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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
1 PMT5927BE3/TR7	0.7350	RFQ	7459	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		3 W	do-216aa	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 9.1 V				12 v	6.5欧姆
1N4134/tr	2.3408	RFQ	3711	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	do-204aa，do-7，轴向			400兆	do-7	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N4134/tr	Ear99	8541.10.0050	1			1 V @ 200 MA		10 NA @ 69.16 V				91 v	1.2欧姆
S50310T	158.8200	RFQ	8468	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-S50310TS			1
R36100	33.6000	RFQ	2529	微芯片技术	R36	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	R36100	标准		DO-203AB（DO-5）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	1000 v	1.25 V @ 200 A		25 µA @ 1000 V	-65°C 〜200°C	70a	-
CDLL5253A/TR	2.7132	RFQ	3490	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf			10兆	do-213ab	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL5253A/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		100 na @ 19 V				25 v	35欧姆
1N5955D	7.5450	RFQ	2828	微芯片技术	MIL-PRF-19500	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do041，轴向	1N5955		1.25 w	do-41	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 136.8 V				180 v	900欧姆
1N4683UR-1/TR	5.2400	RFQ	2825	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-					Ear99	8541.10.0050	186			1.5 V @ 100 ma		800 na @ 1 V				3 V
JANS1N6343D	350.3400	RFQ	8325	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-JANS1N6343D	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		50 NA @ 47 V				62 v	125欧姆
SMBJ5918B/TR13	1.5600	RFQ	1654年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5918		2 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 2 V				5.1 v	4欧姆
1N5926PE3/TR8	0.9150	RFQ	4957	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5926		1.5 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,500			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 8.4 V				11 V	5.5欧姆
JANTX1N4955US/TR	10.3650	RFQ	2810	微芯片技术	MIL-PRF-19500/356	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			5 w	E-Melf	-				150-JANTX1N4955US/TR	Ear99	8541.10.0050	100			1.5 V @ 1 A		100 µA @ 5.7 V				7.5 v	1.5欧姆
1月1N5969	-	RFQ	3942	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	E，轴向			5 w	E，轴向	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		1 mA @ 4.74 V				6.2 v	1欧姆
1 PMT5946BE3/TR13	0.7350	RFQ	1860年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		3 W	do-216aa	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	12,000			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 56 V				75 v	140欧姆
1N4370AUR-1/TR	6.1600	RFQ	7843	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa			400兆	do-213aa	-					Ear99	8541.10.0050	159			1.1 V @ 200 ma		100 µA @ 1 V				2.4 v	30欧姆
1N5081	23.4000	RFQ	2168	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	轴向			3 W	轴向	-			到达不受影响	150-1N5081	Ear99	8541.10.0050	1					1 µA @ 30.4 V				40 V	27欧姆
1N5924CE3/TR13	-	RFQ	1551年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5924		1.5 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	5,000			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 7 V				9.1 v	4欧姆
1N1365	44.3850	RFQ	9381	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-	螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N136		10 W	DO-203AA（DO-4）	-			到达不受影响	150-1N1365	Ear99	8541.10.0050	1									39 v	5欧姆
1N5922C	6.0300	RFQ	4231	微芯片技术	MIL-PRF-19500	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do041，轴向	1N5922		1.25 w	do-41	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 6 V				7.5 v	3欧姆
JANTXV1N979DUR-1	24.2250	RFQ	4111	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N979		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 43 V				56 v	150欧姆
CDLL5528D	16.2000	RFQ	3383	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-			到达不受影响	150-CDLL5528D	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 7.5 V				8.2 v	40欧姆
1N5539B/tr	2.8861	RFQ	2699	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N5539B/tr	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 17.1 V				19 v	106欧姆
CDLL4736A	3.4650	RFQ	8127	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL4736			do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		3 µA @ 4 V				6.8 v	3.5欧姆
SMBG5343A/TR13	2.2200	RFQ	9792	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-215AA，SMB海鸥翼	SMBG5343		5 w	SMBG（DO-215AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 1 A		10 µA @ 5.4 V				7.5 v	1.5欧姆
JAN1N6348DUS/TR	49.8300	RFQ	7980	微芯片技术	MIL-PRF-19500/533	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-				150-JAN1N6348DUS/TR	Ear99	8541.10.0050	100			1.4 V @ 1 A		50 NA @ 76 V				100 v	340欧姆
CDLL4105/tr	3.9900	RFQ	6633	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf			500兆	do-213ab	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL4105/tr	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 8.5 V				11 V	200欧姆
JANS1N6314DUS/TR	412.3050	RFQ	1051	微芯片技术	MIL-PRF-19500/533	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-				150-JANS1N6314DUS/TR	Ear99	8541.10.0050	50			1.4 V @ 1 A		2 µA @ 1 V				3.9 v	23欧姆
1N6626	11.1750	RFQ	2540	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	a，轴向	1N6626	标准		a，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	220 v	1.35 V @ 2 A	30 ns	2 µA @ 220 V	-65°C〜150°C	1.75a	40pf @ 10V，1MHz
1N1346R	38.3850	RFQ	6005	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱		标准		DO-4（do-203AA）	下载			到达不受影响	150-1N1346R	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	400 v	1.3 V @ 30 A		10 µA @ 400 V	-65°C 〜200°C	16a	-
1N5545C	11.3550	RFQ	6424	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-1N5545C	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 27 V				30 V	100欧姆
Jan1n754d-1/tr	5.8919	RFQ	1746年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N754D-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		2 µA @ 4 V				6.8 v	5欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²