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![]() | JANTX1N4248 | 7.1400 | ![]() | 4576 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/286 | 大部分 | 积极的 | E3 | 1N4248 | 标准 | E3 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io) | 800 v | 1.3 V @ 3 A | 5 µs | 1 µA @ 800 V | -65°C〜175°C | 1a | - | |||||||
![]() | JANTX1N4249 | 7.4250 | ![]() | 1267 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/286 | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | a,轴向 | 1N4249 | 标准 | a,轴向 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io) | 1000 v | 1.3 V @ 3 A | 5 µs | 1 µA @ 1000 V | -65°C〜175°C | 1a | - | ||||||
JANTX1N4946 | 11.2200 | ![]() | 8023 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/359 | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | a,轴向 | 1N4946 | 标准 | a,轴向 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.3 V @ 1 A | 250 ns | 1 µA @ 600 V | -65°C〜175°C | 1a | - | |||||||
JANTX1N4954 | 6.3300 | ![]() | 6395 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/356 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | E,轴向 | 1N4954 | 5 w | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 150 µA @ 5.2 V | 6.8 v | 1欧姆 | ||||||||||
JANTX1N4955 | 6.9300 | ![]() | 1157 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/356 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | E,轴向 | 1N4955 | 5 w | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 100 µA @ 5.7 V | 7.5 v | 1.5欧姆 | ||||||||||
JANTX1N4957 | 7.2150 | ![]() | 5825 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/356 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | E,轴向 | 1N4957 | 5 w | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 25 µA @ 6.9 V | 9.1 v | 2欧姆 | ||||||||||
JANTX1N4959 | 6.9450 | ![]() | 2051 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/356 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | E,轴向 | 1N4959 | 5 w | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 10 µA @ 8.4 V | 11 V | 2.5欧姆 | ||||||||||
JANTX1N4959US | 9.7050 | ![]() | 6489 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/356 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | SQ-MELF,E | 1N4959 | 5 w | D-5B | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 10 µA @ 8.4 V | 11 V | 2.5欧姆 | |||||||||
JANTX1N4961US | - | ![]() | 5104 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/356 | 大部分 | 在sic中停产 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | SQ-MELF,E | 5 w | D-5B | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 10 µA @ 9.9 V | 13 V | 3欧姆 | ||||||||||
JANTX1N4963US | 12.9000 | ![]() | 4771 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/356 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | SQ-MELF,E | 1N4963 | 5 w | D-5B | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 5 µA @ 12.2 V | 16 V | 3.5欧姆 | |||||||||
JANTX1N4964US | 9.8100 | ![]() | 2199 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/356 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | SQ-MELF,E | 1N4964 | 5 w | D-5B | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 5 µA @ 13.7 V | 18 V | 4欧姆 | |||||||||
JANTX1N4965US | - | ![]() | 3235 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/356 | 大部分 | 在sic中停产 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | SQ-MELF,E | 5 w | D-5B | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 2 µA @ 15.2 V | 20 v | 4.5欧姆 | ||||||||||
JANTX1N4966 | 7.7400 | ![]() | 7836 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/356 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | E,轴向 | 1N4966 | 5 w | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 2 µA @ 16.7 V | 22 v | 5欧姆 | ||||||||||
JANTX1N4967US | 9.6150 | ![]() | 1157 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/356 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | SQ-MELF,E | 1N4967 | 5 w | D-5B | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 2 µA @ 18.2 V | 24 V | 5欧姆 | |||||||||
JANTX1N4970US | 10.0050 | ![]() | 8474 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/356 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | SQ-MELF,E | 1N4970 | 5 w | D-5B | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 2 µA @ 25.1 V | 33 V | 10欧姆 | |||||||||
JANTX1N4971US | 9.9000 | ![]() | 8953 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/356 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | SQ-MELF,E | 1N4971 | 5 w | D-5B | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 2 µA @ 27.4 V | 36 V | 11欧姆 | |||||||||
JANTX1N4973US | 9.9900 | ![]() | 5247 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/356 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | SQ-MELF,E | 1N4973 | 5 w | D-5B | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 2 µA @ 32.7 V | 43 V | 20欧姆 | |||||||||
JANTX1N4974 | 7.7700 | ![]() | 3219 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/356 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | E,轴向 | 1N4974 | 5 w | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 2 µA @ 35.8 V | 47 V | 25欧姆 | ||||||||||
JANTX1N4974US | - | ![]() | 3619 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/356 | 大部分 | 在sic中停产 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | SQ-MELF,E | 5 w | D-5B | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 2 µA @ 35.8 V | 47 V | 25欧姆 | ||||||||||
JANTX1N4976US | 9.6150 | ![]() | 9725 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/356 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | SQ-MELF,E | 1N4976 | 5 w | D-5B | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 2 µA @ 42.6 V | 56 v | 35欧姆 | |||||||||
JANTX1N4981US | - | ![]() | 8304 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/356 | 大部分 | 在sic中停产 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | SQ-MELF,E | 5 w | D-5B | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 2 µA @ 69.2 V | 91 v | 90欧姆 | ||||||||||
JANTX1N4982 | 9.7500 | ![]() | 9033 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/356 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | E,轴向 | 1N4982 | 5 w | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 2 µA @ 76 V | 100 v | 110欧姆 | ||||||||||
JANTX1N4984US | 13.5750 | ![]() | 3682 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/356 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | SQ-MELF,E | 1N4984 | 5 w | D-5B | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 2 µA @ 91.2 V | 120 v | 170欧姆 | |||||||||
JANTX1N5416US | 11.5500 | ![]() | 2680 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/411 | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | SQ-MELF,E | 1N5416 | 标准 | D-5B | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 1.5 V @ 9 A | 150 ns | 1 µA @ 100 V | -65°C〜175°C | 3a | - | |||||||
JANTX1N5419US | - | ![]() | 3565 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/411 | 大部分 | 在sic中停产 | 表面安装 | SQ-MELF,E | 标准 | D-5B | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 500 v | 1.5 V @ 9 A | 250 ns | 1 µA @ 500 V | -65°C〜175°C | 3a | - | ||||||||
![]() | JANTX1N5550 | 6.6000 | ![]() | 120 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/420 | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | B,轴向 | 1N5550 | 标准 | B,轴向 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io) | 200 v | 1.2 V @ 9 A | 2 µs | 1 µA @ 200 V | -65°C〜175°C | 5a | - | ||||||
![]() | JANTX1N5553 | 7.7200 | ![]() | 2121 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/420 | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | B,轴向 | 1N5553 | 标准 | B,轴向 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io) | 800 v | 1.3 V @ 9 A | 2 µs | 1 µA @ 800 V | -65°C〜175°C | 5a | - | ||||||
![]() | JANTX1N5554 | 8.2000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/420 | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | B,轴向 | 1N5554 | 标准 | B,轴向 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io) | 1000 v | 1.3 V @ 9 A | 2 µs | 2 µA @ 1000 V | -65°C〜175°C | 5a | - | ||||||
JANTX1N5618US | 9.0900 | ![]() | 9093 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/427 | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | SQ-MELF,a | 1N5618 | 标准 | D-5A | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.3 V @ 3 A | 2 µs | 500 NA @ 600 V | -65°C 〜200°C | 1a | - |
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