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二极管（（34409）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 ECCN htsus 标准包 速度 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f 电压-Zener（Nom）（nom）（vz） （（ZZT））
JAN1N4249 Microchip Technology 1月1N4249 5.6100
RFQ
 ECAD 2357 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/286 大部分 积极的 通过洞 a，轴向 1N4249 标准 a，轴向 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns，> 200ma（io） 1000 v 1.3 V @ 3 A 5 µs 1 µA @ 1000 V -65°C〜175°C 1a -
JAN1N4954 Microchip Technology 1月1N4954 5.9100
RFQ
 ECAD 6629 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 通过洞 E，轴向 1N4954 5 w 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 150 µA @ 5.2 V 6.8 v 1欧姆
JAN1N4954US Microchip Technology Jan1n4954us 9.7950
RFQ
 ECAD 7437 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 表面安装 SQ-MELF，E 1N4954 5 w D-5B 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 150 µA @ 5.2 V 6.8 v 1欧姆
JAN1N4957US Microchip Technology Jan1n4957us 8.8200
RFQ
 ECAD 6058 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 表面安装 SQ-MELF，E 1N4957 5 w D-5B 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 25 µA @ 6.9 V 9.1 v 2欧姆
JAN1N4960US Microchip Technology Jan1n4960us 8.8200
RFQ
 ECAD 2277 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 表面安装 SQ-MELF，E 1N4960 5 w D-5B 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 10 µA @ 9.1 V 12 v 2.5欧姆
JAN1N4962 Microchip Technology 1月1N4962 5.6850
RFQ
 ECAD 5049 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 通过洞 E，轴向 1N4962 5 w 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 5 µA @ 11.4 V 15 v 3.5欧姆
JAN1N4962US Microchip Technology Jan1n4962us 8.8200
RFQ
 ECAD 9314 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 表面安装 SQ-MELF，E 1N4962 5 w D-5B 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 5 µA @ 11.4 V 15 v 3.5欧姆
JAN1N4964US Microchip Technology Jan1n4964us -
RFQ
 ECAD 7923 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/356 大部分 在sic中停产 ±5％ -65°C〜175°C 表面安装 SQ-MELF，E 5 w D-5B 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 5 µA @ 13.7 V 18 V 4欧姆
JAN1N4966 Microchip Technology 1月1N4966 6.5550
RFQ
 ECAD 1384 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 通过洞 E，轴向 1N4966 5 w 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 16.7 V 22 v 5欧姆
JAN1N4968US Microchip Technology 1月1N4968US 9.3000
RFQ
 ECAD 1818年 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 表面安装 SQ-MELF，E 1N4968 5 w D-5B 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 20.6 V 27 V 6欧姆
JAN1N4970 Microchip Technology 1月1N4970 5.8950
RFQ
 ECAD 8685 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 通过洞 E，轴向 1N4970 5 w 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 25.1 V 33 V 10欧姆
JAN1N4971 Microchip Technology 1月1N4971 5.8350
RFQ
 ECAD 7473 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 通过洞 E，轴向 1N4971 5 w 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 27.4 V 36 V 11欧姆
JAN1N4977US Microchip Technology Jan1n4977us 9.2100
RFQ
 ECAD 9441 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 表面安装 SQ-MELF，E 1N4977 5 w D-5B 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 47.1 V 62 v 42欧姆
JAN1N4980 Microchip Technology 1月1N4980 7.2600
RFQ
 ECAD 3757 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 通过洞 E，轴向 1N4980 5 w 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 62.2 V 82 v 80欧姆
JAN1N4980US Microchip Technology Jan1n4980us 9.2100
RFQ
 ECAD 2185 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 表面安装 SQ-MELF，E 1N4980 5 w D-5B 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 62.2 V 82 v 80欧姆
JAN1N4982 Microchip Technology 1月1N4982 8.7300
RFQ
 ECAD 2788 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 通过洞 E，轴向 1N4982 5 w 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 76 V 100 v 110欧姆
JAN1N4982US Microchip Technology Jan1n4982us -
RFQ
 ECAD 7900 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/356 大部分 在sic中停产 ±5％ -65°C〜175°C 表面安装 SQ-MELF，E 5 w D-5B 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 76 V 100 v 110欧姆
JAN1N4985US Microchip Technology Jan1n4985us 13.2600
RFQ
 ECAD 7208 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 表面安装 SQ-MELF，E 1N4985 5 w D-5B 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 98.8 V 130 v 190欧姆
JAN1N4986 Microchip Technology 1月1N4986 12.5550
RFQ
 ECAD 3504 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 通过洞 E，轴向 1N4986 5 w 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 114 V 150 v 330欧姆
JAN1N4989 Microchip Technology 1月1N4989 11.5500
RFQ
 ECAD 8432 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 通过洞 E，轴向 1N4989 5 w 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 152 V 200 v 500欧姆
JAN1N5418 Microchip Technology Jan1n5418 5.9250
RFQ
 ECAD 4239 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/411 大部分 积极的 通过洞 B，轴向 1N5418 标准 B，轴向 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 400 v 1.5 V @ 9 A 150 ns 1 µA @ 400 V -65°C〜175°C 3a -
JAN1N5420US Microchip Technology Jan1n5420us 11.0400
RFQ
 ECAD 2621 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/411 大部分 积极的 表面安装 SQ-MELF，E 1N5420 标准 D-5B 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 600 v 1.5 V @ 9 A 400 ns 1 µA @ 600 V -65°C〜175°C 3a -
JAN1N5551 Microchip Technology Jan1n55551 6.0900
RFQ
 ECAD 8382 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/420 大部分 积极的 通过洞 B，轴向 1N5551 标准 B，轴向 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns，> 200ma（io） 400 v 1.2 V @ 9 A 2 µs 1 µA @ 400 V -65°C〜175°C 3a -
JAN1N5552 Microchip Technology 1月1N5552 5.2000
RFQ
 ECAD 9487 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/420 大部分 积极的 通过洞 B，轴向 1N5552 标准 B，轴向 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns，> 200ma（io） 600 v 1.2 V @ 9 A 2 µs 1 µA @ 600 V -65°C〜175°C 3a -
JAN1N5554 Microchip Technology 1月1N5554 7.5000
RFQ
 ECAD 9962 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/420 大部分 积极的 通过洞 B，轴向 1N5554 标准 B，轴向 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns，> 200ma（io） 1000 v 1.3 V @ 9 A 2 µs 1 µA @ 1000 V -65°C〜175°C 3a -
JAN1N5615 Microchip Technology 1月1N5615 4.4700
RFQ
 ECAD 7268 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/429 大部分 积极的 通过洞 a，轴向 1N5615 标准 a，轴向 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 200 v 1.6 V @ 3 A 150 ns 500 na @ 200 V -65°C〜175°C 1a -
JAN1N5619 Microchip Technology 1月1N5619 4.7250
RFQ
 ECAD 2272 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/429 大部分 积极的 通过洞 a，轴向 1N5619 标准 a，轴向 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 600 v 1.6 V @ 3 A 250 ns 500 NA @ 800 V -65°C〜175°C 1a -
JAN1N5622US Microchip Technology Jan1n5622us 10.0500
RFQ
 ECAD 4373 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/427 大部分 积极的 表面安装 SQ-MELF，a 1N5622 标准 D-5A 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns，> 200ma（io） 1000 v 1.3 V @ 3 A 2 µs 500 NA @ 1000 V -65°C 〜200°C 1a -
JAN1N5804US Microchip Technology Jan1n5804us -
RFQ
 ECAD 5040 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/477 大部分 在sic中停产 表面安装 SQ-MELF，a 标准 D-5A 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 100 v 975 MV @ 2.5 A 25 ns 1 µA @ 100 V -65°C〜175°C 2.5a 25pf @ 10V，1MHz
JAN1N5806 Microchip Technology 1月1N5806 4.9650
RFQ
 ECAD 1397 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/477 大部分 积极的 通过洞 a，轴向 1N5806 标准 a，轴向 - Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 150 v 975 MV @ 2.5 A 25 ns 1 µA @ 150 V -65°C〜175°C 2.5a 25pf @ 10V，1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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