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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
DSB0.2A20	-	RFQ	5750	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	DSB0.2	肖特基		do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度	20 v	500 mV @ 200 ma		5 µA @ 20 V	-65°C〜125°C	200mA	50pf @ 0v，1MHz
DSB0.2A40	-	RFQ	2229	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	DSB0.2	肖特基		do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度	20 v	510 mv @ 200 ma		5 µA @ 40 V	-65°C〜125°C	200mA	50pf @ 0v，1MHz
DSB0.5A30	-	RFQ	7550	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	DSB0.5	肖特基		do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	30 V	650 MV @ 500 mA		10 µA @ 30 V	-65°C〜125°C	500mA	60pf @ 0v，1MHz
DSB1A100	-	RFQ	1848年	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	do-204al，do-41，轴向	DSB1A100	肖特基		DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	100 v	690 mv @ 1 a		100 µA @ 100 V	-	1a	-
DSB1A30	-	RFQ	9100	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	do-204al，do-41，轴向	DSB1A30	肖特基		DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	30 V	600 mV @ 1 A		100 µA @ 30 V	-	1a	-
DSB1A60	-	RFQ	8479	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	do-204al，do-41，轴向	DSB1A60	肖特基		DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	60 V	690 mv @ 1 a		100 µA @ 80 V	-	1a	-
DSB3A20	-	RFQ	8157	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	DSB3A20	肖特基			下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	20 v	500 mv @ 30 a		100 µA @ 20 V	-65°C〜125°C	3a	-
DSB3A30	-	RFQ	6034	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	DSB3A30	肖特基			下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	30 V	500 mv @ 3 a		100 µA @ 30 V	-65°C〜125°C	3a	-
DSB3A40	-	RFQ	4284	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	DSB3A40	肖特基			下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	40 V	500 mv @ 3 a		100 µA @ 40 V	-65°C〜125°C	3a	-
DSB5818	-	RFQ	1210	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	do-204al，do-41，轴向	DSB5818	肖特基		DO-204AL（DO-41）	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	30 V	600 mV @ 1 A		100 na @ 30 V	-	1a	-
DSB5822	-	RFQ	1257	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	do-204al，do-41，轴向	DSB5822	肖特基			下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	40 V	500 mv @ 3 a		100 µA @ 40 V	-65°C〜125°C	3a	-
1N645UR-1	-	RFQ	5098	微芯片技术	-	大部分	在sic中停产			表面安装	do-213aa		标准		do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io）	225 v	1 V @ 400 MA		50 NA @ 225 V	-65°C〜175°C	400mA	-
1N646-1	-	RFQ	5013	微芯片技术	-	大部分	在sic中停产			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		标准		do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io）	300 v	1 V @ 400 MA		50 NA @ 300 V	-65°C〜175°C	400mA	-
1N6537	14.3850	RFQ	4066	微芯片技术	*	大部分	积极的					1N6537				-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1
1N6544	11.7300	RFQ	9807	微芯片技术	*	大部分	积极的					1N6544				-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1
1N6546	12.7950	RFQ	8375	微芯片技术	*	大部分	积极的					1N6546				-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1
1N6547	13.4400	RFQ	3034	微芯片技术	*	大部分	积极的					1N6547				-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1
1N6621	13.3200	RFQ	6328	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	a，轴向	1N6621	标准		a，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	440 v	1.4 V @ 1.2 A	30 ns	500 NA @ 440 V	-65°C〜150°C	1.2a	10pf @ 10V，1MHz
1N6623	10.5300	RFQ	9497	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	a，轴向	1N6623	标准		a，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	2266-1N6623	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	880 v	1.55 V @ 1 A	50 ns	500 NA @ 880 V	-65°C〜150°C	1a	10pf @ 10V，1MHz
1N6624US	-	RFQ	5153	微芯片技术	-	大部分	在sic中停产			表面安装	SQ-MELF，a		标准		A夫人	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	990 v	1.55 V @ 1 A	50 ns	500 NA @ 990 V	-65°C〜150°C	1a	10pf @ 10V，1MHz
1N6626	11.1750	RFQ	2540	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	a，轴向	1N6626	标准		a，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	220 v	1.35 V @ 2 A	30 ns	2 µA @ 220 V	-65°C〜150°C	1.75a	40pf @ 10V，1MHz
1N6627	11.2800	RFQ	4927	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	a，轴向	1N6627	标准		a，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	440 v	1.35 V @ 2 A	30 ns	2 µA @ 440 V	-65°C〜150°C	1.75a	40pf @ 10V，1MHz
1N6627US	14.2200	RFQ	4953	微芯片技术	-	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，a	1N6627	标准		A夫人	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	440 v	1.35 V @ 2 A	30 ns	2 µA @ 440 V	-65°C〜150°C	1.75a	40pf @ 10V，1MHz
1N6628US	18.9000	RFQ	4870	微芯片技术	-	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，a	1N6628	标准		A夫人	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	660 v	1.35 V @ 2 A	30 ns	2 µA @ 660 V	-65°C〜150°C	1.75a	40pf @ 10V，1MHz
1N6630	11.4450	RFQ	8196	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	a，轴向	1N6630	标准		a，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	990 v	1.4 V @ 1.4 A	50 ns	2 µA @ 990 V	-65°C〜150°C	1.4a	40pf @ 10V，1MHz
1n6633us	22.1250	RFQ	7530	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，E	1N6633		5 w	D-5B	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		250 µA @ 1 V				3.6 v	500欧姆
1N6634US	22.8300	RFQ	5286	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，E	1N6634		5 w	D-5B	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		175 µA @ 1 V				3.9 v	500欧姆
1N6635	-	RFQ	1734年	微芯片技术	-	大部分	在sic中停产	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	E，轴向	1N6635		5 w	E，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		25 µA @ 1 V				4.3 v	500欧姆
1N6637	-	RFQ	2601	微芯片技术	-	大部分	在sic中停产	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	E，轴向	1N6637		5 w	E，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		5 µA @ 1 V				5.1 v	400欧姆
1N6637US	-	RFQ	7130	微芯片技术	-	大部分	在sic中停产	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，E	1N6637		5 w	D-5B	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		5 µA @ 1 V				5.1 v	400欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²