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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	技术	力量 -最大	供应商设备包	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
Jan1n7047cct3	114.5700	RFQ	5159	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/737	大部分	积极的			通过洞	TO-257-3	肖特基		TO-257	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	150 v	16a	1.13 V @ 16 A		500 µA @ 150 V	-65°C〜150°C
Jan1n749a-1	2.0550	RFQ	3311	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		500兆	DO-35（do-204AH）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		2 µA @ 1 V				4.3 v	18欧姆
1月1N755A-1	2.0550	RFQ	4347	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		500兆	DO-35（do-204AH）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		2 µA @ 5 V				7.5 v	4欧姆
1月1N967DUR-1	14.2500	RFQ	3281	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	DO-213AA（）		500兆	do-213aa	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		500 na @ 14 V				18 V	21欧姆
1月1N991B-1	-	RFQ	5821	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		500兆	DO-35（do-204AH）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.3 V @ 200 ma		500 NA @ 137 V				180 v	2200欧姆
JANS1N3595AUS	61.1400	RFQ	7777	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/241R	大部分	积极的	-	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			DO-35（do-204AH）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1
JANS1N4111CUR-1	97.9650	RFQ	3446	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	DO-213AA（）		500兆	do-213aa	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		50 na @ 13 V				17 V	100欧姆
JANS1N4114UR-1	48.9900	RFQ	1214	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TA）	表面安装	DO-213AA（）		500兆	do-213aa	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 15.2 V				20 v	150欧姆
JANS1N4117-1	33.7800	RFQ	2749	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		500兆	DO-35（do-204AH）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		40 µA @ 15 V				25 v	150欧姆
JANS1N4118-1	33.7800	RFQ	8833	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		500兆	DO-35（do-204AH）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 20.5 V				27 V	150欧姆
JANS1N4463	83.8650	RFQ	9663	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向		1.5 w	do-41	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		500 NA @ 4.92 V				8.2 v	2.5欧姆
JANS1N4465	83.8650	RFQ	5617	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向		1.5 w	do-41	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		300 na @ 8 V				10 v	5欧姆
JANS1N4479US	91.8900	RFQ	1572年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a		1.5 w	a，平方米	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		50 NA @ 31.2 V				39 v	30欧姆
JANS1N4616CUR-1	183.3900	RFQ	1882年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	DO-213AA（）		500兆	do-213aa	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		2 µA @ 1 V				2.2 v	1300欧姆
JANS1N4623UR-1	69.6150	RFQ	7501	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TA）	表面安装	DO-213AA（）		500兆	do-213aa	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		4 µA @ 2 V				4.3 v	1600欧姆
JANS1N4954US	115.5000	RFQ	6175	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，E		5 w	D-5B	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		150 µA @ 5.2 V				6.8 v	1欧姆
JANS1N4958	103.9500	RFQ	7010	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	B，轴向		5 w	B，轴向	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		25 µA @ 7.6 V				10 v	2欧姆
JANS1N4959US	115.5000	RFQ	8099	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，E		5 w	D-5B	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		10 µA @ 8.4 V				11 V	2.5欧姆
JANS1N4960	80.1900	RFQ	9106	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	B，轴向		5 w	B，轴向	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		10 µA @ 9.1 V				12 v	2.5欧姆
JANS1N4961	80.1900	RFQ	8504	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	B，轴向		5 w	B，轴向	到达不受影响	2266-JANS1N4961	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		10 µA @ 9.9 V				13 V	3欧姆
JANS1N4964	80.1900	RFQ	9168	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	B，轴向		5 w	B，轴向	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		5 µA @ 13.7 V				18 V	4欧姆
JANS1N4969	80.1900	RFQ	2571	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	B，轴向		5 w	B，轴向	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		2 µA @ 22.8 V				30 V	8欧姆
JANS1N4971	80.1900	RFQ	7418	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	B，轴向		5 w	B，轴向	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		2 µA @ 27.4 V				36 V	11欧姆
JANS1N4981	80.1900	RFQ	1039	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	B，轴向		5 w	B，轴向	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		2 µA @ 69.2 V				91 v	90欧姆
JANS1N4988US	115.5000	RFQ	2066	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，E		5 w	D-5B	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		2 µA @ 136.8 V				180 v	450欧姆
JANS1N5416US	71.1150	RFQ	7257	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/411	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，b	标准		B，平方米	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		100 v		1.5 V @ 9 A	150 ns		-65°C〜175°C	3a	-
JANS1N5550	81.1500	RFQ	1982	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/420	大部分	积极的			通过洞	B，轴向	标准		B，轴向	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		200 v		1.2 V @ 9 A	2 µs		-65°C〜175°C	5a	-
JANS1N5554US	107.7300	RFQ	4975	微芯片技术	-	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，b	标准		B，平方米	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）				1.3 V @ 9 A	2 µs	1 µA @ 150 V	-65°C〜175°C	3a	-
JANS1N5619	67.0500	RFQ	5473	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/429	大部分	积极的			通过洞	a，轴向	标准		a，轴向	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		600 v		1.6 V @ 3 A	250 ns		-65°C 〜200°C	1a	-
JANS1N5623	85.4400	RFQ	1061	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/429	大部分	积极的			通过洞	a，轴向	标准		a，轴向	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）				1.6 V @ 3 A	500 ns		-65°C 〜200°C	1a	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²