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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
UES802	65.9400	RFQ	3375	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	标准		do-5	-	Rohs不合规	不适用	到达不受影响	2266-US802	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	100 v	975 MV @ 70 A	50 ns		175°c （最大）	70a	-
520美元	118.4100	RFQ	6317	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	肖特基		do-5	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	20 v	680 mv @ 60 a			175°c （最大）	75a	-
美元535	118.4100	RFQ	1956年	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	肖特基		do-5	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	35 v	680 mv @ 60 a		20 ma @ 35 V	175°c （最大）	75a	-
1N1206A	35.0400	RFQ	6353	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/260	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	标准		DO-203AA（DO-4）	下载			到达不受影响	1n1206am	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io）	600 v	1.35 V @ 38 A		5 µA @ 600 V	-65°C〜150°C	12a	-
1N1348A	45.3600	RFQ	1922年	微芯片技术	SR20	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	标准		DO-203AA（DO-4）	下载			到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io）	600 v	1.3 V @ 30 A		10 µA @ 150 V	-65°C 〜200°C	6a	-
1N1348B	45.3600	RFQ	6027	微芯片技术	SR20	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	标准		DO-203AA（DO-4）	下载			到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io）	600 v	1.3 V @ 30 A			-65°C 〜200°C	6a	-
JANTXV1N970B-1	3.4800	RFQ	9775	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		500兆	DO-35（do-204AH）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 na @ 18 V				24 V	33欧姆
MSARS20E060GR	-	RFQ	6556	微芯片技术	-	大部分	积极的			表面安装	do-217aa	标准		G-Body（do-217AA）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	100	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	600 v	1.4 V @ 10 A	45 ns	5 µA @ 600 V	-65°C〜175°C	20a
MSASC100W45H	-	RFQ	5929	微芯片技术	-	大部分	积极的			表面安装	Thinkey™2	肖特基		Thinkey™2	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	100	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	45 v	800 mv @ 80 A			-65°C〜175°C	100a	-
MSASC100W45HS	-	RFQ	3057	微芯片技术	-	大部分	积极的								-	Rohs不合规		到达不受影响			0000.00.0000	100
MSASC150H45L	-	RFQ	2596	微芯片技术	-	大部分	积极的			表面安装	Thinkey™3	肖特基		Thinkey™3	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	100	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	45 v	600 MV @ 150 A		10 mA @ 45 V	-55°C〜150°C	150a	-
MSASC150W100L	222.9900	RFQ	9860	微芯片技术	-	大部分	积极的								-	Rohs不合规		到达不受影响			0000.00.0000	1
MSASC150W100L	-	RFQ	5607	微芯片技术	-	大部分	积极的								-	Rohs不合规		到达不受影响			0000.00.0000	100
MSASC25H30KV	-	RFQ	5389	微芯片技术	-	大部分	积极的								-	Rohs不合规		到达不受影响			0000.00.0000	100
MSASC25W45K	204.4800	RFQ	2112	微芯片技术	-	大部分	积极的			表面安装	Thinkey™2	肖特基		Thinkey™2	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	45 v	775 mv @ 20 a		300 µA @ 45 V	-55°C 〜175°C	25a	-
MSASC75W100FV	-	RFQ	2500	微芯片技术	-	大部分	积极的			表面安装	Thinkey™4	肖特基		Thinkey™4	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	100	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	100 v	920 MV @ 75 A		500 µA @ 100 V	-55°C 〜175°C	75a	-
MSASC75W45FV	-	RFQ	8225	微芯片技术	-	大部分	积极的			表面安装	Thinkey™4	肖特基		Thinkey™4	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	100	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	45 v	760 mv @ 75 A		750 µA @ 45 V	-55°C 〜175°C	75a	-
CDLL4620D	8.6850	RFQ	4105	微芯片技术	-	大部分	积极的								-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1
CDLL6857	13.9650	RFQ	9689	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/444	大部分	积极的			表面安装	do-213aa	肖特基		do-213aa	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	16 V	750 mv @ 35 ma		150 na @ 16 V	-65°C〜150°C	150mA	4.5pf @ 0v，1MHz
Jan1n5712ubca	84.3000	RFQ	1603	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/444	大部分	积极的			表面安装	4-SMD，没有铅	肖特基		UB	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		1 V @ 35 MA			150°C （最大）		2pf @ 0v，1MHz
1月1N6657	213.6600	RFQ	3209	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	TO-254-3，TO-254AA（（TO-254AA））	标准		TO-254	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	100 v	1.2 V @ 20 A	35 ns	10 µA @ 100 V	-	15a	150pf @ 10V，1MHz
1月1N6658	213.6600	RFQ	5059	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	TO-254-3，TO-254AA（（TO-254AA））	标准		TO-254	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	150 v	1.2 V @ 20 A	35 ns	10 µA @ 150 V	-	15a	150pf @ 10V，1MHz
Jan1n6658r	213.6600	RFQ	7806	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	TO-254-3，TO-254AA（（TO-254AA））	标准		TO-254	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	150 v	1.2 V @ 20 A	35 ns	10 µA @ 150 V	-	15a	150pf @ 10V，1MHz
JANTX1N4127DUR-1	30.4050	RFQ	5220	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	DO-213AA（）		500兆	do-213aa	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 42.6 V				56 v	300欧姆
JANTX1N444454-1	1.1200	RFQ	930	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/144	大部分	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	标准		DO-35（do-204AH）	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	50 V	1 V @ 10 mA	4 ns	100 na @ 50 V	-65°C〜175°C	200mA	-
JANTX1N4483US	14.3550	RFQ	5509	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a		1.5 w	a，平方米	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		250 na @ 44.8 V				56 v	70欧姆
JANTX1N4485US	15.8100	RFQ	6987	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a		1.5 w	a，平方米	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		250 NA @ 54.4 V				68 v	100欧姆
JANTX1N4493US	15.0600	RFQ	5124	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a		1.5 w	a，平方米	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		250 NA @ 120 V				150 v	700欧姆
JANTX1N5712UB	59.7900	RFQ	7929	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/444	大部分	积极的			表面安装	4-SMD，没有铅	肖特基		UB	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度		1 V @ 35 MA			150°C （最大）		2pf @ 0v，1MHz
JANTX1N5712UBCA	103.7700	RFQ	9149	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/444	大部分	积极的			表面安装	4-SMD，没有铅	肖特基		UB	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度	16 V	1 V @ 35 MA		150 na @ 16 V	-65°C〜150°C		2pf @ 0v，1MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²