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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
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Jan1n4133-1/tr	3.2585	RFQ	7928	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N4133-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 66.2 V				87 v	1000欧姆
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1N4101/tr	2.3408	RFQ	3040	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向			500兆	DO-7（do-204AA）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N4101/tr	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 6.24 V				8.2 v	200欧姆
JANS1N938BUR-1/TR	-	RFQ	8402	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/156	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N938BUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					10 µA @ 6 V				9 V	20欧姆
JANS1N4472DUS/TR	277.5600	RFQ	8257	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	a，平方米	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N4472DUS/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		50 na @ 16 V				20 v	12欧姆
JANTX1N985BUR-1/TR	5.5328	RFQ	2558	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N985		500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N985BUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 76 V				100 v	500欧姆
JANTXV1N4574A-1/TR	36.7350	RFQ	8512	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/452	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TA）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N4574A-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		2 µA @ 3 V				3 V	100欧姆
JANTXV1N6636CUS/TR	-	RFQ	6765	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，E			5 w	D-5B	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N666636CUS/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		20 µA @ 1 V				4.7 v	2欧姆
CDLL5526BE3	5.9052	RFQ	6590	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL5526BE3	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 6.2 V				6.8 v	30欧姆
JANTX1N4370C-1/TR	9.9484	RFQ	9571	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N4370C-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		100 µA @ 1 V				2.4 v	30欧姆
JANTXV1N3023C-1/TR	27.1187	RFQ	9553	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N3023C-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 9.9 V				13 V	10欧姆
JANTX1N5543D-1/TR	24.2725	RFQ	5705	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N5543D-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 22.4 V				25 v	100欧姆
CDLL4916A/TR	48.1950	RFQ	3631	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜100°C	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL4916A/TR	Ear99	8541.10.0050	1					15 µA @ 12 V				19.2 v	600欧姆
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JANTXV1N755CUR-1/TR	17.1437	RFQ	3371	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N755CUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		2 µA @ 5 V				7.5 v	6欧姆
JANTX1N5536D-1/TR	19.5776	RFQ	6502	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N5536D-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 14.4 V				16 V	100欧姆
JANS1N4117DUR-1/TR	137.5900	RFQ	2630	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N4117DUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 19 V				25 v	150欧姆
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MPP4403-206	4.8300	RFQ	2416	微芯片技术	*	大部分	积极的									-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-MPP4403-206	Ear99	8541.10.0070	100
1N3026B-1/TR	7.4214	RFQ	7304	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N3026		1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N3026B-1/tr	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 13.7 V				18 V	20欧姆
JANTX1N4123C-1/TR	12.1695	RFQ	3392	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N4123C-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 NA @ 29.7 V				39 v	200欧姆
1N485B/TR	3.3516	RFQ	8111	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		标准		DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N485b/tr	Ear99	8541.10.0080	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度	180 v	1 V @ 100 ma		25 na @ 180 V	-65°C 〜200°C	200mA	-
JAN1N3822DUR-1/TR	39.5143	RFQ	2498	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N3822DUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		75 µA @ 1 V				3.6 v	10欧姆
JANTXV1N4123CUR-1/TR	25.6690	RFQ	6341	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N4123CUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 NA @ 29.7 V				39 v	200欧姆
JANTXV1N4980US/TR	14.2975	RFQ	4949	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，E			5 w	D-5B	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N4980US/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		2 µA @ 62.2 V				82 v	80欧姆
JANTX1N3045D-1/TR	28.7014	RFQ	4891	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N3045D-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 83.6 V				110 v	450欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²