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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
JANS1N5804US	37.2450	RFQ	5374	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/477	大部分	积极的			通过洞	a，轴向		标准		a，轴向	-			到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	100 v	975 MV @ 2.5 A	25 ns	1 µA @ 150 V	-65°C〜175°C	1a	25pf @ 10V，1MHz
JANS1N6309US	136.0950	RFQ	1203	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-			到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		100 µA @ 1 V				2.4 v	30欧姆
JANS1N6314	114.5850	RFQ	1919年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	B，轴向			500兆	B，轴向	-			到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		2 µA @ 1 V				3.9 v	23欧姆
JANS1N6322	114.5850	RFQ	6089	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	B，轴向			500兆	B，轴向	-			到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		1 µA @ 6 V				8.2 v	5欧姆
JANS1N6327DUS	334.3200	RFQ	3872	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-			到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		50 NA @ 9.9 V				13 V	8欧姆
JANS1N6330US	136.0950	RFQ	4921	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-			到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		50 na @ 14 V				18 V	14欧姆
JANS1N6331	114.5850	RFQ	4625	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	B，轴向			500兆	B，轴向	-			到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		50 na @ 15 V				20 v	18欧姆
JANS1N6332	114.5850	RFQ	1775年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	B，轴向			500兆	B，轴向	-			到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		50 na @ 17 V				22 v	20欧姆
JANS1N6333US	134.8050	RFQ	9843	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b	1N6333		500兆	B，平方米	-			到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		50 na @ 18 V				24 V	24欧姆
JANS1N6637	-	RFQ	8888	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	B，轴向			5 w	B，轴向	-			到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		5 µA @ 1 V				5.1 v	1.5欧姆
JANS1N6642UBCA	75.0300	RFQ	8855	微芯片技术	-	大部分	积极的			-	-		标准		-	-			到达不受影响	Ear99	8541.10.0070	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		1.2 V @ 100 ma	20 ns		-	-	5pf @ 0v，1MHz
JANS1N6642UBD	75.9150	RFQ	7328	微芯片技术	-	大部分	积极的			表面安装	4-SMD，没有铅		标准		UB	-			到达不受影响	Ear99	8541.10.0070	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		1.2 V @ 100 ma	5 ns		-	-	5pf @ 0v，1MHz
JANS1N827UR-1	195.9900	RFQ	2790	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/159	大部分	积极的	±5％	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-			到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V				6.2 v	15欧姆
JANTXV1N6328CUS	57.1050	RFQ	5198	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-			到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		50 na @ 11 V				15 v	10欧姆
JANTXV1N6767	-	RFQ	7295	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	TO-254-3，TO-254AA（（TO-254AA））		标准		TO-254	-			到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	600 v	1.55 V @ 12 A	60 ns	10 µA @ 480 V	-	12a	300pf @ 5V，1MHz
JTXM19500/469-02	441.7500	RFQ	7025	微芯片技术	-	大部分	积极的									-			到达不受影响		0000.00.0000	1
MQSPA25	619.6500	RFQ	6944	微芯片技术	-	大部分	积极的									-			到达不受影响		0000.00.0000	1
UES1001	18.4950	RFQ	2231	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	a，轴向		标准		a，轴向	-		不适用	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	50 V	975 MV @ 1 A	25 ns		-55°C 〜175°C	1a	-
UES1105HR2	59.6700	RFQ	7041	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	a，轴向		标准		a，轴向	-		不适用	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	300 v	1.25 V @ 1 A	50 ns		-	2a	-
UES1106E3	21.1050	RFQ	8841	微芯片技术	-	大部分	积极的									-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		0000.00.0000	1
UES1304E3	25.5300	RFQ	1080	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	B，轴向		标准		B，轴向	-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	200 v	1.25 V @ 3 A	50 ns		-55°C〜150°C	5a	-
UES2605HR2	92.9100	RFQ	7837	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	TO-204AA，TO-3		标准		TO-3	-		不适用	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		1.25 V @ 15 A	50 ns		-55°C〜150°C	30a	-
UES2606HR2	160.6350	RFQ	4354	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	TO-204AA，TO-3		标准		TO-3	-		不适用	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		1.25 V @ 15 A	50 ns		-55°C〜150°C	30a	-
UES704R	59.5650	RFQ	8796	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱		标准		DO-203AA（DO-4）	-		不适用	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	200 v	1.25 V @ 20 A	50 ns		-	20a	-
UES706R	72.8700	RFQ	1741年	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱		标准		DO-203AA（DO-4）	-		不适用	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	400 v	1.25 V @ 20 A	50 ns		-	20a	-
UFT3150A	63.3000	RFQ	6100	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	TO-204AA，TO-3		标准		TO-204AA（TO-3）	-			到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	500 v	1.1 V @ 15 A	50 ns	15 µA @ 500 V	-65°C〜175°C	30a	115pf @ 10V，1MHz
1月1N1128A	-	RFQ	8822	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱		标准		DO-203AA（DO-4）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	Ear99	8541.10.0070	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	600 v	2.2 V @ 10 A		5 µA @ 600 V	-65°C〜150°C		-
Jan1n2804b	-	RFQ	2194	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/114	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	to-204ad	1N2804		50 W	TO-204AD（TO-3）	-	Rohs不合规		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 A		150 µA @ 4.5 V				6.8 v	0.2欧姆
1月1N2808RB	-	RFQ	8843	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/114	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	to-204ad	1N2808		25 w	TO-204AD（TO-3）	-	Rohs不合规		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 A		25 µA @ 6.7 V				10 v	0.6欧姆
1月1N2809B	-	RFQ	3568	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/114	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	to-204ad	1N2809		10 W	TO-204AD（TO-3）	-	Rohs不合规		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 A		10 µA @ 8.4 V				11 V	0.8欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²