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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
1N4567-1	4.0800	RFQ	1147	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	0°C〜75°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4567	500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1		2 µA @ 3 V	6.4 v	200欧姆
1N4569-1	67.3350	RFQ	7510	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	0°C〜75°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4569	500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1		2 µA @ 3 V	6.4 v	200欧姆
1N4569A-1	67.3350	RFQ	1595年	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-55°C〜100°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4569	500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1		2 µA @ 3 V	6.4 v	200欧姆
1N4569AR-1	80.9550	RFQ	9077	微芯片技术	-	大部分	积极的	-	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa	1N4569	500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1		2 µA @ 3 V		200欧姆
1N4570-1	3.5850	RFQ	9006	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	0°C〜75°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4570	500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1		2 µA @ 3 V	6.4 v	100欧姆
1N4570A-1	3.7800	RFQ	3431	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4570	500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1		2 µA @ 3 V	6.4 v	100欧姆
1N4571-1	6.5250	RFQ	4824	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	0°C〜75°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4571	500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1		2 µA @ 3 V	6.4 v	100欧姆
1N4572AR-1	9.0151	RFQ	7663	微芯片技术	-	大部分	积极的	-	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa	1N4572	500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1		2 µA @ 3 V		100欧姆
1N4574AR-1	29.4000	RFQ	3579	微芯片技术	-	大部分	积极的	-	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa	1N4574	500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1		2 µA @ 3 V		100欧姆
1N4575-1	4.0650	RFQ	9143	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4575	500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1		2 µA @ 3 V	6.4 v	50欧姆
1N4576-1	8.4300	RFQ	8149	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	0°C〜75°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4576	500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1		2 µA @ 3 V	6.4 v	50欧姆
1N4576A-1	3.4950	RFQ	5566	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4576	500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1		2 µA @ 3 V	6.4 v	50欧姆
1N4576AR-1	8.6250	RFQ	1714年	微芯片技术	-	大部分	积极的	-	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa	1N4576	500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1		2 µA @ 3 V		50欧姆
1N4577A-1	8.4300	RFQ	8435	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-55°C〜100°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4577	500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1		2 µA @ 3 V	6.4 v	50欧姆
1N4578AR-1	18.5100	RFQ	5351	微芯片技术	-	大部分	积极的	-	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa	1N4578	500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1		2 µA @ 3 V		50欧姆
1N4580-1	3.8850	RFQ	8426	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4580	500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1		2 µA @ 3 V	6.4 v	25欧姆
JANS1N4482D	258.8850	RFQ	1834年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向		1.5 w	do-41	-	Rohs不合规		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1	1.5 V @ 1 A	50 NA @ 40.8 V	51 v	60欧姆
JANS1N444483C	207.1050	RFQ	8184	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向		1.5 w	do-41	-	Rohs不合规		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1	1.5 V @ 1 A	250 na @ 44.8 V	56 v	70欧姆
JANS1N4483US	162.0150	RFQ	2200	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a		1.5 w	a，平方米	-	Rohs不合规		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1	1.5 V @ 1 A	250 na @ 44.8 V	56 v	70欧姆
JANS1N4484	137.4000	RFQ	7421	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向		1.5 w	do-41	-	Rohs不合规		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1	1.5 V @ 1 A	250 NA @ 49.6 V	62 v	80欧姆
JANS1N4489US	163.5750	RFQ	9904	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a		1.5 w	a，平方米	-	Rohs不合规		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1	1.5 V @ 1 A	250 na @ 80 V	100 v	250欧姆
JANS1N4492US	162.0150	RFQ	7169	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a		1.5 w	a，平方米	-	Rohs不合规		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1	1.5 V @ 1 A	250 na @ 104 V	130 v	500欧姆
JANS1N4493	137.4000	RFQ	8861	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向		1.5 w	do-41	-	Rohs不合规		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1	1.5 V @ 1 A	250 NA @ 120 V	150 v	700欧姆
JANS1N4494	137.4000	RFQ	2671	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向		1.5 w	do-41	-	Rohs不合规		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1	1.5 V @ 1 A	250 na @ 128 V	160 v	1000欧姆
JANS1N4496	180.8100	RFQ	2452	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向		1.5 w	do-41	-	Rohs不合规		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1	1.5 V @ 1 A	250 NA @ 160 V	200 v	1500欧姆
JANS1N4496US	213.2550	RFQ	7847	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a		1.5 w	a，平方米	-	Rohs不合规		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1	1.5 V @ 1 A	250 NA @ 160 V	200 v	1500欧姆
JANS1N4565AR-1	85.8150	RFQ	5436	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/452	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TA）	表面安装	do-213aa		500兆	do-213aa	-	Rohs不合规		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1		2 µA @ 3 V	6.4 v	200欧姆
JANS1N4566A-1	142.3350	RFQ	6124	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/452	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TA）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		500兆	DO-35（do-204AH）	-	Rohs不合规		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1		2 µA @ 3 V	6.4 v	200欧姆
JANS1N4575A-1	74.6250	RFQ	9881	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/452	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TA）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		500兆	DO-35（do-204AH）	-	Rohs不合规		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1		2 µA @ 3 V	6.4 v	50欧姆
JANS1N4576AUR-1	163.6800	RFQ	3467	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/452	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TA）	表面安装	do-213aa		500兆	do-213aa	-	Rohs不合规		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1		2 µA @ 3 V	6.4 v	50欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²