR	Ear99	8541.10.0050	100					1.1 V @ 200 ma		2 µA @ 2 V				4.7 v	22欧姆
JANS1N6312CUS	521.5050	RFQ	3253	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6312		500兆	do-35	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 A		5 µA @ 1 V				3.3 v	27欧姆
1N4567AE3/tr	4.2750	RFQ	2801	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载			到达不受影响	150-1N4567AE3/tr	Ear99	8541.10.0050	222							2 µA @ 3 V				6.4 v	200欧姆
1N5616	3.3200	RFQ	75	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	a，轴向	1N5616	标准		a，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		400 v		1.3 V @ 3 A	2 µs	500 NA @ 400 V	-65°C 〜200°C	1a	-
JAN1N3826CUR-1	35.5200	RFQ	3940	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））	1N3826		1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		3 µA @ 1 V				5.1 v	7欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²