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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
CDLL5273C	6.7200	RFQ	9837	微芯片技术	-	大部分	积极的	±20％	-65°C 〜200°C	表面安装	do-213aa			do-213aa	-	到达不受影响	150-CDLL5273C	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	100 na @ 86 V				120 v	900欧姆
1N5539	1.8150	RFQ	8512	微芯片技术	-	大部分	积极的	±20％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		500兆	DO-35（do-204AH）	-	到达不受影响	150-1N5539	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	10 na @ 16 V				19 v
Janhca1n4614d	-	RFQ	6794	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	死		500兆	死	-	到达不受影响	150-Janhca1n4614d	Ear99	8541.10.0050	100			1.1 V @ 200 ma	7.5 µA @ 1 V				1.8 v	1200欧姆
JANTXV1N6350D	46.9200	RFQ	6059	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		500兆	DO-35（do-204AH）	-	到达不受影响	150-JANTXV1N6350D	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A	50 NA @ 91 V				120 v	600欧姆
UT4020	11.1450	RFQ	3835	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	轴向	标准		b	-	到达不受影响	150-UT4020	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	200 v	1 V @ 3 A	5 µA @ 200 V	-195°C〜175°C	4a	-
jankca1n5536d	-	RFQ	1170	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		500兆	DO-35（do-204AH）	-	到达不受影响	150-JANKCA1N5536D	Ear99	8541.10.0050	100			1.1 V @ 200 ma	10 na @ 14.4 V				16 V	100欧姆
JANTX1N6329D	39.7950	RFQ	4856	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		500兆	DO-35（do-204AH）	-	到达不受影响	150-JANTX1N6329D	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A	50 na @ 12 V				16 V	12欧姆
1N5254B-1	4.2300	RFQ	3005	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		500兆	DO-35（do-204AH）	-	到达不受影响	150-1N5254B-1	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 ma	100 na @ 21 V				27 V	41欧姆
Janhca1n4113d	-	RFQ	9971	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	死		500兆	死	-	到达不受影响	150-Janhca1n4113d	Ear99	8541.10.0050	100			1.1 V @ 200 ma	50 NA @ 14.44 V				19 v	150欧姆
CDLL5267D	8.4150	RFQ	4848	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa		10兆	do-213aa	-	到达不受影响	150-CDLL5267D	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	100 na @ 56 V				75 v	270欧姆
1N5281B-1	3.6450	RFQ	8663	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			DO-35（do-204AH）	-	到达不受影响	150-1N5281B-1	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 ma	100 NA @ 152 V
1N5546B-1	3.0750	RFQ	9453	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		500兆	DO-35（do-204AH）	-	到达不受影响	150-1N5546B-1	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	10 NA @ 29.7 V				33 V	100欧姆
1N3782	38.6100	RFQ	5614	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-	通过洞	do-204aa，do-7，轴向		400兆	do-7	-	到达不受影响	150-1N3782	Ear99	8541.10.0050	1								6.7 v	10欧姆
JANS1N4990D	519.7200	RFQ	7442	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	E，轴向		5 w	E，轴向	-	到达不受影响	150-JANS1N4990D	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A	2 µA @ 167 V				220 v	550欧姆
CDLL5930DE3	11.9400	RFQ	7249	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））		1.25 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	-	到达不受影响	150-CDLL5930DE3	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma	1 µA @ 12.2 V				16 V	10欧姆
1N5520D	5.4900	RFQ	2633	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		500兆	DO-35（do-204AH）	-	到达不受影响	150-1N5520D	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	1 µA @ 1 V				3.9 v	22欧姆
CDLL5529D	16.2000	RFQ	4612	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa		500兆	do-213aa	-	到达不受影响	150-CDLL5529D	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	100 na @ 8.2 V				9.1 v	45欧姆
jankca1n5539d	-	RFQ	1468	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		500兆	DO-35（do-204AH）	-	到达不受影响	150-JANKCA1N5539D	Ear99	8541.10.0050	100			1.1 V @ 200 ma	10 na @ 17.1 V				19 v	100欧姆
CD4100V	3.0900	RFQ	8199	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	死		500兆	死	-	到达不受影响	150-CD4100V	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 ma	10 µA @ 5.7 V				7.5 v	200欧姆
JANTXV1N4989DUS	51.1200	RFQ	7257	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b		5 w	E-Melf	-	到达不受影响	150-JANTXV1N4989DUS	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A	2 µA @ 152 V				200 v	500欧姆
UZ8824	22.4400	RFQ	5833	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	通过洞	a，轴向		1 w	a，轴向	-	到达不受影响	150-UZ8824	Ear99	8541.10.0050	1				500 NA @ 17.3 V				24 V	25欧姆
1N4714-1	3.9300	RFQ	5491	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	到达不受影响	150-1N4714-1	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	10 na @ 25 V				33 V
1N4112DUR-1	9.4800	RFQ	4030	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa		500兆	do-213aa	下载	到达不受影响	150-1N4112DUR-1	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	50 NA @ 13.7 V				18 V	100欧姆
jankca1n4627d	-	RFQ	3919	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	死		500兆	死	-	到达不受影响	150-JANKCA1N4627D	Ear99	8541.10.0050	100			1.1 V @ 200 ma	10 µA @ 5 V				6.2 v	1200欧姆
Jan1n6350d	49.5300	RFQ	8224	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		500兆	DO-35（do-204AH）	-	到达不受影响	150-JAN1N6350D	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A	50 NA @ 91 V				120 v	600欧姆
1N4780C	31.7100	RFQ	8542	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向		250兆	do-7	-	到达不受影响	150-1N4780C	Ear99	8541.10.0050	1				10 µA @ 6 V				8.5 v	100欧姆
CDLL6637	14.7300	RFQ	9788	微芯片技术	*	大部分	积极的								-	到达不受影响	150-CDLL6637	Ear99	8541.10.0050	1
UFR8505	148.2150	RFQ	5935	微芯片技术	*	大部分	积极的								-	到达不受影响	150-UFR8505			1
1N1587	38.3850	RFQ	6727	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	标准		DO-4（do-203AA）	下载	到达不受影响	150-1N1587	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	600 v	1.3 V @ 30 A	10 µA @ 600 V	-65°C 〜200°C	3a	-
CDS756AR-1	-	RFQ	7314	微芯片技术	*	大部分	积极的								-	到达不受影响	150-CDS756AR-1	Ear99	8541.10.0050	50

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²