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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
1N4920A/TR	72.0000	RFQ	9802	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜100°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N4920A/TR	Ear99	8541.10.0050	1											19.2 v	300欧姆
JANTX1N4617CUR-1	24.0900	RFQ	5405	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N4617		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1							1 µA @ 1 V				2.4 v	1400欧姆
JANTX1N55528C-1/TR	13.9384	RFQ	2757	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N5528C-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 7.5 V				8.2 v	40欧姆
JANTX1N827UR-1/TR	9.5850	RFQ	8782	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/159	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N827UR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V				6.2 v	15欧姆
JANTXV1N4124C-1	23.1600	RFQ	9926	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4124		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 32.7 V				43 V	250欧姆
CDLL982B	2.9400	RFQ	8046	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL982		500兆	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 56 V				75 v	270欧姆
1N989B	-	RFQ	1770年	微芯片技术	-	大部分	在sic中停产	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向			500兆	do-7	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 114 V				150 v	1500欧姆
Jan1n4971d	18.6750	RFQ	6367	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	E，轴向	1N4971		5 w	E，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		2 µA @ 27.4 V				36 V	11欧姆
UZ7809	468.9900	RFQ	7367	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	螺柱坐骑	螺柱			10 W	轴向	-			到达不受影响	150-UZ7809	Ear99	8541.10.0050	1							150 µA @ 6.6 V				9.1 v	1欧姆
JANS1N6340DUS	527.5650	RFQ	5585	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-			到达不受影响	150-JANS1N6340DUS	Ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 A		50 na @ 36 V				47 V	75欧姆
JAN1N4103C-1	10.5000	RFQ	5114	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4103			DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		500 na @ 7 V				9.1 v	200欧姆
CDLL5249C/TR	6.9150	RFQ	9498	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa			10兆	do-213aa	-			到达不受影响	150-CDLL5249C/TR	Ear99	8541.10.0050	137					1.1 V @ 200 ma		100 na @ 14 V				19 v	23欧姆
SMBJ5942A/TR13	1.5600	RFQ	4830	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5942		2 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 38.8 V				51 v	70欧姆
jankca1n4111d	-	RFQ	3984	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	-			到达不受影响	150-Jankca1n4111d	Ear99	8541.10.0050	100					1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 12.92 V				17 V	100欧姆
SMBG5340CE3/TR13	1.4400	RFQ	5383	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-215AA，SMB海鸥翼	SMBG5340		5 w	SMBG（DO-215AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 1 A		1 µA @ 3 V				6 V	1欧姆
JANTXV1N4995US/TR	-	RFQ	7605	微芯片技术	MIL-PRF-19500/356	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，E			5 w	E-Melf	下载				150-JANTXV1N4995US/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		2 µA @ 274 V				360 v	1400欧姆
SMAJ5924E3/TR13	0.6450	RFQ	2628	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C〜150°C	表面安装	do-214ac，SMA	SMAJ5924		3 W	DO-214AC（SMAJ）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	7,500					1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 7 V				9.1 v	4欧姆
Jan1n7049ur-1/tr	9.3150	RFQ	4026	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N7049UR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1
Jan1n3344b	-	RFQ	6058	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/358	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱			50 W	do-5	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 10 A		10 µA @ 99.8 V				130 v	50欧姆
1N4493US	15.8550	RFQ	9895	微芯片技术	MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a	1N4493		1.5 w	a，平方米	下载	Rohs不合规		到达不受影响	1N4493USM	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		250 NA @ 120 V				150 v	700欧姆
SMBJ5344B/TR13	1.6650	RFQ	2544	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5344		5 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 1 A		10 µA @ 5.9 V				8.2 v	1.5欧姆
JANTXV1N3050BUR-1	-	RFQ	9728	微芯片技术	-	大部分	积极的									-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1
JANTX1N4108-1/TR	6.7564	RFQ	5032	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N4108-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 10.7 V				14 V	200欧姆
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Jan1n6874utk2/tr	364.6950	RFQ	2677	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-			到达不受影响	150-JAN1N6874UTK2/tr			100
CDLL5542	6.4800	RFQ	5772	微芯片技术	-	大部分	积极的	±20％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL5542		500兆	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 20 V				24 V	100欧姆
JANTX1N3324RB	-	RFQ	8182	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/358	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱			50 W	do-5	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 10 A		10 µA @ 22.8 V				30 V	3欧姆
CDLL3827	10.1250	RFQ	6666	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL3827		1 w	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		3 µA @ 1 V				5.6 v	5欧姆
1N6874UTK2	259.3500	RFQ	3036	微芯片技术	-	大部分	积极的			表面安装	Thinkey™2		标准		Thinkey™2	-			到达不受影响	150-1N6874UTK2	Ear99	8541.10.0070	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）				1 V @ 400 MA			-65°C〜175°C	400mA	-
JANTXV1N6342CUS/TR	57.2550	RFQ	8976	微芯片技术	MIL-PRF-19500/533	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-				150-JANTXV1N6342CUS/TR	Ear99	8541.10.0050	100					1.4 V @ 1 A		50 NA @ 43 V				56 v	100欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²