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二极管（（34409）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 力量 -最大 供应商设备包 Rohs状态 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 电流 -反向泄漏 @ @ vr 电压-Zener（Nom）（nom）（vz） （（ZZT））
JANS1N4122C-1 Microchip Technology JANS1N4122C-1 67.5450
RFQ
 ECAD 8550 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/435 大部分 积极的 ±2％ -65°C 〜175°C（TJ） 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 500兆 DO-35（do-204AH） Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 10 na @ 27.4 V 36 V 200欧姆
JANS1N4123C-1 Microchip Technology JANS1N4123C-1 67.5450
RFQ
 ECAD 6991 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/435 大部分 积极的 ±2％ -65°C 〜175°C（TJ） 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 500兆 DO-35（do-204AH） Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 10 NA @ 29.7 V 39 v 200欧姆
JANS1N4125D-1 Microchip Technology JANS1N4125D-1 101.3100
RFQ
 ECAD 2046 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/435 大部分 积极的 ±1％ -65°C 〜175°C（TJ） 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 500兆 DO-35（do-204AH） Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 10 na @ 35.8 V 47 V 250欧姆
JANS1N4126-1 Microchip Technology JANS1N4126-1 33.7800
RFQ
 ECAD 8542 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/435 大部分 积极的 ±5％ -65°C 〜175°C（TJ） 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 500兆 DO-35（do-204AH） Rohs不合规 到达不受影响 2266-JANS1N4126-1 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 10 NA @ 38.8 V 51 v 300欧姆
JANS1N4126CUR-1 Microchip Technology JANS1N4126CUR-1 97.9650
RFQ
 ECAD 4064 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/435 大部分 积极的 ±2％ -65°C 〜175°C（TJ） 表面安装 DO-213AA（） 500兆 do-213aa Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 10 NA @ 38.8 V 51 v 300欧姆
JANS1N4127CUR-1 Microchip Technology JANS1N4127CUR-1 97.9650
RFQ
 ECAD 8215 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/435 大部分 积极的 ±2％ -65°C 〜175°C（TJ） 表面安装 DO-213AA（） 500兆 do-213aa Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 10 na @ 42.6 V 56 v 300欧姆
JANS1N4127D-1 Microchip Technology JANS1N4127D-1 101.3100
RFQ
 ECAD 4108 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/435 大部分 积极的 ±1％ -65°C 〜175°C（TJ） 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 500兆 DO-35（do-204AH） Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 10 na @ 42.6 V 56 v 300欧姆
JANS1N4127DUR-1 Microchip Technology JANS1N4127DUR-1 147.2700
RFQ
 ECAD 3988 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/435 大部分 积极的 ±1％ -65°C 〜175°C（TJ） 表面安装 DO-213AA（） 500兆 do-213aa Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 10 na @ 42.6 V 56 v 300欧姆
JANS1N4128D-1 Microchip Technology JANS1N4128D-1 101.3100
RFQ
 ECAD 6528 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/435 大部分 积极的 ±1％ -65°C 〜175°C（TJ） 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 500兆 DO-35（do-204AH） Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 10 na @ 45.6 V 60 V 400欧姆
JANS1N4128UR-1 Microchip Technology JANS1N4128UR-1 48.9900
RFQ
 ECAD 5075 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/435 大部分 积极的 ±5％ -65°C 〜175°C（TA） 表面安装 DO-213AA（） 500兆 do-213aa Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 10 na @ 45.6 V 60 V 400欧姆
JANS1N4129-1 Microchip Technology JANS1N4129-1 33.7800
RFQ
 ECAD 2203 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/435 大部分 积极的 ±5％ -65°C 〜175°C（TJ） 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 500兆 DO-35（do-204AH） Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 10 NA @ 47.1 V 62 v 500欧姆
JANS1N4129CUR-1 Microchip Technology JANS1N4129CUR-1 97.9650
RFQ
 ECAD 2831 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/435 大部分 积极的 ±2％ -65°C 〜175°C（TJ） 表面安装 DO-213AA（） 500兆 do-213aa Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 10 NA @ 47.1 V 62 v 500欧姆
JANS1N4129D-1 Microchip Technology JANS1N4129D-1 101.3100
RFQ
 ECAD 2706 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/435 大部分 积极的 ±1％ -65°C 〜175°C（TJ） 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 500兆 DO-35（do-204AH） Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 10 NA @ 47.1 V 62 v 500欧姆
JANS1N4130-1 Microchip Technology JANS1N4130-1 33.7800
RFQ
 ECAD 5718 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/435 大部分 积极的 ±5％ -65°C 〜175°C（TJ） 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 500兆 DO-35（do-204AH） Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 10 na @ 51.7 V 68 v 700欧姆
JANS1N4130CUR-1 Microchip Technology JANS1N4130CUR-1 97.9650
RFQ
 ECAD 3923 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/435 大部分 积极的 ±2％ -65°C 〜175°C（TJ） 表面安装 DO-213AA（） 500兆 do-213aa Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 10 na @ 51.7 V 68 v 700欧姆
JANS1N4130D-1 Microchip Technology JANS1N4130D-1 101.3100
RFQ
 ECAD 2297 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/435 大部分 积极的 ±1％ -65°C 〜175°C（TJ） 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 500兆 DO-35（do-204AH） Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 10 na @ 51.7 V 68 v 700欧姆
JANS1N4130DUR-1 Microchip Technology JANS1N4130DUR​​ -1 147.2700
RFQ
 ECAD 6308 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/435 大部分 积极的 ±1％ -65°C 〜175°C（TJ） 表面安装 DO-213AA（） 500兆 do-213aa Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 10 na @ 51.7 V 68 v 700欧姆
JANS1N4130UR-1 Microchip Technology JANS1N4130UR-1 49.4550
RFQ
 ECAD 9427 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/435 大部分 积极的 ±5％ -65°C 〜175°C（TA） 表面安装 DO-213AA（） 500兆 do-213aa Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 10 na @ 51.7 V 68 v 700欧姆
JANS1N4132C-1 Microchip Technology JANS1N4132C-1 67.5450
RFQ
 ECAD 7628 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/435 大部分 积极的 ±2％ -65°C 〜175°C（TJ） 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 500兆 DO-35（do-204AH） Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 10 na @ 62.4 V 82 v 800欧姆
JANS1N4132DUR-1 Microchip Technology JANS1N4132DUR-1 147.2700
RFQ
 ECAD 7786 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/435 大部分 积极的 ±1％ -65°C 〜175°C（TJ） 表面安装 DO-213AA（） 500兆 do-213aa Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 10 na @ 62.4 V 82 v 800欧姆
JANS1N4132UR-1 Microchip Technology JANS1N4132UR-1 48.9900
RFQ
 ECAD 1710 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/435 大部分 积极的 ±5％ -65°C 〜175°C（TA） 表面安装 DO-213AA（） 500兆 do-213aa Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 10 na @ 62.4 V 82 v 800欧姆
JANS1N4133C-1 Microchip Technology JANS1N4133C-1 67.5450
RFQ
 ECAD 6754 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/435 大部分 积极的 ±2％ -65°C 〜175°C（TJ） 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 500兆 DO-35（do-204AH） Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 10 na @ 66.2 V 87 v 1000欧姆
JANS1N4133D-1 Microchip Technology JANS1N4133D-1 101.3100
RFQ
 ECAD 9024 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/435 大部分 积极的 ±1％ -65°C 〜175°C（TJ） 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 500兆 DO-35（do-204AH） Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 10 na @ 66.2 V 87 v 1000欧姆
JANS1N4133DUR-1 Microchip Technology JANS1N4133DUR-1 147.2700
RFQ
 ECAD 5977 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/435 大部分 积极的 ±1％ -65°C 〜175°C（TJ） 表面安装 DO-213AA（） 500兆 do-213aa Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 10 na @ 66.2 V 87 v 1000欧姆
JANS1N4134C-1 Microchip Technology JANS1N4134C-1 67.5450
RFQ
 ECAD 8356 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/435 大部分 积极的 ±2％ -65°C 〜175°C（TJ） 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 500兆 DO-35（do-204AH） Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 10 na @ 69.2 V 91 v 1200欧姆
JANS1N4134UR-1 Microchip Technology JANS1N4134UR-1 48.9900
RFQ
 ECAD 5719 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/435 大部分 积极的 ±5％ -65°C 〜175°C（TA） 表面安装 DO-213AA（） 500兆 do-213aa Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 10 na @ 69.2 V 91 v 1200欧姆
JANS1N4135C-1 Microchip Technology JANS1N4135C-1 67.5450
RFQ
 ECAD 7496 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/435 大部分 积极的 ±2％ -65°C 〜175°C（TJ） 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 500兆 DO-35（do-204AH） Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 10 na @ 76 V 100 v 1500欧姆
JANS1N4135UR-1 Microchip Technology JANS1N4135UR-1 48.9900
RFQ
 ECAD 2335 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/435 大部分 积极的 ±5％ -65°C 〜175°C（TA） 表面安装 DO-213AA（） 500兆 do-213aa Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 10 na @ 76 V 100 v 1500欧姆
JANS1N4460US Microchip Technology JANS1N4460US 91.8900
RFQ
 ECAD 7441 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/406 大部分 积极的 ±5％ -65°C 〜175°C（TJ） 表面安装 SQ-MELF，a 1.5 w a，平方米 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 10 µA @ 3.72 V 6.2 v 4欧姆
JANS1N4461D Microchip Technology JANS1N4461D 258.8850
RFQ
 ECAD 2424 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/406 大部分 积极的 ±1％ -65°C 〜175°C（TJ） 通过洞 do-204al，do-41，轴向 1.5 w do-41 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 5 µA @ 4.08 V 6.8 v 2.5欧姆
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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196-LFBGA裸露的垫子

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