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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	电流 -最大	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	电阻 @ if，f
JAN1N5524D-1/TR	15.8137	RFQ	7004	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N5524D-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		2 µA @ 3.5 V						5.6 v	30欧姆
1N6627U/tr	15.2250	RFQ	8329	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SQ-MELF，E		标准		D-5B	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N6627U/tr	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）			400 v	1.5 V @ 4 A	30 ns	2 µA @ 400 V	-	4a	-
UX9401F	-	RFQ	7710	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C〜175°C		2-SMD				-	-			到达不受影响	150-ux9401ftr	Ear99	8541.10.0070	1			4 W							0.9pf @ 50V，1MHz	PIN-单	50V			750MOHM @ 50mA，100MHz
UM7502F	34.1100	RFQ	9324	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C〜175°C		-				-	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-UM7502F	Ear99	8541.10.0060	1			10 W							1pf @ 100V，1MHz	PIN-单	200V			1OHM @ 50mA，100MHz
1N5988UR-1	3.5850	RFQ	6023	微芯片技术	*	大部分	积极的					1N5988				-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1
1N6029D	6.9600	RFQ	2707	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6029		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		100 na @ 122 V						160 v	1400欧姆
JANS1N4993DUS	346.5300	RFQ	4558	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，E			5 w	D-5B	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		2 µA @ 228 V						300 v	950欧姆
CD3827A	4.3624	RFQ	2351	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	死				死	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CD3827A	Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		3 µA @ 2 V						5.6 v	5欧姆
JAN1N4575AR-1	5.2200	RFQ	1095	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/452	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N4575		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V						6.4 v	50欧姆
Janhca1n983b	8.5785	RFQ	2310	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向			500兆	DO-7（do-204AA）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-Janhca1n983b	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 62.2 V						82 v	330欧姆
JANTXV1N6491DUS/TR	-	RFQ	6163	微芯片技术	MIL-PRF-19500/406	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	下载				150-JANTXV1N6491DUS/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		500 na @ 2 V						5.6 v	5欧姆
UMX6001B	-	RFQ	3478	微芯片技术	-	包	积极的		-		轴向				轴向	-			到达不受影响	150-UMX6001B	Ear99	8541.10.0060	1										-	-	-			-
CDLL5249B	2.8650	RFQ	1192	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL5249		10兆	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		100 na @ 14 V						19 v	23欧姆
GC4432-m1/tr	-	RFQ	5483	微芯片技术	-	托盘	积极的		-55°C〜150°C		1208 （3020公制）				M1	-			到达不受影响	150-GC4432-m1/tr	Ear99	8541.10.0070	1		50 mA								0.5pf @ 50V，1MHz	PIN-单	300V			1 OHM @ 100mA，100MHz
SMAJ4754CE3/TR13	0.6450	RFQ	9891	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜150°C	表面安装	do-214ac，SMA	SMAJ4754		2 w	DO-214AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	7,500					1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 29.7 V						39 v	60欧姆
1N5247	3.2250	RFQ	3494	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-1N5247	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 200 ma		100 na @ 12.4 V						17 V	19欧姆
1N725A	1.9200	RFQ	6454	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N725		250兆	do-35	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1													30 V	42欧姆
JAN1N3027DUR-1/TR	36.2558	RFQ	7958	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N3027DUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 15.2 V						20 v	22欧姆
SMAJ4758AE3/TR13	0.6450	RFQ	5696	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	do-214ac，SMA	SMAJ4758		2 w	DO-214AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	7,500					1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 42.6 V						56 v	110欧姆
JANTX1N4482DUS/TR	49.7250	RFQ	9787	微芯片技术	MIL-PRF-19500/406	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	-				150-JANTX1N444482DUS/TR	Ear99	8541.10.0050	100					1.5 V @ 1 A		50 NA @ 40.8 V						51 v	60欧姆
1 PMT5925B/TR7	2.2200	RFQ	2779	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		3 W	do-216aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 8 V						10 v	4.5欧姆
SMBJ5345A/TR13	1.6350	RFQ	3804	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5345		5 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 1 A		10 µA @ 6.25 V						8.7 v	2欧姆
UMX4310B	-	RFQ	3715	微芯片技术	-	包	积极的		-		轴向				轴向	-			到达不受影响	150-UMX4310B	Ear99	8541.10.0060	1										-	-	-			-
MP61002-P00	-	RFQ	6635	微芯片技术	-	托盘	积极的		-55°C 〜175°C		死	MP61002			芯片	-			到达不受影响	150-MP61002-P00	Ear99	8541.10.0040	1		50 mA								0.04pf @ 10V，1MHz	PIN-单	200V			3ohm @ 20mA，1GHz
JANTXV1N974D-1/TR	10.0149	RFQ	8787	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N974D-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 27 V						36 V	70欧姆
1N5221A	1.8600	RFQ	7393	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5221		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 200 ma		100 µA @ 1 V						2.4 v	30欧姆
1N6025C	5.6250	RFQ	6122	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6025		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		100 na @ 84 V						110 v	650欧姆
JANS1N4980CUS/TR	368.3100	RFQ	1146	微芯片技术	MIL-PRF-19500/356	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			5 w	E-Melf	-				150-JANS1N4980CUS/TR	Ear99	8541.10.0050	50					1.5 V @ 1 A		2 µA @ 62.2 V						82 v	80欧姆
JANTX1N3051DUR-1/TR	-	RFQ	1211	微芯片技术	MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1.25 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	-				150-JANTX1N3051DUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		500 NA @ 152 V						200 v	1500欧姆
GC4605-171	-	RFQ	3080	微芯片技术	-	包	积极的		-55°C〜125°C		SQ-MELF				-	-			到达不受影响	150-GC4605-171	Ear99	8541.10.0060	1										3pf @ 50V，1MHz	PIN-单	2500V			150MOHM @ 500mA，100MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²