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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
CDLL5520	6.4800	RFQ	8365	微芯片技术	-	大部分	积极的	±20％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL5520		500兆	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 900 mV				3.9 v	22欧姆
1n6003ur	3.5850	RFQ	2472	微芯片技术	*	大部分	积极的					1N6003				-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1
1N6003C/TR	4.0698	RFQ	8752	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N6003C/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		100 na @ 9.9 V				13 V	25欧姆
1 PMT5946A/TR7	-	RFQ	8015	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		3 W	do-216aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 56 V				75 v	140欧姆
1N5519	2.7150	RFQ	6738	微芯片技术	-	大部分	积极的	±20％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-1N5519	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		3 µA @ 900 mV				3.6 v
JANS1N4975C	299.3502	RFQ	9054	微芯片技术	-	大部分	积极的									下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N4975C	Ear99	8541.10.0050	1
JANTX1N3044B-1/TR	9.0573	RFQ	4894	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N3044B-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 76 V				100 v	350欧姆
CDLL4126	3.5850	RFQ	7468	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL4126		500兆	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 38.8 V				51 v	300欧姆
JANTXV1N3314RB	-	RFQ	9095	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/358	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱			50 W	do-5	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A		10 µA @ 11.4 V				15 v	1.4欧姆
CDLL3030B	15.3000	RFQ	9765	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL3030		1 w	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		500 NA @ 20.6 V				27 V	35欧姆
1n981b	2.0700	RFQ	7224	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向	1N981		500兆	do-7	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 51.7 V				68 v	230欧姆
JANTXV1N4622CUR-1	-	RFQ	3658	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	在sic中停产	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		2.5 µA @ 2 V				3.9 v	1650年
1N5936BPE3/TR12	0.9450	RFQ	3828	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5936		1.5 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	4,000			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 22.8 V				30 V	28欧姆
1月1N982DUR-1	14.2500	RFQ	5787	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N982		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 56 V				75 v	270欧姆
1N4752APE3/TR12	0.9450	RFQ	8364	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4752		1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	4,000			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 25.1 V				33 V	45欧姆
1N5346BE3/TR8	2.6850	RFQ	6160	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5346		5 w	T-18	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,000			1.2 V @ 1 A		7.5 µA @ 6.6 V				9.1 v	2欧姆
1N4702UR-1	5.0850	RFQ	3578	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa	1N4702		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 100 ma		50 NA @ 11.4 V				15 v
JANS1N6634US	-	RFQ	6095	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，E			5 w	D-5B	-			到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		175 µA @ 1 V				3.9 v	2欧姆
1N4738E3/TR13	0.8100	RFQ	3901	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4738		1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	5,000			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 6 V				8.2 v	4.5欧姆
JANTX1N4626DUR-1	30.4050	RFQ	5171	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N4626		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					5 µA @ 4 V				5.6 v	1400欧姆
JANTX1N6324US/TR	16.5718	RFQ	4010	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N6324US/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		1 µA @ 8 V				10 v	6欧姆
JANS1N4117-1	33.7800	RFQ	2749	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		40 µA @ 15 V				25 v	150欧姆
JANTX1N6310CUS	44.4750	RFQ	2217	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b	1N6310		500兆	B，平方米	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		60 µA @ 1 V				2.7 v	30欧姆
1N5276B	2.7664	RFQ	1467	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N5276B	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 ma		100 na @ 114 V				150 v	1500欧姆
JANTXV1N976D-1	11.1450	RFQ	9728	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N976		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 33 V				43 V	93欧姆
CDLL4689AE3	3.7350	RFQ	3633	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-			到达不受影响	150-CDLL4689AE3	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 µA @ 3 V				5.1 v
SMAJ5920CE3/TR13	0.6450	RFQ	7671	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	do-214ac，SMA	SMAJ5920		3 W	DO-214AC（SMAJ）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	7,500			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 4 V				6.2 v	2欧姆
CDLL4731C	5.2950	RFQ	1051	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	-			到达不受影响	150-CDLL4731C	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 1 V				4.3 v	9欧姆
apt60d60bg	3.2900	RFQ	6	微芯片技术	-	管子	积极的			通过洞	TO-247-2	APT60D60	标准		TO-247 [B]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	600 v	1.8 V @ 60 A	130 ns	250 µA @ 600 V	-55°C 〜175°C	60a	-
CDLL823A/TR	4.9500	RFQ	8277	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±4.83％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL823A/TR	Ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V				6.2 v	10欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²