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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	电阻 @ if，f
JANS1N6347US/TR	154.0106	RFQ	6789	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N6347US/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 A		50 NA @ 69 V						91 v	270欧姆
JANTXV1N4111C-1	23.1600	RFQ	1286	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4111		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		50 na @ 13 V						17 V	100欧姆
1 PMT5928AE3/TR13	0.7350	RFQ	3299	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		3 W	do-216aa	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	12,000					1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 9.9 V						13 V	7欧姆
CDLL3024B	15.3000	RFQ	8555	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL3024		1 w	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		500 NA @ 11.4 V						15 v	14欧姆
1N3332B	49.3800	RFQ	1965年	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	底盘，螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N3332		50 W	do-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 10 A		10 µA @ 38.8 V						51 v	5.2欧姆
JANTXV1N4993	19.9650	RFQ	1936年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	E，轴向			5 w	E，轴向	-			到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		2 µA @ 228 V						300 v	950欧姆
CD4686D	-	RFQ	2152	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	-			到达不受影响	150-CD4686D	Ear99	8541.10.0050	100					1.5 V @ 200 ma		5 µA @ 2 V						3.9 v
1N4449	-	RFQ	1160	微芯片技术	-	大部分	在sic中停产			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		标准		do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度		75 v		1 V @ 30 mA	4 ns	25 na @ 20 V	-65°C〜150°C	200mA	-
JANTX1N4568AR-1	19.0650	RFQ	7595	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/452	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N4568		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V						3 V	200欧姆
JANTXV1N4995CUS/TR	-	RFQ	4458	微芯片技术	MIL-PRF-19500/356	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，E			5 w	E-Melf	下载				150-JANTXV1N4995CUS/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		2 µA @ 274 V						360 v	1400欧姆
JANTX1N4371C-1	11.7450	RFQ	7053	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4371		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		60 µA @ 1 V						2.7 v	30欧姆
CDLL941	4.6350	RFQ	1804年	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa	CDLL941		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1							15 µA @ 8 V						11.7 v	30欧姆
1N5275BUR-1/TR	5.3400	RFQ	5408	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-					Ear99	8541.10.0050	182					1.1 V @ 200 ma		100 NA @ 106 V						140 v	1300欧姆
JANS1N6635US	-	RFQ	9534	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，E			5 w	D-5B	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		25 µA @ 1 V						4.3 v	2欧姆
JANTXV1N5554US	-	RFQ	2725	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/420	大部分	在sic中停产			表面安装	SQ-MELF，E		标准		D-5B	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		1000 v		1.3 V @ 9 A	2 µs	1 µA @ 1000 V	-65°C〜175°C	3a	-
BZV55C2V7/TR	2.7664	RFQ	6888	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±7％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）				do-213aa	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-BZV55C2V7/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		20 µA @ 1 V						2.7 v
JANS1N6352C	-	RFQ	6809	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	B，轴向			500兆	B，轴向	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 A		50 NA @ 114 V						150 v	1000欧姆
JANTXV1N4148UBCA/TR	33.7953	RFQ	1573年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/116	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	3-SMD，没有铅	1N4148	标准		UB	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N4148UBCA/tr	Ear99	8541.10.0070	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对公共阳极	75 v	200mA	1.2 V @ 100 ma	20 ns	500 NA @ 75 V	-65°C 〜200°C
1N6000D	5.1900	RFQ	3642	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6000		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		100 na @ 8 V						10 v	15欧姆
1N2131R	74.5200	RFQ	5980	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱		标准，反极性		DO-5（do-203ab）	下载			到达不受影响	150-1N2131R	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		200 v		1.25 V @ 200 A		25 µA @ 200 V	-65°C 〜200°C	70a	-
GC4902-12	-	RFQ	1991	微芯片技术	-	托盘	积极的		-65°C〜150°C		2-SMD，平坦的铅				-	-			到达不受影响	150-GC4902-12	Ear99	8541.10.0080	1										0.025pf @ 10v，2.2GHz	PIN-单	100V			3ohm @ 50mA，2.2GHz
CDLL5225A	2.8650	RFQ	5428	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL5225			do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		50 µA @ 1 V						3 V	29欧姆
1N5264BUR-1	3.5850	RFQ	7447	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa	1N5264		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		100 NA @ 46 V						60 V	170欧姆
JANTX1N986D-1	8.4900	RFQ	5756	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±1％	-55°C 〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N986		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.3 V @ 200 ma		500 NA @ 84 V						110 v	750欧姆
JANS1N6309DUS/TR	356.5050	RFQ	4514	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-			到达不受影响	150-JANS1N6309DUS/TR	Ear99	8541.10.0050	50					1.4 V @ 1 A		100 µA @ 1 V						2.4 v	30欧姆
Jan1n6323us	15.9300	RFQ	3198	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，b	1N6323		500兆	B，平方米	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 A		1 µA @ 7 V						9.1 v	6欧姆
JANS1N4581A-1/TR	142.4850	RFQ	7373	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/452	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TA）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N4581A-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V						6.4 v	25欧姆
CDLL0.5A40	2.9925	RFQ	6306	微芯片技术	-	大部分	积极的			表面安装	do-213aa	CDLL0.5	肖特基		do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		40 V		650 MV @ 500 mA		10 µA @ 40 V	-65°C〜125°C	500mA	50pf @ 0v，1MHz
UZ8724	22.4400	RFQ	9723	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	a，轴向			1 w	a，轴向	-			到达不受影响	150-UZ8724	Ear99	8541.10.0050	1							500 na @ 18.2 V						24 V	25欧姆
JANS1N4984D	374.1920	RFQ	9933	微芯片技术	-	大部分	积极的									下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N4984D	Ear99	8541.10.0050	1

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²