RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
CDLL4757A/TR	3.2319	RFQ	7827	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf				do-213ab	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL4757A/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma	100 na @ 38.8 V				51 v	95欧姆
JANTX1N4130UR-1/TR	9.9351	RFQ	6576	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N4130UR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	10 na @ 51.7 V				68 v	700欧姆
Jan1n3335b	-	RFQ	5211	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/358	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱			50 W	do-5	-			到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A	10 µA @ 47.1 V				62 v	7欧姆
JANTXV1N966B-1/TR	3.2186	RFQ	7896	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TA）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N966B-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	500 na @ 12 V				16 V	17欧姆
JANS1N6337/TR	140.2950	RFQ	5488	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-JANS1N6337/TR	Ear99	8541.10.0050	50			1.4 V @ 1 A	50 na @ 27 V				36 V	50欧姆
1N6487US/TR	15.0600	RFQ	6616	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	-					Ear99	8541.10.0050	100			1.5 V @ 1 A	35 µA @ 1 V				3.9 v	9欧姆
JAN1N4121D-1/TR	11.7838	RFQ	3839	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N4121D-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	10 na @ 25.1 V				33 V	200欧姆
1N968B	2.0700	RFQ	8660	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向	1N968		500兆	do-7	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	1N968BMS	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	5 µA @ 15.2 V				20 v	25欧姆
1N5360/TR8	2.6250	RFQ	6605	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5360		5 w	T-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,000			1.2 V @ 1 A	500 na @ 18 V				25 v	4欧姆
1N5926APE3/TR8	0.9150	RFQ	7206	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5926		1.5 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,500			1.2 V @ 200 ma	1 µA @ 8.4 V				11 V	5.5欧姆
1N6912UTK2AS/TR	259.3500	RFQ	3920	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	Thinkey™2		SIC （碳化硅）		Thinkey™2	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N6912UTK2AS/TR	Ear99	8541.10.0080	1	没有恢复t> 500mA（IO）	45 v	640 mv @ 25 a	1.2 ma @ 45 V	-65°C〜150°C	25a	1000pf @ 5V，1MHz
JANTXV1N2818B	-	RFQ	2680	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/114	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	to-204ad	1N2818		10 W	TO-204AD（TO-3）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 A	10 µA @ 15.2 V				20 v	2.4欧姆
BZV55C22	2.9400	RFQ	1405	微芯片技术	-	大部分	积极的	±6％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	BZV55C22			do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	50 NA @ 15.4 V				22 v
JANTXV1N4108D-1/TR	25.8153	RFQ	9775	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N4108D-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	50 NA @ 10.7 V				14 V	200欧姆
1N5922P/TR12	1.8600	RFQ	8217	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5922		1.5 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	4,000			1.2 V @ 200 ma	5 µA @ 6 V				7.5 v	3欧姆
JAN1N3031CUR-1	32.5950	RFQ	6888	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±2％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））	1N3031		1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma	10 µA @ 22.8 V				30 V	40欧姆
1N5227DUR-1	7.1700	RFQ	5540	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-			到达不受影响	150-1N5227DUR-1	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	15 µA @ 1 V				3.6 v	24欧姆
1 PMT5925E3/TR13	-	RFQ	8022	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		3 W	do-216aa	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	12,000			1.2 V @ 200 ma	5 µA @ 8 V				10 v	4.5欧姆
JANTX1N6351DUS/TR	58.0500	RFQ	3774	微芯片技术	MIL-PRF-19500/533	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-				150-JANTX1N6351DUS/TR	Ear99	8541.10.0050	100			1.4 V @ 1 A	50 NA @ 99 V				130 v	850欧姆
JANTX1N983C-1/TR	6.3707	RFQ	3758	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C 〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N983		500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N983C-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	500 NA @ 62 V				82 v	330欧姆
JANTX1N4961DUS/TR	32.4000	RFQ	2148	微芯片技术	MIL-PRF-19500/356	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			5 w	E-Melf	-				150-JANTX1N4961DUS/TR	Ear99	8541.10.0050	100			1.5 V @ 1 A	10 µA @ 9.9 V				13 V	3欧姆
1N4619C-1/TR	5.4450	RFQ	2306	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-1N4619C-1/TR	Ear99	8541.10.0050	174			1.1 V @ 200 ma	400 na @ 1 V				3 V	1600欧姆
JANS1N4127-1/TR	31.6700	RFQ	4616	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N4127-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	10 na @ 42.6 V				56 v	300欧姆
JANTX1N5822	85.8000	RFQ	7099	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/620	大部分	积极的			通过洞	B，轴向		肖特基		B，轴向	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	40 V	500 mv @ 3 a	100 µA @ 40 V	-65°C〜125°C	3a	-
1N6702	23.6550	RFQ	8761	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	轴向		肖特基		轴向	-			到达不受影响	150-1N6702	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	40 V	470 mv @ 5 a	200 µA @ 40 V	-65°C〜125°C	5a	-
1N2970B	-	RFQ	7796	微芯片技术	-	大部分	过时的	±5％	-65°C〜175°C	底盘，螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N2970		10 W	do-4	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Q5222801	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 A	150 µA @ 5.2 V				6.8 v	1.2欧姆
JANTXV1N3050DUR-1/TR	-	RFQ	8364	微芯片技术	MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1.25 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	-				150-JANTXV1N3050DUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma	500 NA @ 136.8 V				180 v	1200欧姆
JAN1N5546CUR-1	28.9200	RFQ	6084	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N5546		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	10 NA @ 29.7 V				33 V	100欧姆
Jan1n6317us	-	RFQ	7642	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	在sic中停产	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A	5 µA @ 2 V				5.1 v	14欧姆
1N5361CE3/TR12	3.3900	RFQ	7203	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5361		5 w	T-18	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 1 A	500 NA @ 19.4 V				27 V	5欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²