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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
JANS1N6638US	27.1650	RFQ	3529	微芯片技术	-	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，b		标准		B，平方米	-	Rohs不合规		到达不受影响	2266-JANS1N6638US	Ear99	8541.10.0070	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	125 v	1.1 V @ 200 ma	4.5 ns		-65°C〜175°C	300mA	-
JANS1N6641	72.4050	RFQ	5025	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/609	大部分	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		标准		DO-35（do-204AH）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	100 v	1.1 V @ 200 ma	5 ns	100 na @ 50 V	-65°C〜175°C	300mA	-
JANS1N6642UBCC	75.9150	RFQ	7591	微芯片技术	-	大部分	积极的			表面安装	3-SMD，没有铅		标准		UB	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		1.2 V @ 100 ma	5 ns		-	-	-
JANS1N6643	29.4150	RFQ	1112	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/578	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，d		标准		D-5D	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	50 V	1.2 V @ 100 ma	6 ns	500 NA @ 150 V	-65°C〜175°C	300mA	5pf @ 0v，1MHz
JANS1N7043CCT1	307.6950	RFQ	6838	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	TO-254-3，TO-254AA（（TO-254AA））		肖特基		TO-254	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	100 v	1.3 V @ 35 A		500 µA @ 100 V	-65°C〜150°C	35a	600pf @ 0v，1MHz
JANS1N7048-1	153.1200	RFQ	5378	微芯片技术	-	大部分	积极的									-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1
JANS1N7050-1	153.1200	RFQ	7401	微芯片技术	-	大部分	积极的									-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1
JANS1N7051-1	153.1200	RFQ	1369	微芯片技术	-	大部分	积极的									-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1
JANS1N7051UR-1	162.9150	RFQ	1827年	微芯片技术	-	大部分	积极的									-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1
JANS1N7052-1	153.1200	RFQ	5478	微芯片技术	-	大部分	积极的									-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1
JANS1N7054UR-1	162.9150	RFQ	4052	微芯片技术	-	大部分	积极的									-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1
JANS1N821-1	102.6900	RFQ	5953	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/159	大部分	积极的	±5％	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V				6.2 v	15欧姆
JANS1N823-1	125.8050	RFQ	4610	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/159	大部分	积极的	±5％	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V				6.2 v	15欧姆
JANS1N823UR-1	144.6600	RFQ	3351	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/159	大部分	积极的	±5％	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V				6.2 v	15欧姆
JANS1N825-1	125.8050	RFQ	7116	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/159	大部分	积极的	±5％	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V				6.2 v	15欧姆
1N3910A	48.5400	RFQ	9926	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N3910	标准		DO-203AB（DO-5）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	100 v	1.4 V @ 50 A	200 ns	15 µA @ 100 V	-65°C〜150°C	50a	-
1N3912R	48.5400	RFQ	2681	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N3912	标准，反极性		DO-203AB（DO-5）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	300 v	1.4 V @ 50 A	200 ns	15 µA @ 300 V	-65°C〜150°C	50a	-
1N3913A	48.5400	RFQ	8391	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N3913	标准		DO-203AB（DO-5）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	400 v	1.4 V @ 50 A	150 ns	15 µA @ 400 V	-65°C〜150°C	50a	-
1N3995RA	44.2050	RFQ	6691	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N3995		10 W	DO-203AA（DO-4）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 A		50 µA @ 1 V				4.7 v	1.2欧姆
1N3996RA	44.2050	RFQ	8445	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N3996		10 W	DO-203AA（DO-4）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 A		10 µA @ 1 V				5.1 v	1.1欧姆
1N3997	44.2050	RFQ	9582	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N3997		10 W	DO-203AA（DO-4）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 A		10 µA @ 1 V				5.6 v	1欧姆
1N3997A	44.2050	RFQ	2182	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N3997		10 W	DO-203AA（DO-4）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 A		10 µA @ 1 V				5.6 v	1欧姆
1N3997RA	44.2050	RFQ	7453	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N3997		10 W	DO-203AA（DO-4）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 A		10 µA @ 1 V				5.6 v	1欧姆
1N3999A	44.2050	RFQ	8298	微芯片技术	*	大部分	积极的					1N3999				下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1
1N4100	2.4450	RFQ	8818	微芯片技术	*	大部分	积极的					1N4100				下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1
1N4102UR-1	3.7950	RFQ	3086	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa	1N4102		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 6.7 V				8.7 v	200欧姆
1N4105	2.4450	RFQ	5082	微芯片技术	*	大部分	积极的					1N4105				下载	Rohs不合规		到达不受影响	2266-1N4105	Ear99	8541.10.0050	1
1N4112UR-1	3.8250	RFQ	2912	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa	1N4112		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 13.7 V				18 V	100欧姆
1N4113	2.4450	RFQ	5625	微芯片技术	*	大部分	积极的					1N4113				下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1
1N4113-1	2.4450	RFQ	7445	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4113		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 14.5 V				19 v	150欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²