SIC
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二极管（（34409）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 技术 力量 -最大 供应商设备包 Rohs状态 达到状态 ECCN htsus 标准包 速度 电压-DC 反向（（vr）（VR）） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f 电压-Zener（Nom）（nom）（vz） （（ZZT））
JANTX1N6766R Microchip Technology JANTX1N6766R -
RFQ
 ECAD 7063 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 通过洞 TO-254-3，TO-254AA（（TO-254AA）） 标准 TO-254 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 400 v 1.55 V @ 12 A 60 ns 10 µA @ 320 V - 12a 300pf @ 5V，1MHz
JANTX1N6767 Microchip Technology JANTX1N6767 -
RFQ
 ECAD 1802年 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 通过洞 TO-254-3，TO-254AA（（TO-254AA）） 标准 TO-254 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 600 v 1.55 V @ 12 A 60 ns 10 µA @ 480 V - 12a 300pf @ 5V，1MHz
JANTX1N6768 Microchip Technology JANTX1N6768 -
RFQ
 ECAD 2225 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 通过洞 TO-257-3 标准 TO-257 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 50 V 1.06 V @ 8 A 35 ns 10 µA @ 40 V - 8a 150pf @ 5V，1MHz
JANTX1N6768R Microchip Technology JANTX1N6768R -
RFQ
 ECAD 6910 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 通过洞 TO-257-3 标准 TO-257 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 50 V 1.06 V @ 8 A 35 ns 10 µA @ 40 V - 8a 150pf @ 5V，1MHz
JANTX1N6770R Microchip Technology JANTX1N6770R -
RFQ
 ECAD 3113 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 通过洞 TO-257-3 标准 TO-257 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 150 v 1.06 V @ 8 A 35 ns 10 µA @ 120 V - 8a 150pf @ 5V，1MHz
JANTX1N6771R Microchip Technology JANTX1N6771R -
RFQ
 ECAD 3528 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 通过洞 TO-257-3 标准 TO-257 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 200 v 1.06 V @ 8 A 35 ns 10 µA @ 160 V - 8a 150pf @ 5V，1MHz
JANTX1N6772 Microchip Technology JANTX1N6772 -
RFQ
 ECAD 6737 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 通过洞 TO-257-3 标准 TO-257 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 400 v 1.6 V @ 8 A 60 ns 10 µA @ 320 V - 8a 200pf @ 5V，1MHz
JANTX1N6773 Microchip Technology JANTX1N6773 -
RFQ
 ECAD 2223 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 通过洞 TO-257-3 标准 TO-257 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 600 v 1.6 V @ 8 A 60 ns 10 µA @ 480 V - 8a 200pf @ 5V，1MHz
JANTX1N6773R Microchip Technology JANTX1N6773R -
RFQ
 ECAD 8658 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 通过洞 TO-257-3 标准 TO-257 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 600 v 1.6 V @ 8 A 60 ns 10 µA @ 480 V - 8a 200pf @ 5V，1MHz
JANTX1N6774 Microchip Technology JANTX1N6774 -
RFQ
 ECAD 8306 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 通过洞 TO-257-3 标准 TO-257 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 50 V 1.15 V @ 15 A 35 ns 10 µA @ 800 mV -65°C〜150°C 15a 300pf @ 5V，1MHz
JANTX1N6777 Microchip Technology JANTX1N6777 -
RFQ
 ECAD 2878 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 通过洞 TO-257-3 标准 TO-257 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 200 v 1.15 V @ 15 A 35 ns 10 µA @ 800 mV -65°C〜150°C 15a 300pf @ 5V，1MHz
JANTX1N6840U3 Microchip Technology JANTX1N6840U3 -
RFQ
 ECAD 9248 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 表面安装 3-SMD，没有铅 肖特基 U3 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 35 v 880 mv @ 20 a -65°C〜150°C 10a -
JANTX1N6910UTK2 Microchip Technology JANTX1N6910UTK2 -
RFQ
 ECAD 2891 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/723 大部分 积极的 表面安装 Thinkey™2 SIC （碳化硅） Thinkey™2 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 没有恢复t> 500mA（IO） 15 v 520 mv @ 25 A 1.2 ma @ 15 V -65°C〜150°C 25a 2000pf @ 5V，1MHz
JANTX1N6940UTK3CS Microchip Technology JANTX1N6940UTK3CS -
RFQ
 ECAD 5234 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 表面安装 Thinkey™3 SIC （碳化硅） Thinkey™3 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 15 v 500 mv @ 150 A 5 ma @ 15 V -65°C〜175°C 150a
JANTX1N943BUR-1 Microchip Technology JANTX1N943BUR-1 -
RFQ
 ECAD 7132 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/157 大部分 积极的 ±5％ -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 DO-213AA（） 500兆 do-213aa Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 15 µA @ 8 V 11.7 v 30欧姆
JANTX1N944BUR-1 Microchip Technology JANTX1N944BUR-1 -
RFQ
 ECAD 2651 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/157 大部分 积极的 ±5％ -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 DO-213AA（） 500兆 do-213aa Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 15 µA @ 8 V 11.7 v 30欧姆
JANTX1N987B-1 Microchip Technology JANTX1N987B-1 -
RFQ
 ECAD 1413 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/117 大部分 积极的 ±5％ -65°C 〜175°C（TA） 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 500兆 DO-35（do-204AH） Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.3 V @ 200 ma 500 NA @ 91 V 120 v 900欧姆
JANTX1N991C-1 Microchip Technology JANTX1N991C-1 -
RFQ
 ECAD 7353 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/117 大部分 积极的 ±2％ -65°C 〜175°C（TJ） 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 500兆 DO-35（do-204AH） Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.3 V @ 200 ma 500 NA @ 137 V 180 v 2200欧姆
JANTX1N992BUR-1 Microchip Technology JANTX1N992BUR-1 -
RFQ
 ECAD 5037 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/117 大部分 积极的 ±5％ -65°C 〜175°C（TJ） 表面安装 DO-213AA（） 500兆 do-213aa Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.3 V @ 200 ma 500 NA @ 152 V 200 v 2500欧姆
JANS1N4113D-1 Microchip Technology JANS1N4113D-1 101.3100
RFQ
 ECAD 2431 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/435 大部分 积极的 ±1％ -65°C 〜175°C（TJ） 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 500兆 DO-35（do-204AH） Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 50 NA @ 14.5 V 19 v 150欧姆
JANS1N4117CUR-1 Microchip Technology JANS1N4117CUR-1 97.9650
RFQ
 ECAD 1190 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/435 大部分 积极的 ±2％ -65°C 〜175°C（TJ） 表面安装 DO-213AA（） 500兆 do-213aa Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 10 na @ 19 V 25 v 150欧姆
JANS1N4117D-1 Microchip Technology JANS1N4117D-1 101.3100
RFQ
 ECAD 2112 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/435 大部分 积极的 ±2％ -65°C 〜175°C（TJ） 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 500兆 DO-35（do-204AH） Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 10 na @ 19 V 25 v 150欧姆
JANS1N4118CUR-1 Microchip Technology JANS1N4118CUR-1 97.9650
RFQ
 ECAD 9283 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/435 大部分 积极的 ±2％ -65°C 〜175°C（TJ） 表面安装 DO-213AA（） 500兆 do-213aa Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 10 na @ 20.5 V 27 V 150欧姆
JANS1N4118D-1 Microchip Technology JANS1N4118D-1 101.3100
RFQ
 ECAD 7232 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/435 大部分 积极的 ±1％ -65°C 〜175°C（TJ） 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 500兆 DO-35（do-204AH） Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 10 na @ 20.5 V 27 V 150欧姆
JANS1N4119-1 Microchip Technology JANS1N4119-1 33.7800
RFQ
 ECAD 7029 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/435 大部分 积极的 ±5％ -65°C 〜175°C（TJ） 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 500兆 DO-35（do-204AH） Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 10 na @ 21.3 V 28 V 200欧姆
JANS1N4119D-1 Microchip Technology JANS1N4119D-1 101.3100
RFQ
 ECAD 1751年 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/435 大部分 积极的 ±1％ -65°C 〜175°C（TJ） 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 500兆 DO-35（do-204AH） Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 10 na @ 21.3 V 28 V 200欧姆
JANS1N4119UR-1 Microchip Technology JANS1N4119UR-1 48.9900
RFQ
 ECAD 8420 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/435 大部分 积极的 ±5％ -65°C 〜175°C（TA） 表面安装 DO-213AA（） 500兆 do-213aa Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 10 na @ 21.3 V 28 V 200欧姆
JANS1N4120C-1 Microchip Technology JANS1N4120C-1 67.5450
RFQ
 ECAD 8515 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/435 大部分 积极的 ±2％ -65°C 〜175°C（TJ） 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 500兆 DO-35（do-204AH） Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 10 na @ 22.8 V 30 V 200欧姆
JANS1N4120CUR-1 Microchip Technology JANS1N4120CUR-1 97.9650
RFQ
 ECAD 7858 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/435 大部分 积极的 ±2％ -65°C 〜175°C（TJ） 表面安装 DO-213AA（） 500兆 do-213aa Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 10 na @ 22.8 V 30 V 200欧姆
JANS1N4120D-1 Microchip Technology JANS1N4120D-1 101.3100
RFQ
 ECAD 5194 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/435 大部分 积极的 ±1％ -65°C 〜175°C（TJ） 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 500兆 DO-35（do-204AH） Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 10 na @ 22.8 V 30 V 200欧姆
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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