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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	二极管类型	电压-峰值反向（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	电阻 @ if，f
1N6864/tr	139.2150	RFQ	5872	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/620	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	B，轴向		肖特基		B，轴向	下载	rohs3符合条件	到达不受影响	150-1N6864/tr	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		80 V	700 mv @ 3 a		150 µA @ 80 V	-65°C〜125°C	3a	-
JANTX1N3051B-1/TR	-	RFQ	9619	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-JANTX1N3051B-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1
JANTX1N962D-1/TR	6.3308	RFQ	7039	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-55°C 〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-JANTX1N962D-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1				1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 8.4 V						11 V	9.5欧姆
JANTX1N4109DUR-1/TR	24.7513	RFQ	8448	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-JANTX1N4109DUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1				1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 11.4 V						15 v	100欧姆
JANTXV1N3034D-1/TR	32.2392	RFQ	5822	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-JANTXV1N3034D-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1				1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 29.7 V						39 v	60欧姆
Jan1n4101ur-1/tr	7.8736	RFQ	1744年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）				do-213aa	-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-JAN1N4101UR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1				1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 6.3 V						8.2 v	200欧姆
LXZ1000-23-14	5.9400	RFQ	4818	微芯片技术	-	大部分	积极的		125°C（TJ）		TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				SOT-23-3	-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-LXZ1000-23-14	Ear99	8541.10.0060	1		75兆							0.3pf @ 500MV，1MHz	肖特基 -1对系列连接	1V			-
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Jan1n974dur-1/tr	12.7680	RFQ	7131	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-JAN1N974DUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1				1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 27 V						36 V	70欧姆
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CDLL4739D	7.3682	RFQ	1545年	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	rohs3符合条件	到达不受影响	150-CDLL4739D	Ear99	8541.10.0050	1				1.2 V @ 200 ma		3 µA @ 7 V						9.1 v	5欧姆
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JANTXV1N3316B	-	RFQ	9393	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/358	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱			50 W	do-5	下载	rohs3符合条件	到达不受影响	150-JANTXV1N3316B	Ear99	8541.10.0050	1				1.5 V @ 10 A		10 µA @ 13 V						17 V	1.8欧姆
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JANTX1N758DUR-1/TR	15.9999	RFQ	6778	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-JANTX1N758DUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1				1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 8 V						10 v	17欧姆
JANTX1N982CUR-1/TR	13.9384	RFQ	2332	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C 〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N982		500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-JANTX1N982CUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1				1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 56 V						75 v	270欧姆
JANTX1N4104-1/TR	4.4023	RFQ	2220	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件	到达不受影响	150-JANTX1N4104-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1				1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 7.6 V						10 v	200欧姆
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JAN1N4113CUR-1/TR	13.0606	RFQ	3373	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）				do-213aa	-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-JAN1N4113CUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1				1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 14.5 V						19 v	150欧姆
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Jan1n4114-1/tr	3.7772	RFQ	4366	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件	到达不受影响	150-JAN1N4114-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1				1.1 V @ 200 ma		10 na @ 15.2 V						20 v	150欧姆
JANTXV1N3595A-1/TR	6.0914	RFQ	3737	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/241	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		标准		do-35	-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-JANTXV1N3595A-1/TR	Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度		125 v	920 MV @ 100 mA	3 µs	2 NA @ 125 V	-65°C〜175°C	150mA	-
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Janhca1n5546b	6.7564	RFQ	2893	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载	rohs3符合条件	到达不受影响	150-Janhca1n5546b	Ear99	8541.10.0050	1				1.1 V @ 200 ma		10 NA @ 29.7 V						33 V	100欧姆
CDLL4784A/TR	305.6250	RFQ	4038	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜100°C	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	下载	rohs3符合条件	到达不受影响	150-CDLL4784A/TR	Ear99	8541.10.0050	1						10 µA @ 6 V						8.5 v	100欧姆
Jan1n4117ur-1/tr	7.8736	RFQ	8724	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）				do-213aa	-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-JAN1N4117UR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1				1.1 V @ 200 ma		10 na @ 19 V						25 v	150欧姆
JANTX1N4132C-1/TR	12.1695	RFQ	5089	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件	到达不受影响	150-JANTX1N4132C-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1				1.1 V @ 200 ma		10 na @ 62.4 V						82 v	800欧姆
CDLL5244A/TR	2.7132	RFQ	3449	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf			10兆	do-213ab	下载	rohs3符合条件	到达不受影响	150-CDLL5244A/TR	Ear99	8541.10.0050	1				1.1 V @ 200 ma		100 na @ 10 V						14 V	15欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²