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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	技术	力量 -最大	供应商设备包	Rohs状态	达到状态	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
JANTX1N3321RB	-	RFQ	9959	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/358	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱		50 W	do-5	Rohs不合规	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A		10 µA @ 18.2 V				24 V	2.6欧姆
JANTX1N3324RB	-	RFQ	8182	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/358	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱		50 W	do-5	Rohs不合规	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A		10 µA @ 22.8 V				30 V	3欧姆
JANTX1N3327B	-	RFQ	5325	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/358	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱		50 W	do-5	Rohs不合规	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A		10 µA @ 29.7 V				39 v	4欧姆
JANTX1N3335RB	-	RFQ	4351	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/358	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱		50 W	do-5	Rohs不合规	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A		10 µA @ 47.1 V				62 v	7欧姆
JANTX1N3336RB	-	RFQ	5276	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/358	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱		50 W	do-5	Rohs不合规	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A		10 µA @ 51.7 V				68 v	8欧姆
JANTX1N3338RB	-	RFQ	2239	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/358	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱		50 W	do-5	Rohs不合规	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A		10 µA @ 62.2 V				82 v	11欧姆
JANTX1N3339B	-	RFQ	6001	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/358	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱		50 W	do-5	Rohs不合规	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A		10 µA @ 69.2 V				91 v	15欧姆
JANTX1N3340B	-	RFQ	8794	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/358	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱		50 W	do-5	Rohs不合规	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A		10 µA @ 76 V				100 v	20欧姆
JANTX1N3342RB	-	RFQ	1264	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/358	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱		50 W	do-5	Rohs不合规	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A		10 µA @ 83 V				110 v	30欧姆
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JANTX1N3350B	-	RFQ	6925	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/358	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱		50 W	do-5	Rohs不合规	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A		10 µA @ 152 V				200 v	100欧姆
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JANTX1N3913AR	-	RFQ	4720	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/308	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	标准		do-5	Rohs不合规	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	400 v	1.4 V @ 50 A	150 ns		-65°C〜150°C	50a	-
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JANTX1N3997RA	-	RFQ	1224	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/124	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱		10 W	DO-213AA（DO-4）	Rohs不合规	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 A		10 µA @ 1 V				5.6 v	1欧姆
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JANTX1N4993DUS	69.6900	RFQ	6413	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，E		5 w	D-5B	Rohs不合规	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		2 µA @ 228 V				300 v	950欧姆
JANTX1N4994C	-	RFQ	8770	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	E，轴向		5 w	E，轴向	Rohs不合规	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		2 µA @ 251 V				330 v	1175欧姆
JANTX1N4994D	-	RFQ	8949	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	E，轴向		5 w	E，轴向	Rohs不合规	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		2 µA @ 251 V				330 v	1175欧姆
JANTX1N4996DUS	-	RFQ	1620年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，E		5 w	D-5B	Rohs不合规	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		2 µA @ 297 V				390 v	1800欧姆
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JANTX1N5195UR	-	RFQ	1344	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/118	大部分	积极的			表面安装	do-213aa	标准		do-213aa	Rohs不合规	到达不受影响	Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度	180 v	1 V @ 100 ma			-65°C〜175°C	200mA	-
JANTX1N5768	-	RFQ	8855	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/474	大部分	积极的			表面安装	10-clatpack	标准		10-clatpack	Rohs不合规	到达不受影响	Ear99	8541.10.0070	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		1.5 V @ 500 mA	40 ns	100 NA @ 40 V	-65°C〜150°C	300mA	4pf @ 0v，1MHz
JANTX1N6306R	-	RFQ	4656	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	标准		do-5	Rohs不合规	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	150 v	1.18 V @ 150 A	60 ns	25 µA @ 150 V	-65°C〜175°C	70a
MQSPB25	613.7550	RFQ	4769	微芯片技术	-	大部分	积极的								Rohs不合规	到达不受影响		0000.00.0000	1

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²